Organic heterostructures in organic field-effect transistors

NPG Asia Materials

Volumn 2, Issue 2, 2010, Pages 69-78

  Wang, Haibo ^a   Yan, Donghang ^a  

^a CHANGCHUN INSTITUTE OF APPLIED CHEMISTRY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84863116563     PISSN: 18844049     EISSN: 18844057     Source Type: Journal    
DOI: 10.1038/asiamat.2010.44     Document Type: Review

References (79)

1. S. Liu, W. M. Wang, A. L. Briseno, S. C. B. Mannsfeld, Z. N. Bao, Adv. Mater. 21, 1217 (2009).
2. Z. Zaumseil, H. Sirringhaus, Chem. Rev. 107, 1296 (2007).
3. F. Cicoira, C. Santato, Adv. Funct. Mater. 17, 3421 (2007).
4. C. W. Tang, S. A. VanSlyke, Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987).
5. C. W. Tang, Appl. Phys. Lett. 48, 183 (1986).
6. A. Dodabalapor, H. E. Katz, L. Torsi, R. C. Haddon, Science 269, 1560 (1995).
7. H. Ishii, K. Sugiyama, E. Ito, K. Seki, Adv. Mater. 11, 605 (1999).
8. H. Vazquez, F. Flores, A. Kahn, Org. Electron. 8, 241 (2007).
9. S. Braun, W. R. Salaneck, M. Fahlman, Adv. Mater. 21, 1450 (2009).
10. W. Chen et al., Appl. Phys. Lett. 92, 063308 (2008).
11. H. Peisert et al., J. Appl. Phys. 93, 9683 (2003).
12. D. Schlettwein et al., J. Phys. Chem. B 105, 4791 (2001).
13. H. Kakuta et al., Phys. Rev. Lett. 98, 247601 (2007).
14. J. Wang, H. B. Wang, X. J. Yan, H. C. Huang, D. H. Yan, Appl. Phys. Lett. 87, 093507 (2005).
15. H. B. Wang, J. Wang, H. C. Huang, X. J. Yan, D. H. Yan, Org. Electron. 7, 369 (2006).
16. K. M. Lau et al., Appl. Phys. Lett. 88, 173513 (2006).
17. J. Wang, H. B. Wang, X. J. Yan, H. C. Huang, D. H. Yan, Chem. Phys. Lett. 407, 87 (2005).
18. F. Zhu, H. B. Wang, D. Song, K. Lou, D. H. Yan, Appl. Phys. Lett. 93, 103308 (2008).
19. F. Zhu, J. B. Yang, D. Song, C. H. Li, D. H. Yan, Appl. Phys. Lett. 94, 143305 (2009).
20. S. M. Sze, K. K. Ng, Eds. Physics of Semiconductor Devices, John Wiley and Sons, USA (1981).
21. H. B. Wang et al., Appl. Phys. Lett. 88, 133508 (2006).
22. J. W. Shi et al., Adv. Funct. Mater. 17, 397 (2007).
23. Y. L. Gao, H. J. Ding, H. B. Wang, D. H. Yan, Appl. Phys. Lett. 91, 142112 (2007).
24. R. L. Anderson, IBM J. Res. Dev. 4, 283 (1960).
25. K. Harada et al., Phys. Rev. Lett. 94, 036601 (2005).
26. H. B. Wang, X. J. Wang, H. C. Huang, D. H. Yan, Appl. Phys. Lett. 93, 103307 (2008).
27. H. B. Wang, X. J. Wang, B. Yu, Y. H. Geng, D. H. Yan, Appl. Phys. Lett. 93, 113303 (2008).
28. T. D. Anthopoulos et al., Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 871E, I11.9 (2005).
29. L.-L. Chua et al., Nature 434, 194 (2005).
30. T. Sakanoue, M. Yahiro, C. Adachi, K. Takimiya, A. Toshimitsu, J. Appl. Phys. 103, 094509 (2008).
31. R. Ye, M. Baba, Y. Oishi, K. Mori, K. Suzuki, Appl. Phys. Lett. 86, 253505 (2005).
32. C. Rost, D. J. Gundlach, S. Karg, W. Rei., J. Appl. Phys. 95, 5782 (2004).
33. R. Schmechel, M. Ahles, H. von Seggern, J. Appl. Phys. 98, 084511 (2005).
34. Y. Yamane, H. Yanagi, A. Sawamoto, S. Hotta, Appl. Phys. Lett. 90, 162108 (2007).
35. T. Sakanoue et al., Appl. Phys. Lett. 92, 053505 (2008).
