Study of the photoluminescence emission line at 3.33 eV in ZnO films

Journal of Applied Physics

Volumn 112, Issue 1, 2012, Pages

  Yalishev, V Sh ^a   Kim, Y S ^a   Deng, X L ^a   Park, B H ^a   Yuldashev, Sh U ^b  

^a Konkuk University   (South Korea)

^b Dongguk University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BOUND EXCITON; DEPOSITION PARAMETERS; EMISSION LINES; EXPERIMENTAL DATA; FREE EXCITONS; INTERFACE BARRIER; LASER FLUENCES; LOCALIZATION ENERGY; LUMINESCENCE BAND; LUMINESCENCE LINES; OXYGEN PRESSURE; PHOTOLUMINESCENCE EMISSION; PL SPECTROSCOPY; POST ANNEALING; SURFACE BAND BENDING; THERMAL ACTIVATION ENERGIES; ZNO; ZNO FILMS;

ACTIVATION ENERGY; ELECTRIC FIELDS; EMISSION SPECTROSCOPY; GRAIN BOUNDARIES; METALLIC FILMS; PHOTOLUMINESCENCE; PULSED LASER DEPOSITION; ZINC OXIDE;

ELECTROMAGNETIC WAVE EMISSION;

EID: 84864140542     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4733952     Document Type: Article

References (54)

