Gas dielectric transistor of CuPc single crystalline nanowire for SO 2 detection down to Sub-ppm levels at room temperature

Advanced Materials

Volumn 25, Issue 16, 2013, Pages 2269-2273

  Shaymurat, Talgar ^a   Tang, Qingxin ^a   Tong, Yanhong ^a   Dong, Lin ^b   Liu, Yichun ^a  

^a NORTHEAST NORMAL UNIVERSITY   (China)

^b ZHENGZHOU UNIVERSITY   (China)

Author keywords

field effect tansistors; gas dielectric; organic single crystalline nanowire; SO2 sensor

Indexed keywords

CONDUCTIVE CHANNELS; FAST RESPONSE; FIELD-EFFECT; FIELD-EFFECT MOBILITIES; GAS DIELECTRICS; HIGH SENSITIVITY; ROOM TEMPERATURE; SINGLE CRYSTALLINE NANOWIRES;

CRYSTALLINE MATERIALS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; NANOWIRES; SENSORS; SINGLE CRYSTALS;

SULFUR DIOXIDE;

EID: 84876493583     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201204509     Document Type: Article

References (29)

1. S. C. Lee, B. W. Hwang, S. J. Lee, H. Y. Choi, S. Y. Kim, S. Y. Jung, D. Ragupathy, D. D. Lee, J. C. Kim, Sens. Actuators B 2011, 160, 1328.
2. S. Das, S. Chakraborty, O. Parkash, D. Kumar, S. Bandyopadhyay, S. K. Samudrala, A. Sen, H. S. Maiti, Talanta 2008, 75, 385.
3. L. P. Jackson, Federal Register 2012, 77, 20218.
4. G. F. Fine, L. M. Cavanagh, A. Afonja, R. Binions, Sensors 2010, 10, 5469.
5. a) F. Marinelli, A. Dell'Aquila, L. Torsi, J. Tey, G. P. Suranna, P. Mastrorilli, G. Romanazzi, C. F. Nobile, S. G. Mhaisalkar, N. Cioffi, F. Palmisano, Sens. Actuators B 2009, 140, 445
6. b) M. Bouvet, Anal. Bioanal. Chem. 2006, 384, 366.
7. a) L. Torsi, A. Dodabalapur, Anal. Chem. 2005, 77, 380A
8. b) A. M. Andringa, J. R. Meijboom, E. C. P. Smits, S. G. J. Mathijssen, P. W. M. Blom, D. M. De Leeuw, Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 100.
9. B. K. Crone, A. Dodabalapur, R. Sarpeshkar, A. Gelperin, H. E. Katz, Z. Bao, J. Appl. Phys. 2002, 91, 10140.
10. a) M. I. Newton, T. K. H. Starke, M. R. Willis, G. McHale, Sens. Actuators B 2000, 67, 307
11. b) K. C. Ho, Y. H. Tsuo, Sens. Actuators B 2001, 77, 253
12. c) L. Torsi, M. C. Tanese, N. Cioffi, M. C. Gallazzi, L. Sabbatini, P. G. Zambonin, G. Raos, S. V. Meille, M. M. Giangregorio, J. Phys. Chem. B 2003, 107, 7589
13. d) A. Rothschild, Y. Komem, J. Appl. Phys. 2004, 95, 6374.
14. a) Y. Shimizu, N. Matsunaga, T. Hyodo, M. Egashira, Sens. Actuators B 2001, 77, 35
15. b) M. Stankova, X. Vilanova, J. Calderer, E. Llobet, P. Ivanov, I. Gràcia, C. Cané, X. Correig, Sens. Actuators B 2004, 102, 219
16. c) C. C. Cid, G. Jimenez-Cadena, J. Riu, A. Maroto, F. X. Rius, G. D. Batema, G. V. Koten, Sens. Actuators B 2009, 141, 97.
17. L. Torsi, A. Dodabalapur, L. Sabbatini, P. G. Zambonin, Sens. Actuators B 2000, 67, 312.
18. a) H. Jiang, H. P. Zhao, K. K. Zhang, X. D. Chen, C. Kloc, W. P. Hu, Adv. Mater. 2011, 23, 5075
19. b) J. Elizalde-Torres, H. L. Hu, A. García-Valenzuela, Sens. Actuators B 2004, 98, 218
20. c) M. K. Ram, O. Yavuz, M. Aldissi, Synth. Met. 2005, 151, 77
21. d) A. Das, R. Dost, T. Richardson, M. Grell, J. J. Morrison, M. L. Turner, Adv. Mater. 2007, 19, 4018
22. e) J. Du, D. Liang, H. Tang, X. P. A. Gao, Nano Lett. 2009, 9, 4348.
23. a) Y. Chen, V. Podzorov, Adv. Mater. 2012. 24, 2679
24. b) S. J. Zilker, C. Detcheverry, E. Cantatore, D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1124
25. c) G. Horowitz, J. Mater. Res. 2004, 19, 1946.
26. Q. X. Tang, Y. H. Tong, Y. M. Zheng, Y. D. He, Y. J. Zhang, H. L. Dong, W. P. Hu, T. Hassenkam, T. Bjørnholm, Small 2011, 7, 189.
27. R. Zeis, T. Siegrist, Ch. Kloc, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 022103.
28. H. Klauk, Chem. Soc. Rev. 2010, 39, 2643.
29. M. J. Loiacono, E. L. Granstrom, C. D. Frisbie, J. Phys. Chem. B 1998, 102, 1679.