36. M. Schidleja et al., Appl. Phys. Lett. 95, 113303 (2009).
37. J. W. Shi et al., Thin Solid Films 516, 3270 (2008).
38. E. Kuwahara et al., Appl. Phys. Lett. 85, 4765 (2004).
39. S. J. Kang et al., Appl. Phys. Lett. 87, 233502 (2005).
40. P. Cosseddu, A. Bonfi glio, I. Salzmann, J. P. Rabe, N. Koch, Org. Electron. 9, 191 (2008).
41. K. Yamane, H. Yanagi, S. Hotta, Thin Solid Films 516, 3157 (2008).
42. S. Kinoshita et al., Solid State Comm. 145, 114 (2008).
43. T. P. I. Saragi, J. Salbeck, Appl. Phys. Lett. 89, 253516 (2006).
44. F. Dinelli et al., Adv. Mater. 18, 1416 (2006).
45. R. Capelli et al., J. Phys.: Condens. Matter. 18, S2127 (2006).
46. H. S. Seo, Y. Zhang, M.-J. An, J.-H. Choi, Org. Electron. 10, 1293 (2009).
47. R. Ye, M. Baba, K. Suzuki, K. Mori, Solid-State Electron. 52, 60 (2008).
48. Y. Sakamoto et al., J. Am. Chem. Soc. 126, 8138 (2004).
49. K. Tada, H. Harada, K. Yoshino, Jpn J. Appl. Phys. 35, L944 (1996).
50. E. J. Meijer et al., Nature Mater. 2, 678 (2003).
51. T. B. Singh, S. Gunes, N. Marjanović, N. S. Sariciftci, R. Menon, J. Appl. Phys. 97, 114508 (2005).
52. Y. Hayashi et al., Appl. Phys. Lett. 86, 052104 (2005).
53. S. M. Tuladhar et al., Adv. Funct. Mater. 15, 1171 (2005).
54. A. Babel, J. D. Wind, S. A. Jenekhe, Adv. Funct. Mater. 14, 891 (2004)
55. S. Cho, J. Yuen, J. Y. Kim, K. Lee, A. J. Heeger, Appl. Phys. Lett. 89, 153505 (2006).
56. M. Shibao, T. Morita, W. Takashima, K. Kaneto, Jpn J. Appl. Phys. 46, L123 (2007).
57. M. Shkunov, R. Simms, M. Heeney, S. Tierney, I. McCulloch, Adv. Mater. 17, 2608 (2005).
58. R. Hamilton et al., Adv. Mater. 21, 1166 (2009).
59. C. Rost et al., Appl. Phys. Lett. 85, 1613 (2004).
60. K. N. N. Unni, A. K. Pandey, S. Alem, J.-M. Nunzi, Chem. Phys. Lett. 421, 554 (2006).
61. J. Wang et al., Adv. Funct. Mater. 16, 824 (2006).
62. Y. Inoue et al., Jpn J. Appl. Phys. 44, 3663 (2005).
63. A. Opitz et al., Org. Electron. 10, 1259 (2009).
64. M. Bronner, A. Opitz, W. Brutting, Phys. Stat. Sol. (a) 205, 549 (2008).
65. J. Zhang et al., Adv. Mater. 17, 1191 (2005).
66. P. Cosseddu et al., Adv. Mater. 21, 344 (2009).
67. A. Hepp et al., Phys. Rev. Lett. 91, 157406 (2003).
68. M. A. Loi et al., Adv. Funct. Mater. 16, 41 (2006).
69. S. D. Vusser et al., Appl. Phys. Lett. 89, 223504 (2006)
70. K. Kudo, S. Tanaka, M. Iizuka, M. Nakamura, Thin Solid Films 438, 330 (2003).
71. B. Park, H. Takezoe, Appl. Phys. Lett. 85, 1280 (2004).
72. C. A. Di et al., Adv. Funct. Mater. 17, 1567 (2007).
73. R. Hajlaoui et al., Adv. Mater. 9, 389 (1997).
74. X. J. Yan, , J. Wang, H. B. Wang, H. Wang, D. H. Yan, Appl. Phys. Lett. 89, 053510 (2006).
75. F.-C. Chen, L.-J. Kung, T.-H. Chen, Y.-S. Lin, Appl. Phys. Lett. 90, 073504 (2007).
76. J. Park, J. Park, N. Kim, H.-J. Lee, M. Yi, Jpn J. Appl. Phys. 47, 5668 (2008).
77. J. Wang, H. B. Wang, J. Zhang, X. J. Yan, D. H. Yan, J. Appl. Phys. 97, 026106 (2005).
78. S. Y. Park, Y. H. Noh, H. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 88, 113503 (2006).
79. K. Shibata, H. Wada, K. Ishikawa, H. Takezoe, T. Mori, Appl. Phys. Lett. 90, 193509 (2007).