Stacked silicon nanowires with improved field enhancement factor

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 2, Issue 2, 2010, Pages 331-334

  Tzeng, Yu Fen ^a   Wu, Hung Chi ^a   Sheng, Pei Sun ^b   Tai, Nyan Hwa ^a   Chiu, Hsin Tien ^b   Lee, Chi Young ^a   Lin, I Nan ^c  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^c TAMKANG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

Electroless metal deposition; Electron field emission; Silicon nanowires

Indexed keywords

ELECTROLESS METAL DEPOSITION; ELECTRON FIELD EMISSION; FIELD ENHANCEMENT FACTOR; HIGH TEMPERATURE; MICRORODS; NANO-SIZED SILICON; PHOTOLITHOGRAPHIC PROCESS; SILICON NANOWIRES; TURN-ON FIELD;

CARBON NANOTUBES; FIELD EMISSION; HIGH TEMPERATURE APPLICATIONS; METALS; PHOTOLITHOGRAPHY;

NANOWIRES;

EID: 84862833075     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am900490m     Document Type: Article

References (24)

1. Teo, B.K.; Sun, X.H. Chem. Rev. 2007, 107, 1454.
2. Chaudhry, A.; Ramamurthi, V.; Fong, E.; Islam, M. S. Nano Lett. 2007, 7, 1536.
3. Tsutsumi, T.; Ishii, K.; Hiroshima, H.; Kanemaru, S.; Suzuki, E.; Tomizawa, K. J. Appl. Phys. 2002, 41, 4419.
4. Chattopadhyay, S.; Chen, L. C.; Chen, K. H. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 2006, 31, 15.
5. Karabutov, A. V.; Frolov, V. D.; Loubnin, E. N.; Simakin, A. V.; Shafeev, G. A. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2003, 76, 413.
6. Fung, Y. M.; Cheung, W. Y.; Wilson, I. H.; Chen, D.; Xu, J. B.; Wong, S. P.; Kwok, R. W. M. J. Vac. Sci. Technol., B 2001, 19, 884.
7. Zeng, B.; Xiong, G.; Chen, S.; Jo, S. H.; Wang, W. Z.; Wang, D. Z.; Ren, Z. F. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 213108.
8. Chueh, Y. L.; Chou, L. J.; Cheng, S. L.; He, J. H.; Wu, W. W.; Chen, L. J. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 133112.
9. Riccitelli, R.; Carlo, A. D.; Fiori, A.; Orlanducci, S.; Terranova, M. L.; Santoni, A.; Fantoni, R.; Rufoloni, A.; Villacorta, F. J. J. Appl. Phys. 2007, 102 054906.
10. McClain, D.; Solanki, R.; Dong, L.; Jiao, J. J. Vac. Sci. Technol., B 2006, 24, 20.
11. Johnson, S.; Markwitz, A.; Rudolphi, M.; Baumann, H.; Oei, S. P.; Teo, K. B. K.; Milne, W. I. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 3277.
12. Zeng, B.; Xiong, G.; Chen, S.; Wang, W.; Wang, D. Z.; Ren, Z. F. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 033112.
13. Peng, K. Q.; Yang, Y. J.; Gao, S. P.; Zhu, J. Adv. Mater. 2002, 14, 1164.
14. Tzeng, Y. F.; Lee, Y. C.; Liu, K. H.; Lin, S. J.; Lin, I. N.; Lee, C. Y.; Chiu, H. T. Nanotechnology 2007, 18, 435703.
15. Fowler, R. H.; Nordheim, L. W. Proc. R. Soc. London, Ser. A 1928, 119, 173.
16. Nordhlim, L. W. Proc. R. Soc. London, Ser. A 1928, 121, 626.
17. Ding, M.; Kim, H.; Akinwande, A. I. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 823.
18. Filip, V.; Nicolaescu, D.; Tanemura, M.; Okuyama, F. Ultramicroscopy 2001, 89, 39.
19. Givargizov, E. I.; Zhirnov, V. V.; Stepanova, A. N.; Rakova, E. V.; Kiselev, A. N.; Plekhanov, P. S. Appl. Surf. Sci. 1995, 87, 24.
20. Shang, X. F.; Wang, M.; Qu, S. X.; Zhao, P.; Zhou, J. J.; Xu, Y. B.; Tan, M. Q.; Li, Z. H. Nanotechnology 2008, 19, 065708.
21. Chen, G.; Wang, W.; Peng, J.; He, C.; Deng, S.; Xu, N.; Li, Z. Phys. Rev. B 2007, 76, 195412.
22. Nicolaescu, D.; Hilip, V.; Takaoka, G. H.; Gotoh, Y.; Ishikawa, J. J. Vac. Sci. Technol. B 2007, 25 (2), 472.
23. Smith, R. C.; Cox, D. C.; Silva, S. R. P. Appl. Phys. Lett. 2005, 87 (10), 103112.
24. Jeong, S.-H.; Hwang, H.-Y.; Lee, K.-H.; Jeong, Y. Appl. Phys. Lett. 2001, 78 (14), 2052.