N-ZnO/LaAlO3/p-Si heterojunction for visible-blind UV detection

Optics Letters

Volumn 37, Issue 6, 2012, Pages 1112-1114

  Tasi, D S ^a   Kang, C F ^a   Wang, H H ^a   Lin, C A ^a   Ke, J J ^a   Chu, Y H ^b   He, J H ^a  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BLOCKING LAYERS; DETECTIVITY; DOUBLE HETEROJUNCTIONS; HIGH POTENTIAL; INSULATING PROPERTIES; P-SI LAYERS; PHOTOEXCITED ELECTRONS; RECTIFICATION RATIO; UV DETECTION; UV PHOTODETECTORS; VISIBLE LIGHT;

ELECTRIC PROPERTIES; ELECTRIC RECTIFIERS; HETEROJUNCTIONS; ZINC OXIDE;

SILICON;

EID: 84863375292     PISSN: 01469592     EISSN: 15394794     Source Type: Journal    
DOI: 10.1364/OL.37.001112     Document Type: Article

References (25)

1. E. Monroy, F. Omnes, and F. Calle, Semicond. Sci. Technol. 18, R33 (2003).
2. C. Soci, A. Zhang, B. Xiang, S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, J. Park, X. Y. Bao, Y. H. Lo, and D. L. Wang, Nano Lett. 7, 1003 (2007).
3. J. H. He, P. H. Chang, C. Y. Chen, and K. T. Tsai, Nanotechnology 20, 135701 (2009).
4. Q. Yang, X. Guo, W. Wang, Y. Zhang, S. Xu, D. H. Lien, and Z. L. Wang, ACS Nano 4, 6285 (2010).
5. T. Zhai, X. Fang, M. Liao, X. Xu, H. Zeng, B. Yoshio, and D. Golberg, Sensors 9, 6504 (2009).
6. C. Soci, A. Zhang, X. Bao, H. Kim, Y. Lo, and D. L. Wang, J. Nanosci. Nanotechnol. 10, 1430 (2010).
7. J. G. Lu, P. C. Chang, and Z. Fan, Mater. Sci. Eng. R.: Reports 52, 49 (2006).
8. K. Liu, M. Sakurai, and M. Aono, Sensors 10, 8604 (2010).
9. J. Zhou, Y. D. Gu, Y. F. Hu, W. J. Mai, P. H. Yeh, G. Bao, A. K. Sood, D. L. Polla, and Z. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 94, 191103 (2009).
10. S. Mridha and D. Basak, J. Appl. Phys. 101, 083102 (2007).
11. J. H. He and C. H. Ho, Appl. Phys. Lett. 91, 233105 (2007).
12. I. S. Jeng, J. H. Kim, and S. Im, Appl. Phys. Lett. 83, 2946 (2003).
13. H. V. Wenckstern, S. Muller, G. Biehne, H. Hochmuth, M. Lorenz, and M. Grundmann, J. Electron. Mater. 39, 559 (2010).
14. K. Sun, Y. Jing, N. Park, C. Li, Y. Bando, and D. L. Wang, J. Am. Chem. Soc. 132, 15465 (2010).
15. C. A. Lin, D. S. Tsai, C. Y. Chen, and J. H. He, Nanoscale 3, 1195 (2011).
16. D. S. Tsai, C. A. Lin, W. C. Lien, H. C. Chang, Y. L. Wang, and J. H. He, ACS Nano 5, 7748 (2011).
17. X. D. Wang, J. Song, P. Li, J. H. Ryou, R. D. Dupuis, C. J. Summers, and Z. L. Wang, J. Am. Chem. Soc. 127, 7920 (2005).
18. B. E. Park and H. Ishiwara, Appl. Phys. Lett. 82, 1197 (2003).
19. J. S. Tian, M. H. Liang, Y. T. Ho, Y. A. Liu, and L. Chang, J. Cryst. Growth 310, 777 (2008).
20. S. Xu and Z. L. Wang, Nano Res. 4, 1013 (2011).
21. S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, 2007), pp. 126-127.
22. Y. F. Gu, X. M. Li, J. L. Zhao, W. D. Yu, X. D. Gao, and C. Yang, Solid State Commun. 143, 421 (2007).
23. H. Lin and C. W. Liu, Sensors 10, 8797 (2010).
24. L. F. Edge, D. G. Schlom, S. A. Chambers, E. Cicerrella, J. L. Freeouf, B. Holländer, and J. Schubert, Appl. Phys. Lett. 84, 726 (2004).
25. W. C. Lien, D. S. Tsai, S. H. Chiu, D. G. Senesky, R. Maboudian, A. P. Pisano, and J. H. He, IEEE Electron Device Lett. 32, 1564 (2011).