1. D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 2552 (1999). 10.1103/PhysRevLett.82.2552
2. S. E. Harrison, Phys. Rev. 93, 52 (1954). 10.1103/PhysRev.93.52
3. C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 85, 1012 (2000). 10.1103/PhysRevLett.85.1012
4. S. F. J. Cox, E. A. Davis, S. P. Cottrell, P. J. C. King, J. S. Lord, J. M. Gil, H. V. Alberto, R. C. Vilão, J. Piroto Duarte, N. Ayres de Campos, A. Weidinger, R. L. Lichti, and S. J. C. Irvine, Phys. Rev. Lett. 86, 2601 (2001). 10.1103/PhysRevLett.86.2601
5. D. M. Hofmann, A. Hofstaetter, F. Leiter, H. Zhou, F. Henecker, B. K. Meyer, S. B. Orlinskii, J. Schmidt, and P. G. Baranov, Phys. Rev. Lett. 88, 045504 (2002). 10.1103/PhysRevLett.88.045504
6. A. Schildknecht, R. Sauer, and K. Thonke, Physica B 340, 205 (2003). 10.1016/j.physb.2003.09.029
7. K. Johnston, M. O. Henry, D. McCabe, E. McGlynn, M. Dietrich, E. Alves, and M. Xia, Phys. Rev. B 73, 165212 (2006). 10.1103/PhysRevB.73.165212
8. H. Kato, M. Sano, K. Miyamoto, and T. Yao, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 42, 2241 (2003). 10.1143/JJAP.42.2241
9. H. Shibata, M. Watanabe, M. Sakai, K. Oka, P. Fons, K. Iwata, A. Yamada, K. Matsubara, K. Sakurai, H. Tampo, K. Nakahara, and S. Niki, Phys. Status Solidi C 1, 872 (2004). 10.1002/pssc.200304149
10. H. Alves, D. Pfisterer, A. Zeuner, T. Riemann, J. Christen, D. M. Hofmann, and B. K. Meyer, Opt. Mater. 23, 33 (2003). 10.1016/S0925-3467(03) 00055-7
11. B. K. Meyer, H. Alves, D. M. Hofmann, W. Kriegseis, D. Forster, F. Bertram, J. Christen, A. Hoffmann, M. Straßburg, M. Dworzak, U. Haboeck, and A. V. Rodina, Phys. Status Solidi B 241, 231 (2004). 10.1002/pssb.200301962
12. M. R. Wagner, G. Callsen, J. S. Reparaz, J.-H. Schulze, R. Kirste, M. Cobet, I. A. Ostapenko, S. Rodt, C. Nenstiel, M. Kaiser, A. Hoffmann, A. V. Rodina, M. R. Phillips, S. Lautenschläger, S. Eisermann, and B. K. Meyer, Phys. Rev. B 84, 035313 (2011). 10.1103/PhysRevB.84.035313
13. U. Ozgur, Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005). 10.1063/1.1992666
14. H. Haneda, I. Sakaguchi, A. Watanabe, T. Ishigaki, and J. Tanaka, J. Electroceram. 4, 41 (1999). 10.1023/A:1009969600587
15. K. C. Kao, Dielectric Phenomena in Solids (Elsevier Academic, San Diego, 2004).
16. C. A. Mead, Solid-State Electron. 9, 1023 (1966). 10.1016/0038-1101(66) 90126-2
17. L. J. Brillson, Surf. Sci. Rep. 2, 123 (1982). 10.1016/0167-5729(82) 90001-2
18. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J.-S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 5655 (2004). 10.1063/1.1831560
19. A. Chen, S. Haddad, Y. C. Wu, Z. Lan, T. N. Gang, and S. Kaza, Appl. Phys. Lett. 91, 123517 (2007). 10.1063/1.2789678
20. M. J. Rozenberg, I. H. Inoue, and M. J. Sánchez, Phys. Rev. Lett. 92, 178302 (2004). 10.1103/PhysRevLett.92.178302
21. T. Oka and N. Nagaosa, Phys. Rev. Lett. 95, 266403 (2005). 10.1103/PhysRevLett.95.266403
22. J. J. Yang, F. Miao, M. D. Pickett, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart, C. N. Lau, and R. S. Williams, Nanotechnology 20, 215201 (2009). 10.1088/0957-4484/20/21/215201
23. J. P. Strachan, M. D. Pickett, J. J. Yang, S. Aloni, A. L. D. Kilcoyne, G. Medeiros-Ribeiro, and R. S. Williams, Adv. Mater. 22, 3573 (2010). 10.1002/adma.201000186
24. A. Sawa, Mater. Today 11, 28 (2008). 10.1016/S1369-7021(08)70119-6
25. H. Y. Jeong, J. Y. Lee, and S. Y. Choi, Adv. Funct. Mater. 20, 3912 (2010). 10.1002/adfm.201001254
26. A. Baikalov, Y. Q. Wang, B. Shen, B. Lorenz, S. Tsui, Y. Y. Sun, and Y. Y. Xue, Appl. Phys. Lett. 83, 957 (2003). 10.1063/1.1590741
27. A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, and Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 85, 4073 (2004). 10.1063/1.1812580
28. D. S. Shang, Q. Wang, L. D. Chen, R. Dong, X. M. Li, and W. Q. Zhang, Phys. Rev. B. 73, 245427 (2006). 10.1103/PhysRevB.73.245427
29. D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, and R. S. Williams, Nature (London) 453, 80 (2008). 10.1038/nature06932
30. A. Ignatiev, N. J. Wua, X. Chena, Y. B. Niana, C. Papagiannia, S. Q. Liub, and J. Stroziera, Phase Transitions 81, 791 (2008). 10.1080/ 01411590802212374
31. J. Fallert, R. Hauschild, F. Stelzl, A. Urban, M. Wissinger, H. Zhou, C. Klingshirn, and H. Kalt, J. Appl. Phys. 101, 073506 (2007). 10.1063/1.2718290
32. V. A. Fonoberov, K. A. Alim, A. A. Balandin, F. Xiu, and J. Liu, Phys. Rev. B 73, 165317 (2006). 10.1103/PhysRevB.73.165317
33. Q. X. Zhao, M. Willander, R. E. Morjan, Q.-H. Hu, and E. E. B. Campbell, Appl. Phys. Lett. 83, 165 (2003). 10.1063/1.1591069
34. D. Tainoff, B. Masenelli, P. Mélinon, A. Belsky, G. Ledoux, D. Amans, C. Dujardin, N. Fedorov, and P. Martin, Phys. Rev. B 81, 115304 (2010). 10.1103/PhysRevB.81.115304
35. M. Schirra, R. Schneider, A. Reiser, G. M. Prinz, M. Feneberg, J. Biskupek, U. Kaiser, C. E. Krill, K. Thonke, and R. Sauer, Phys. Rev. B 77, 125215 (2008). 10.1103/PhysRevB.77.125215
36. J. I. Pankove, Optical Properties in Semiconductors (Dover, New York, 1971), p. 166.
37. T. Schmidt, K. Lischka, and W. Zulehner, Phys. Rev. B. 45, 8989 (1992). 10.1103/PhysRevB.45.8989
38. T. Taguchi, J. Shirafuji, and Y. Inuishi, Phys. Status Solidi B 68, 727 (1975). 10.1002/pssb.2220680234
39. D. E. Cooper, J. Bajaj, and P. R. Newmann, J. Cryst. Growth 86, 544 (1988). 10.1016/0022-0248(90)90773-E
40. S. S. Kurbanov, G. N. Panin, T. W. Kim, and T. W. Kang, Phys. Rev. B 78, 045311 (2008). 10.1103/PhysRevB.78.045311
41. A. Janotti and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 76, 165202 (2007). 10.1103/PhysRevB.76.165202
42. A. F. Kohan, G. Ceder, D. Morgan, and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 61, 15019 (2000). 10.1103/PhysRevB.61.15019
43. F. Tuomisto, V. Ranki, K. Saarinen, and D. C. Look, Phys. Rev. Lett. 91, 205502 (2003). 10.1103/PhysRevLett.91.205502
44. D. Galland and A. Herve, Phys. Lett. A 33, 1 (1970). 10.1016/0375- 9601(70)90614-6
45. N. G. Kakazev, T. V. Sreckovic, and M. M. Ristic, J. Mater. Sci. 32, 4619 (1997). 10.1023/A:1018689721667
46. A. Pöppl and G. Völkel, Phys. Status Solidi A 125, 571 (1991). 10.1002/pssa.2211250218
47. L. S. Vlasenko and G. D. Watkins, Phys. Rev. B 72, 035203 (2005). 10.1103/PhysRevB.72.035203
48. S. B. Zhang, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 63, 075205 (2001). 10.1103/PhysRevB.63.075205
49. M. D. McCluskey and S. J. Jokela, J. Appl. Phys. 106, 071101 (2009). 10.1063/1.3216464
50. S. M. Evans, N. C. Giles, L. E. Halliburton, and L. A. Kappers, J. Appl. Phys. 103, 043710 (2008). 10.1063/1.2833432
51. J. R. Haynes, Phys. Rev. Lett. 4, 361 (1960). 10.1103/PhysRevLett.4.361
52. A. Travlos, N. Boukos, C. Chandrinou, H. S. Kwack, and L. S. Dang, J. Appl. Phys. 106, 104307 (2009). 10.1063/1.3259413
53. J. M. Carlsson, H. S. Domingos, P. D. Bristowe, and B. Hellsing, Phys. Rev. Lett. 91, 165506 (2003). 10.1103/PhysRevLett.91.165506
54. D. C. Reynolds, C. W. Litton, and T. C. Collins, Phys. Rev. 140, A 1726 (1965). 10.1103/PhysRev.140.A1726