The role of magnetoelastic and magnetostrictive energies in the magnetization process of MnAs/GaAs epilayers

Journal of Physics Condensed Matter

Volumn 25, Issue 4, 2013, Pages

  Paes, V Z C ^a   Graff, I L ^a   Varalda, J ^a   Etgens, V H ^b,c   Mosca, D H ^a  

^a FEDERAL UNIVERSITY OF PARANÁ   (Brazil)

^b LABORATOIRE DES SCIENCES DU CLIMAT ET DE L ENVIRONNEMENT   (France)

^c INSTITUT DES NANOSCIENCES DE PARIS   (France)

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ENERGY CONTRIBUTION; EPILAYERS GROWN; GAAS; GAAS(001); MAGNETIC BEHAVIOR; MAGNETIC FREE ENERGY; MAGNETO-ELASTIC; MAGNETOSTRUCTURAL PHASE TRANSITION; STONER-WOHLFARTH MODEL;

EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM ARSENIDE; MAGNETIC MATERIALS; MAGNETIZATION; MAGNETOSTRICTIVE DEVICES; MANGANESE COMPOUNDS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTING GALLIUM;

EPILAYERS;

EID: 84872078887     PISSN: 09538984     EISSN: 1361648X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1088/0953-8984/25/4/046003     Document Type: Article

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