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ECS Journal of Solid State Science and Technology

Volumn 2, Issue 1, 2013, Pages

Effects of diffusion of hydrogen and oxygen on electrical properties of amorphous oxide semiconductor, In-Ga-Zn-O

(3) Nomura, Kenji a Kamiya, Toshio a Hosono, Hideo a

a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY (Japan)

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EID: 84875523379 PISSN: 21628769 EISSN: 21628777 Source Type: Journal
DOI: 10.1149/2.011301jss Document Type: Article

Times cited : (219)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.