Bidirectional two-terminal switching device for non-volatile random access memory

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 51, Issue 4 PART 2, 2012, Pages

  Kil, Gyu Hyun ^a   Yang, Hyung Jun ^a   Lee, Gae Hun ^a   Lee, Seong Hyun ^a   Song, Yun Heub ^a  

^a Hanyang University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BIDIRECTIONAL CURRENT; CRITICAL PARAMETER; DRAIN-INDUCED BARRIER LOWERING; HIGH CURRENTS; JUNCTION DEVICES; JUNCTION STRUCTURE; MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORIES; NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORIES; ON/OFF RATIO; OPTIMAL PARAMETER; P-DOPING; REVERSE BIAS; SPIN TRANSFER TORQUE; SWITCHING DEVICES; THREE DIMENSIONAL DEVICE SIMULATIONS;

MAGNETIC STORAGE;

DRAIN CURRENT;

EID: 84860358167     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.51.04DJ02     Document Type: Article

References (13)

1. T. Kawahara, R. Takemura, K. Miura, J. Hayakawa, S. Ikeda, Y. Lee, R. Sasaki, Y. Goto, K. Ito, T. Meguro, F. Matsukura, H. Takahashi, H. Matsuoka, and H. Ohno: IEEE J. Solid-State Circuits 43 (2008) 109.
2. S. Ikeda, J. Hayakawa, Y. Lee, F. Matsukura, Y. Ohno, and T. Hanyu: IEEE Trans. Electron Devices 54 (2007) 991.
3. T. Kishi, H. Yoda, T. Kai, T. Nagase, E. Kitagawa, M. Yoshikawa, K. Nishiyama, T. Daibou, M. Nagamine, M. Amano, S. Takahashi, M. Nakayama, N. Shimomura, H. Aikawa, S. Ikegawa, S. Yuasa, K. Yakushiji, H. Kubota, A. Fukushima, M. Oogane, T. Miyazaki, and K. Ando: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 1.
4. S. Chatterjee, S. Salahuddin, and S. Mukhopadhyay: IEEE Trans. Circuits- Syst. II 57 (2010) 208.
5. K. N. Kim: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 1.1.1.
6. X. A. Tran, H. Y. Yu, Y. C. Yeo, L. Wo, W. J. Liu, Z. R. Wang, Z. Fang, K. L. Pey, X. W. Sun, A. Y. Du, B. Y. Nguyen, and M. F. Li: IEEE Electron Device Lett. 32 (2011) 369.
7. J. W. Seo, S. J. Baik, S. J. Kang, Y. H. Hong, J. H. Yang, and K. S. Lim: Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 233505.
8. J. H. Oh, J. H. Park, Y. S. Lim, H. S. Lim, Y. T. Oh, J. S. Kim, J. M. Shin, J. H. Park, Y. J. Song, K. C. Ryoo, D. W. Lim, S. S. Park, J. I. Kim, J. H. Kim, J. Yu, F. Yeung, C. W. Jeong, J. H. Kong, D. H. Kang, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, and K. N. Kim: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 1.
9. Y. Sasago, M. Kinoshita, T. Morikawa, K. Kurotsuchi, S. Hanzawa, T. Mine, A. Shima, Y. Fujisaki, H. Kume, H. Moriya, N. Takaura, and K. Torii: Symp. VLSI Technology, 2009, p. 24.
10. Y. H. Song, S. Y. Park, J. M. Lee, H. Y. Yang, and G. H. Kil: IEEE Electron Device Lett. 32 (2011) 1023.
11. T. Kawahara, K. Ito, R. Takemura, and H. Ohno: Microelectron. Reliab. 52 (2012) 613.
12. S. Ikeda, K. Miura, H. Yamamoto, K. Mizunuma, H. D. Gan, M. Endo, S. Kanai, J. Hayakawa, F. Matsukura, and H. Ohno: Nat. Mater. 9 (2010) 721.
13. T. Ikuta, Y. Miyanami, S. Fujita, H. Iwamoto, S. Kadomura, T. Shimura, H. Watanabe, and K. Yasutake: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 1916.