Polarization-dependent asymmetric hysteresis behavior in ZnCrO layers

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 60, Issue 11, 2012, Pages 1891-1896

  Lee, Youngmin ^a   Kim, Deuk Young ^a   Lee, Sejoon ^a   Fu, Dejun ^b  

^a Dongguk University   (South Korea)

^b WUHAN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

Cr doped ZnO thin film; Electrical hysteresis; Polarization dependent asymmetric conduction; Sputtering

Indexed keywords

EID: 84863624081     PISSN: 03744884     EISSN: 19768524     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.60.1891     Document Type: Article

References (28)

1. J. J. Yang, M. D. Pickett, X. Li, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart and R. S. Williams, Nat. Nanotechnol. 3, 429 (2008).
2. D. B. Strukov, J. L. Borghetti and R. S. Williams, Small 5, 1058 (2009).
3. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov and K. Szot, Adv. Mater. 21, 2632 (2009).
4. Y. C. Yang, F. Pan, Q. Liu, M. Liu and F. Zeng, Nano Lett. 9, 1636 (2009).
5. Y. C. Yang, F. Pan and F. Zeng, New J. Phys. 12, 023008 (2010).
6. J. Y. Son, C. H. Kim, J. H. Cho, Y.-H. Shin and H. M. Jang, ACS Nano 4, 3288 (2010).
7. Z. B. Yan, S. Z. Li, K. F. Wang and J. M. Liu, Appl. Phys. Lett. 96, 012103 (2010).
8. J. J. Yang, M.-X. Zhang, J. P. Strachan, F. Miao, M. D. Pickett, R. D. Kelley, G. Medeiros-Ribeiro and R. S. Williams, Appl. Phys. Lett. 97, 232102 (2010).
9. H. Li, Y. Xia, B. Xu, H. Guo, J. Yin and Z. Liu, Appl. Phys. Lett. 97, 012902 (2010).
10. J. Song, Y. Zhang, C. Xu, W. Wu and Z. L. Wang, Nano Lett. 11, 2829 (2011).
11. K. Eshraghian, Trans. Electr. Electron. Mater. 11, 243 (2010).
12. N. A. Hill. J. Phys. Chem. B 104, 6694 (2000).
13. F. Pan, C. Song, X. J. Liu, Y. C. Yang and F. Zeng, Mater. Sci. Eng., R 62, 1 (2008).
14. S. Lee, H. S. Lee, S. J. Hwang, Y. Shon, D. Y. Kim and E. K. Kim, J. Cryst. Growth 286, 223 (2006).
15. S. Lee, Y. Shon, S.-W. Lee, S. J. Hwang, H. S. Lee, T. W. Kang and D. Y. Kim, Appl. Phys. Lett. 88, 212513 (2006).
16. S. Lee, Y. Shon, T. W. Kang, C. S. Yoon, E. K. Kim and D. Y. Kim, Appl. Phys. Lett. 93, 022113 (2008).
17. S. Lee, Y. Shon, D. Y. Kim, T. W. Kang and C. S. Yoon, Appl. Phys. Lett. 96, 042115 (2010).
18. Y.-H. Lin, M. Ying, M. Li, X. Wang and C.-W. Nan, Appl. Phys. Lett. 90, 222110 (2007).
19. Y. C. Yang, C. F. Zhong, X. H. Wang, B. He, S. Q. Wei, F. Zeng and F. Pan, J. Appl. Phys. 104, 064102 (2008).
20. Y. C. Yang, C. Song, F. Zeng, F. Pan, Y. N. Xie and T. Liu, Appl. Phys. Lett. 90, 242903 (2007).
21. Y. C. Yang, C. Song, X. H. Wang, F. Zeng and F. Pan, Appl. Phys. Lett. 92, 012907 (2008).
22. Y. C. Yang, C. Song, X. H. Wang, F. Zeng and F. Pan, J. Appl. Phys. 103, 074107 (2008).
23. A. K. Tagantsev, Appl. Phys. Lett. 93, 202905 (2008).
24. M. K. Yadav, M. Ghosh, R. Biswas, A. K. Raychaudhuri, A. Mookerjee and S. Datta, Phys. Rev. B 76, 195450 (2007).
25. F. Bertram, S. Giemsch, D. Forster, J. Christen, R. Kling, C. Kirchner and A. Waag, Appl. Phys. Lett. 88, 061915 (2006).
26. C. Bundesmann, N. Ashkenov, M. Schubert, D. Spemann, T. Butz, E. M. Kaidashev, M. Lorenz and M. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 83, 1974 (2003).
27. J. B. Wang, G. J. Huang, X. L. Zhong, L. Z. Sun, Y. C. Zhou and E. H. Liu, Appl. Phys. Lett. 88, 252502 (2006).
28. F. J. Manjón, B. Marí, J. Serrano and A. H. Romero, J. Appl. Phys. 97, 053516 (2005).