Multilevel resistive switching memory with amorphous InGaZnO-based thin film

Applied Physics Letters

Volumn 102, Issue 6, 2013, Pages

  Hsu, Ching Hui ^a   Fan, Yang Shun ^a   Liu, Po Tsun ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPLIANCE CURRENT; DATA RETENTION; DEVICE STRUCTURES; INDIUM GALLIUM ZINC OXIDES (IGZO); INGAZNO; MULTILEVEL RESISTIVE SWITCHING; NON-VOLATILE MEMORY TECHNOLOGY; OPERATION MODE; PHYSICAL TRANSPORT; RESISTANCE STATE; RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORIES (RRAM); RESISTIVE SWITCHING; STORAGE CAPABILITY; TRIGGER VOLTAGE;

ELECTRIC POTENTIAL; NONVOLATILE STORAGE; THIN FILMS;

RANDOM ACCESS STORAGE;

EID: 84874280887     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4792316     Document Type: Article

References (16)

1. R. Waser and M. Aono, Nature Mater. 6, 833 (2007). 10.1038/nmat2023
2. A. Sawa, Mater. Today 11, 28 (2008). 10.1016/S1369-7021(08)70119-6
3. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, and K. Szot, Adv. Mater. 21, 2632 (2009). 10.1002/adma.200900375
4. Z. Q. Wang, H. Y. Xu, X. H. Li, X. T. Zhang, Y. X. Liu, and Y. C. Liu, IEEE Electron Device Lett. 32, 1442 (2011). 10.1109/LED.2011.2162311
5. C. H. Kim, Y. H. Jang, H. J. Hwang, C. H. Song, Y. S. Yang, and J. H. Cho, Appl. Phys. Lett. 97, 062109 (2010). 10.1063/1.3479527
6. D. J. Kim, K. L. Lee, and C. Yoo, in Proceedings of International Meeting on Information Display (2004), p. 81.
7. T. Osada, K. Akimoto, T. Sato, M. Ikeda, M. Tsubuku, J. Sakata, J. Koyama, T. Serikawa, and S. Yamazaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 49, 03CC02 (2010). 10.1143/JJAP.49.03CC02
8. S. S. Sheu, M. F. Chang, K. F. Lin, C. W. Wu, Y. S. Chen, P. F. Chiu, C. C. Kuo, Y. S. Yang, P. C. Chiang, W. P. Lin, C. H. Lin, H. Y. Lee, P. Y. Gu, S. M. Wang, F. T. Chen, K. L. Su, C. H. Lien, K. H. Cheng, H. T. Wu, T. K. Ku, M. J. Kao, and M. J. Tsai, Dig. Tech. Pap.-IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. 2011, 200.
9. H. Y. Lee, P. S. Chen, T. Y. Wu, Y. S. Chen, C. C. Wang, P. J. Tzeng, C. H. Lin, F. Chen, C. H. Lien, and M. J. Tsai, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2008, 297.
10. H. Y. Lee, Y. S. Chen, P. S. Chen, T. Y. Wu, F. Chen, C. C. Wang, P. J. Tzeng, M. J. Tsai, and C. Lien, IEEE Electron Device Lett. 31, 44 (2010). 10.1109/LED.2009.2034670
11. S. Y. Wang, C. W. Huang, D. Y. Lee, T. Y. Tseng, and T. C. Chang, J. Appl. Phys. 108, 114110 (2010). 10.1063/1.3518514
12. W. C. Chien, Y. C. Chen, E. K. Lai, Y. D. Yao, P. Lin, S. F. Horng, J. Gong, T. H. Chou, H. M. Lin, M. N. Chang, Y. H. Shih, K. Y. Hsieh, and R. Liu, IEEE Electron Device Lett. 31, 126 (2010). 10.1109/LED.2009.2037593
13. S. S. Sheu, K. H. Cheng, M. F. Chang, P. C. Chiang, W. P. Lin, H. Y. Lee, P. S. Chen, Y. S. Chen, T. Y. Wu, F. T. Chen, K. L. Su, M. J. Kao, and M. J. Tsai, IEEE Des. Test Comput. 28, 64 (2011). 10.1109/MDT.2010.96
14. D. Y. Cho, J. Song, K. D. Na, C. S. Hwang, J. H. Jeong, J. K. Jeong, and Y. G. Mo, Appl. Phys. Lett. 94, 112112 (2009). 10.1063/1.3103323
15. K. Nomura, T. Kamiya, H. Ohta, T. Uruga, M. Hirano, and H. Hosono, Phys. Rev. B 75 (3), 035212 (2007). 10.1103/PhysRevB.75.035212
16. C. Yoshida, K. Tsunoda, H. Noshiro, and Y. Sugiyama, Appl. Phys. Lett. 91, 223510 (2007). 10.1063/1.2818691