Role of adsorbed H 2O on transfer characteristics of solution-processed zinc tin oxide thin-film transistors

Applied Physics Express

Volumn 5, Issue 2, 2012, Pages

  Kim, Doohyun ^a   Yoon, Soobok ^a   Jeong, Yeontaek ^b   Kim, Youngmin ^b   Kim, Bosung ^b   Hong, Munpyo ^a  

^a Korea University   (South Korea)

^b SAMSUNG Electronics   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ABNORMAL BEHAVIOR; AMBIENT ATMOSPHERE; AMBIENT GAS; BACK CHANNELS; CHANNEL LAYERS; ELECTRICAL CHARACTERISTIC; ELECTRICAL PERFORMANCE; ROOM TEMPERATURE; SOLUTION-PROCESSED; TRANSFER CHARACTERISTICS; ZINC TIN OXIDE;

ADSORPTION; THIN FILM TRANSISTORS; TIN; TIN OXIDES;

ZINC;

EID: 84863155764     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.5.021101     Document Type: Article

References (20)

1. Y.-H. Kim, M. S. Oh, K. H. Kim, H. J. Kim, and J.-I. Han: SID Symp. Dig. Tech. Pap. 42 (2011) 1166.
2. H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 112123.
3. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Nature (London) 432 (2004) 488.
4. J. Nishii, F. M. Hossain, S. Takagi, T. Tita, K. Saikusa, Y. Ohmaki, I. Ohkubo, S. Kishimoto, A. Ohtomo, T. Fukumura, F. Matsukura, Y. Ohno, H. Koinuma, H. Ohno, and M. Kawasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) L347.
5. M. Ito, M. Kon, T. Okubo, M. Ishizaki, and N. Sekine: Proc. Int. Display Workshop, 2006, p. 663.
6. K. H. Lee, J. S. Jung, K. S. Son, J. S. Park, T. S. Kim, R. Choi, J. K. Jeong, J. Y. Kwon, B. W. Koo, and S. Y. Lee: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 232106.
7. W. F. Chung, T. C. Chang, H. W. Li, C. W. Chen, Y. C. Chen, S. C. Chen, T. Y. Tseng, and Y. H. Tai: Electrochem. Solid-State Lett. 14 (2011) H114.
8. J. K. Jeong, H. W. Yang, J. H. Jeong, Y. G. Mo, and H. D. Kim: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 123508.
9. J. S. Park, J. K. Jeong, H. J. Chung, Y. G. Mo, and H. D. Kim: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 072104.
10. S. H. Yang, C. S. Hwang, J. I. Lee, S. M. Yoon, M. K. Ryu, K. I. Cho, S. H. K. Park, S. H. Kim, C. E. Park, and J. Jang: Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 103515.
11. Y. C. Chen, T. C. Chang, H. W. Li, S. C. Chen, J. Lu, W. F. Chung, Y. H. Tai, and T. Y. Tseng: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 262104.
12. D. H. Kang, H. Lim, C. J. Kim, I. H. Song, J. C. Park, and Y. S. Park: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 192101.
13. K. W. Liu, B. Liu, S. J. Wang, Z. P. Wei, T. Wu, C. X. Cong, Z. X. Shen, X. W. Sun, and H. D. Sun: J. Appl. Phys. 106 (2009) 083110.
14. M. Nagao: J. Phys. Chem. 75 (1971) 3822.
15. J. McK. Nobbs: J. Phys. Chem. Solids 29 (1968) 439.
16. Y. Li, F. D. Valle, M. Simonnet, I. Yamada, and J. J. Delaunay: Appl. Phys. Lett. 94 (2009) 023110.
17. M. Kunat, St. Gil Girol, U. Burghaus, and Ch. Woll: J. Phys. Chem. B 107 (2003) 14350.
18. P. Görrn, T. Riedl, and W. Kowalsky: J. Phys. Chem. C 113 (2009) 11126.
19. Y. Zhang, J. Wang, H. Zhu, H. Li, L. Jiang, C. Shu, W. Hu, and C. Wang: J. Mater. Chem. 20 (2010) 9858.
20. M. A. Lieberman: Principles of Plasma Discharges and Materials Processing (Wiley, Hoboken, NJ, 2005) 2nd ed., p. 37.