Reduction of efficiency droop in GaInN/GaN light-emitting diodes with thick AlGaN cladding layers

Electronic Materials Letters

Volumn 8, Issue 1, 2012, Pages 1-4

  Mao, An ^a   Cho, Jaehee ^a   Schubert, E Fred ^a   Son, Joong Kon ^b   Sone, Cheolsoo ^b   Ha, Woo Jin ^c   Hwang, Sunyong ^c   Kim, Jong Kyu ^c  

^a RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE   (United States)

^b Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

^c Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

Author keywords

efficiency droop; GaN; laser diode; light emitting diodes

Indexed keywords

ACTIVE REGIONS; ACTIVE VOLUMES; ALGAN; AUGER RECOMBINATION; CLADDING LAYER; DOMINANT MECHANISM; ELECTRON LEAKAGE; GAN;

CARRIER CONCENTRATION; CLADDING (COATING); DIODES; EFFICIENCY; GALLIUM NITRIDE; LIGHT EMISSION; SEMICONDUCTOR LASERS;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 84863277177     PISSN: 17388090     EISSN: 20936788     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s13391-011-0780-9     Document Type: Article

References (17)

1. M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007).
2. M. F. Schubert, S. Chhajed, J. K. Kim, E. F. Schubert, D. D. Koleske, M. H. Crawford, S. R. Lee, A. J. Fischer. G. Thaler, and M. A. Banas, Appl. Phys. Lett. 91, 231114 (2007).
3. M. F. Schubert, J. Xu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, S. Yoon, S. M. Lee, C. Sone, T. Sakong, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 93, 041102 (2008).
4. J. Xu, M. F. Schubert, A. N. Noemaun, D. Zhu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, H. J. Chung, S. Yoon, C. Sone, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 94, 011113 (2009).
5. Y. C. Shen, G. O. Muller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 141101 (2007).
6. N. F. Gardner, G. O. Muller, Y. C. Shen, G. Chen, S. Watanabe, W. Gotz, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 243506 (2007).
7. I. A. Pope, P. M. Smowton, P. Blood, J. D. Thomson, M. J. Kappers, and C. J. Humphreys, Appl. Phys. Lett. 82, 2755 (2003).
8. J. Xie, X. Ni, Q. Fan, R. Shimada, U. Ozgur, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 93, 121107 (2008).
9. I. V. Rozhansky and D. A. Zakheim, Phys. Status Solidi A204, 227 (2007).
10. A. Y. Kim, W. Gotz, D. A. Steigerwald, J. J. Wiein, M. R. Krames, R. S. Kern, and F. M. Steranka, Phys. Status Solidi A188, 15 (2001).
11. S. F. Chichibu, T. Azuhata, M. Sugiyama, T. Kitamaru, Y. Ishida, H. Okumurac, H. Nakanishi, T. Sota, and T. Mukai, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2177 (2001).
12. J. Cho, E. Yoon, Y. Park, W. J. Ha, and J. K. Kim, Electron. Mater. Lett. 6, 51 (2010).
13. A. A. Efremov, N. I. Bochkareva, R. I. Gorbunov, D. A. Larinovich, Yu. T. Rebane, D. V. Tarkhin, and Yu. G. Shreter, Semiconductors40, 605 (2006).
14. T. E. Slobodyan, K. A. Bulashevich, and S. Yu. Karpov, Semiconductors42, 852 (2008).
15. H. Y. Ryu, K. H. Ha, S. N. Lee, T. Jang, H. K. Kim, J. H. Chae, K. S. Kim, K. K. Choi, J. K. Son, H. S. Paek, Y. J. Sung, T. Sakong, O. H. Nam, and Y. J. Park, Appl. Phys. Lett. 89, 031122 (2006).
16. H.-Y. Ryu, and K.-H. Ha, Opt. Express16, 10849 (2008).
17. A. Hangleiter, J. S. Im, H. Kollmer, S. Heppel, J. Off, and F. Scholz, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 15 (1998).