Resistive switching in copper oxide nanorods: A bottom up approach applicable for enhanced scalability

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 11, Issue 10, 2011, Pages 8538-8542

  Kumar, Rakesh ^a   Mehta, B R ^a   Varandani, Deepak ^a   Singh, V N ^a  

^a INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY DELHI   (India)

Author keywords

Conducting Filament; Cuprous Oxide; Electroforming; Nanorods; Resistive Switching; Template Assisted Electrodeposition

Indexed keywords

BOTTOM CONTACTS; BOTTOM UP APPROACH; CONDUCTING FILAMENT; CUPROUS OXIDE; FILAMENTARY CONDUCTION; OXIDE NANORODS; PARALLEL NETWORK; RESISTANCE RATIO; RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY; RESISTIVE SWITCHING; SANDWICH CONFIGURATION; SETPOINTS; TOP CONTACT;

ELECTROCHEMISTRY; ELECTROFORMING; ELECTROMETALLURGY; NANORODS; SCALABILITY; SWITCHING SYSTEMS;

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS;

EID: 84863403441     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2011.4746     Document Type: Conference Paper

References (29)

1. B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, S. Choi, J. H. Oh, C. Rohde, H. J. Kim, C. S. Hwang, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg, and S. Tiedke, J. Appl. Phys. 98, 033715 (2005).
2. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D. S. Suh, Y. S. Joung, Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J. S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 5655 (2004).
3. S. Kim, I. Byun, I. Hwang, J. Kim, J. Choi, B. H. Park, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D. S. Suh, Y. S. Joung, and I. K. Yoo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 44, L345 (2005).
4. H. J. Sim, D. H. Choi, D. S. Lee, S. A. Seo, M. J. Lee, I. K. Yoo, and H. S. Hwang, IEEE Electron Device Lett. 26, 292 (2005).
5. M. Villafuerte, S. P. Heluani, G. Juarez, G. Simonelli, G. Braunstein, and S. Duhalde, Appl. Phys. Lett. 90, 052105 (2007).
6. R. Dong, D. S. Lee, W. F. Xiang, S. J. Oh, D. J. Seong, S. H. Heo, H. J. Choi, M. J. Kwon, S. N. Seo, M. B. Pyun, M. Hasan, and H. Hwanga, Appl. Phys. Lett. 90, 042107 (2007).
7. R. Yasuhara, K. Fujiwara, K. Horiba, H. Kumigashira, M. Kotsugi, M. Oshima, and H. Takagi, Appl. Phys. Lett. 95, 012110 (2009).
8. A. Chen, S. Haddad, Y. C. Wu, Z. Lan, T. N. Fang, and S. Kaza, Appl. Phys. Lett. 91, 123517 (2007).
9. D. Varandani, B. Singh, B. R. Mehta, M. Singh, V. N. Singh, and, D. Gupta, J. Appl. Phys. 107, 103703 (2010).
10. S. Q. Liu, N. J. Wu, and A. Ignatiev, Appl. Phys. Lett. 76, 2749 (2000).
11. Y. Watanabe, J. G. Bednorz, A. Bietsch, Ch. Gerber, D. Widmer, A. Beck, and S. J. Wind, Appl. Phys. Lett. 78, 3738 (2001).
12. Y. S. Lai, C. H. Tu, D. L. Kwong, and J. S. Chen, Appl. Phys. Lett. 87, 122101 (2005).
13. J. C. Scott and L. D. Bozano, Adv. Mater. 19, 1452 (2007).
14. A. Sawa, Materialstoday 11, 28 (2008)
15. International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), 2006 (http://www.itrs.net/reports.html).
16. K. Oka, T. Yanagida, K. Nagashima, H. Tanaka, and T. Kawai, J. Am. Chem. Soc. 131, 3434 (2009).
17. C. R. Martin, Science 266, 1961 (1994).
18. P. E. de Jongh, D. Vanmaekelbergh, and J. J. Kelly, Chem. Mater. 11, 3512 (1999).
19. W Y. Chang, Y C. Lai, T. B. Wu, S. F Wang, F Chen, and M. J. Tsai, Appl. Phys. Lett. 92, 022110 (2008).
20. S. Lee, H. Kim, D. J. Yun, S. W Rhee, and K. Yong, Appl. Phys. Lett. 95, 0262113 (2009).
21. S.-O. Kang, S. H. Hong, J. S. Choi, J.-S. Kim, I. R. Hwang, I.-S. Byun, K.-S. Yun, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 95, 092108 (2009).
22. F. A. Chudnovskii, L. L. Odynets, A. L. Pergament, and G. B. Stefanovich, J. Solid State Chem. 122, 95 (1996).
23. C. Schönenberger, B. M. I. van der Zande, L. G. J. Fokkink, M. Henny, C. Schmid, M. Krüger, A. Bachtold, R. Huber, H. Birk, and U. Staufer, J. Phys. Chem. B 101, 5497 (1997).
24. R. Waser and M. Aono, Nat. Mater. 6, 833 (2007).
25. K. Fujiwara, T. Nemoto, M. J. Rozenberg, Y. Nakamura, and H. Takagi, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 6266 (2008).
26. G. S. Park, X. S. Li, D. C. Kim, R. J. Jung, M. J. Lee, and S. Seo, Appl. Phys. Lett. 91, 222103 (2007).
27. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, and K. Szot, Adv. Mater. 21, 2632 (2009).
28. K. Szot, W. Speier, G. Bihlmayer, and R. Waser, Nat. Mater. 5, 312 (2006).
29. M. Jebb, P. K. Sudeep, P. Pramod, K. G. Thomas, and P. V. Kamat, J. Phys. Chem. B 111, 6839 (2007).