Carrier-suppressing effect of Mg in solution-processed Zn-Sn-O thin-film transistors

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 15, Issue 3, 2012, Pages

  Lim, Hyun Soo ^a   Rim, You Seung ^a   Kim, Dong Lim ^a   Jeong, Woong Hee ^a   Kim, Hyun Jae ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

METAL-OXYGEN BONDS; MOLAR RATIO; ON-OFF RATIO; SATURATION MOBILITY; SOLUTION-PROCESSED; SUBTHRESHOLD;

CARRIER CONCENTRATION; THIN FILM TRANSISTORS; ZINC;

TIN;

EID: 84862950332     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/2.012203esl     Document Type: Article

References (17)

1. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature, 432, 488 (2004). 10.1038/nature03090 (Pubitemid 39585210)
2. K. K. Banger, Y. Yamashita, K. Mori, R. L. Peterson, T. Leedham, J. Rickard, and H. Sirringhaus, Nat. Mater., 10, 45 (2011). 10.1038/nmat2914
3. H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, J. Jeong, and D. A. Keszler, Appl. Phys. Lett., 86, 013503 (2005). 10.1063/1.1843286 (Pubitemid 40219489)
4. Y.-J. Chang, D.-H. Lee, G. S. Herman, and C.-H. Chang, Electrochem. Solid State Lett., 10, H135 (2007). 10.1149/1.2666588 (Pubitemid 46439894)
5. E. M. C. Fortunato, L. M. N. Pereira, P. M. C. Barquinha, A. M. B. do Rego, G. Gonalves, A. Vil, J. R. Morante, and R. F. P. Martins, Appl. Phys. Lett., 92, 222103 (2008). 10.1063/1.2937473
6. D. H. Cho, S. H. Ko Park, S. H. Yang, C. W. Byun, K. I. Cho, M. K. Ryu, S. M. Chung, W. S. Cheong, S. M. Yoon, and C. S. Hwang, J. Inf. Display, 10, 137 (2009). 10.1080/15980316.2009.9652097
7. Y. S. Rim, D. L. Kim, W. H. Jeong, and H. J. Kim, Appl. Phys. Lett., 97, 233502 (2010). 10.1063/1.3524514
8. D. N. Kim, D. L. Kim, G. H. Kim, S. J. Kim, Y. S. Rim, W. H. Jeong, and H. J. Kim, Appl. Phys. Lett., 97, 192105 (2010). 10.1063/1.3506503
9. A. Kaushal and D. Kaur, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 93, 193 (2009). 10.1016/j.solmat.2008.09.039
10. W. Yang, S. S. Hullavarad, B. Nagaraj, I. Takeuchi, R. P. Sharma, T. Venkatesan, R. D. Vispute, and H. Shen, Appl. Phys. Lett., 82, 3424 (2003). 10.1063/1.1576309
11. K. Reimann and M. Steube, Solid State Commun., 105, 649 (1998). 10.1016/S0038-1098(97)10151-X
12. V. Srikant and D. R. Clarke, Appl. Phys. Lett., 83, 5447 (1998).
13. J. S. Cornelille, J.-W. He, and D. W. Goodman, Surf. Sci., 306, 269 (1994). 10.1016/0039-6028(94)90071-X
14. G. H. Kim, H. S. Kim, H. S. Shin, B. D. Ahn, K. H. Kim, and H. J. Kim, Thin Solid Films, 517, 4007 (2009). 10.1016/j.tsf.2009.01.151
15. E. Vasco, O. Böhme, and E. Romn, J. Phys. Chem. C, 111, 3503 (2006).
16. Kl and A. Zunger, Phys. Rev. Lett., 88, 095501 (2002). 10.1103/PhysRevLett.88.095501
17. T. Kamiya, K. Nomura, and H. Hosono, Phys. Status Solidi A, 206, 860 (2009). 10.1002/pssa.200881303