Bidirectional two-terminal switching device using schottky barrier for spin-transfer-torque magnetic random access memory

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 51, Issue 10, 2012, Pages

  Park, Yong Sik ^a   Kil, Gyu Hyun ^a   Song, Yun Heub ^a  

^a Hanyang University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BIDIRECTIONAL CURRENT; DEPLETION REGION; MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORIES; ON-OFF RATIO; PUNCH-THROUGH; REVERSE BIAS; SCHOTTKY BARRIER CONTACTS; SCHOTTKY BARRIERS; SCHOTTKY JUNCTIONS; SWITCHING DEVICES;

MAGNETIC STORAGE;

SCHOTTKY BARRIER DIODES;

EID: 84867749928     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.51.106501     Document Type: Article

References (18)

1. S. Ikeda, J. Hayakawa, Y. M. Lee, F. Matsukura, Y. Ohno, T. Hanyu, and H. Ohno: IEEE Trans. Electron Devices 54 (2007) 991.
2. H. Kubota, A. Fukushima, K. Yakushiji, T. Nagahama, S. Yuasa, K. Ando, H. Maehara, Y. Nagamine, K. Tsunekawa, D. D. Djayaprawira, N. Watanabe, and Y. Suzuki: Nat. Phys. 4 (2008) 37.
3. S. Mangin, D. Ravelosona, J. A. Katine, M. J. Carey, B. D. Terris, and E. E. Fullerton: Nat. Mater. 5 (2006) 210.
4. T. Kishi, H. Yoda, T. Kai, T. Nagase, E. Kitagawa, M. Yoshikawa, K. Nishiyama, T. Daibou, M. Nagamine, M. Amano, S. Takahashi, M. Nakayama, N. Shimomura, H. Aikawa, S. Ikegawa, S. Yuasa, K. Yakushiji, H. Kubota, A. Fukushima, M. Oogane, T. Miyazaki, and K. Ando: IEDM Tech. Dig., 2008, 1.
5. S. Ikeda, K. Miura, H. Yamamoto, K. Mizunuma, H. D. Gan, M. Endo, S. Kanai, J. Hayakawa, F. Matsukura, and H. Ohno: Nat. Mater. 9 (2010) 721.
6. J. Li, P. Ndai, A. Goel Salahuddin, and K. Roy: IEEE Trans. VLSI Syst. 18 (2010) 1710.
7. M. J. Lee, Y. S. Park, B. S. Kang, S. E. Ahn, C. B. Lee, K. H. Kim, W. Xianyu, G. Stefanovich, J. H. Lee, S. J. Chung, Y. H. Kim, C. S. Lee, J. B. Park, and I. K. Yoo: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 771.
8. Y. Sasago, M. Kinoshita, T. Morikawa, K. Kurotsuchi, S. Hanzawa, T. Mine, A. Shima, Y. Fujisaki, H. Kume, H. Moriya, N. Takaura, and K. Torii: VLSI Symp. Tech. Dig., 2009, p. 24.
9. J. J. Huang, C. W. Kuo, W. C. Chang, and T. H. Hou: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 262901.
10. J. H. Oh, J. H. Park, Y. S. Lim, H. S. Lim, Y. T. Oh, J. S. Kim, J. M. Shin, Y. J. Song, K. C. Ryoo, D. W. Lim, S. S. Park, J. I. Kim, J. H. Kim, J. Yu, F. Yeung, C. W. Jeong, J. H. Kong, D. H. Kang, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, and K. Kim: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 1.
11. Y. H. Song, S. Y. Park, J. M. Lee, H. J. Yang, and G. H. Kil: IEEE Electron Device Lett. 32 (2011) 1023.
12. G. H. Kil, H. J. Yang, G. H. Lee, S. H. Lee, and Y. H. Song: Jpn. J. Appl. Phys. 51 (2012) 04DJ02.
13. S. M. Sze, D. J. Coleman, Jr., and A. Loya: Solid-State Electron. 14 (1971) 1209.
14. S. Oh, S. Y. Park, A. Manchon, M. Chshiev, J. H. Han, H. W. Lee, J. E. Lee, K. T. Nam, Y. H. Jo, Y. C. Kong, B. Dieny, and K. J. Lee: Nat. Phys. 5 (2009) 898.
15. A. M. Cowley and S. M. Sze: J. Appl. Phys. 36 (1965) 3212.
16. J. Y. Duboz, P. A. Badoz, F. Arnaud d'Avitaya, and E. Rosencher: Phys. Rev. B 40 (1989) 10607.
17. W. Walukiewicz: Phys. Rev. B 37 (1988) 4760.
18. Y. S. Ocak, M. F. Genisel, and T. Kilicoglu: Microelectron. Eng. 87 (2010) 2338.