Layer-controlled and wafer-scale synthesis of uniform and high-quality graphene films on a polycrystalline nickel catalyst

Advanced Functional Materials

Volumn 22, Issue 15, 2012, Pages 3153-3159

  Gong, Youpin ^a   Zhang, Xuemin ^a   Liu, Guangtong ^b   Wu, Liqiong ^a   Geng, Xiumei ^a   Long, Mingsheng ^a   Cao, Xiaohui ^a   Guo, Yufen ^a   Li, Weiwei ^a   Xu, Jianbao ^a   Sun, Mengtao ^b   Lu, Li ^b   Liu, Liwei ^a  

^a SUZHOU INSTITUTE OF NANO TECH AND NANO BIONICS   (China)

^b INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

graphene; hydrogen exposure; layer controlled synthesis; wafer scale synthesis

Indexed keywords

AMBIENT PRESSURES; CARBON CONTENT; CARBON LAYERS; CVD PROCESS; GAS CARBURIZATION; HIGH QUALITY; HYDROGEN EXPOSURE; LARGE DOMAIN; LAYER NUMBER; NI CATALYSTS; NI SURFACE; POLYCRYSTALLINE; POLYCRYSTALLINE NICKELS; PREFERENTIAL SEGREGATION; ROOM TEMPERATURE; SYNTHESIS ROUTE; TRANSPARENT CONDUCTIVE; WAFER-SCALE;

CATALYSTS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; GRAPHENE; HYDROGEN; SURFACE SEGREGATION;

CONDUCTIVE FILMS;

EID: 84864758118     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.201200388     Document Type: Article

References (32)

1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, A. A. Firsov, Science 2004, 306, 666.
2. Y. B. Zhang, Y. W. Tan, H. L. Stormer, P. Kim, Nature 2005, 438, 201.
3. N. Tombros, C. Jozsa, M. Popinciuc, H. T. Jonkman, B. J. van Wees, Nature 2007, 448, 571.
4. Y. M. Lin, C. Dimitrakopoulos, K. A. Jenkins, D. B. Farmer, H. Y. Chiu, A. Grill, P. Avouris, Science 2010, 327, 662.
5. X. S. Li, W. W. Cai, J. An, S. Kim, J. Nah, D. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, R. S. Ruoff, Science 2009, 324, 1312.
6. S. Bae, H. Kim, Y. Lee, X. F. Xu, J. S. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H. R. Kim, Y. Song, Y. J. Kim, K. S. Kim, B. Özyilmaz, J. H. Ahn, B. H. Hong, S. Iijima, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 574.
7. K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J. H. Ahn, P. Kim, J. Y. Choi, B. H. Hong, Nature 2009, 457, 706.
8. A. Reina, X. Jia, J. Ho, D. Nezich, H. Son, V. Bulovic, M. S. Dresselhaus, J. Kong, Nano Lett. 2009, 9, 30.
9. S. Lee, K. Lee, Z. H. Zhong, Nano Lett. 2010, 10, 4702.
10. F. Schwierz, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 487.
11. S. Ghosh, W. Bao, D. L. Nika, S. Subrina, E. P. Pokatilov, C. N. Lau, A. A. Balandin, Nat. Mater. 2010, 9, 555.
12. F. N. Xia, T. Mueller, Y. M. Lin, A. Valdes-Garcia, P. Avouris, Nat. Nanotechnol. 2009, 4, 839.
13. Q. K. Yu, L. A. Jauregui, W. Wu, R. Colby, J. F. Tian, Z. H. Su, H. L. Cao, Z. H. Liu, D. Pandey, D. G. Wei, T. F. Chung, P. Peng, N. P. Guisinger, E. A. Stach, J. M. Bao, S. S. Pei, Y. P. Chen, Nat. Mater. 2011, 10, 443.
14. X. S. Li, C. W. Magnuson, A. Venugopal, R. M. Tromp, J. B. Hannon, E. M. Vogel, L. Colombo, R. S. Ruoff, J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 2816.
15. X. S. Li, W. W. Cai, L. Colombo, R. S. Ruoff, Nano Lett. 2009, 9, 4268.
16. C. Mattevi, H. Kim, M. Chhowalla, J. Mater. Chem. 2011, 21, 3324.
17. A. Srivastava, C. Galande, L. Ci, L. Song, C. Rai, D. Jariwala, K. F. Kelly, P. M. Ajayan, Chem. Mater. 2010, 22, 3457.
18. Y. G. Yao, Z. Li, Z. Y. Lin, K.-S. Moon, J. Agar, C. Wong, J. Phys. Chem. C 2011, 115, 5232.
19. Y. Zhang, L. Gomez, F. N. Ishikawa, A. Madaria, K. Ryu, C. Wang, A. Badmaev, C. W. Zhou, J. Phys. Chem. Lett. 2010, 1, 3101.
20. M. Zheng, K. Takei, B. Hsia, H. Fang, X. Zhang, N. Ferralis, H. Ko, Y. L. Chueh, Y. Zhang, R. Maboudian, A. Javey, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 063110.
21. K. L. Saenger, J. C. Tsang, A. A. Bol, J. O. Chu, A. Grill, C. Lavoie, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 153105.
22. Q. K. Yu, J. Lian, S. Siriponglert, H. Li, Y. P. Chen, S. S. Pei, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 113103.
23. N. Liu, L. Fu, B. Y. Dai, K. Yan, X. Liu, R. Q. Zhao, Y. F. Zhang, Z. F. Liu, Nano Lett. 2011, 11, 297.
24. R. R. Nair, P. Blake, A. N. Grigorenko, K. S. Novoselov, T. J. Booth, T. Stauber, N. M. R. Peres, A. K. Geim, Science 2008, 320, 1308.
25. M. S. Dresselhaus, A. Jorio, M. Hofmann, G. Dresselhaus, R. Saito, Nano Lett. 2010, 10, 751.
26. L. M. Malard, M. A. Pimenta, G. Dresselhaus, M. S. Dresselhaus, Phys. Rep. 2009, 473, 51.
27. J. Hass, F. Varchon, J. E. Millán-Otoya, M. Sprinkle, N. Sharma, W. A. de Heer, C. Berger, P. N. First, L. Magaud, E. H. Conrad, Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 125504.
28. A. Luican, G. H. Li, A. Reina, J. Kong, R. R. Nair, K. S. Novoselov, A. K. Geim, E. Y. Andrei, Phys. Rev. Lett. 2011, 106, 126802.
29. J. J. Lander, H. E. Kern, A. L. Beach, J. Appl. Phys. 1952, 23, 1305.
30. M. Eizenberg, J. M. Blakely, J. Chem. Phys. 1979, 71, 3467.
31. R. Yang, L. C. Zhang, Y. Wang, Z. W. Shi, D. X. Shi, H. J. Gao, E. G. Wang, G. Y. Zhang, Adv. Mater. 2010, 22, 4014.
32. I. Vlassiouk, M. Regmi, P. Fulvio, S. Dai, P. Datskos, G. Eres, S. Smirnov, ACS Nano. 2011, 5, 6069.