Vertical conduction mechanism of the epitaxial graphene/n-type 4H-SiC heterojunction at cryogenic temperatures

Applied Physics Letters

Volumn 100, Issue 19, 2012, Pages

  Tadjer, M J ^a   Anderson, T J ^b   Hobart, K D ^b   Nyakiti, L O ^b   Wheeler, V D ^b   Myers Ward, R L ^b   Gaskill, D K ^b   Eddy, C R ^b   Kub, F J ^b   Calle, F ^c  

^a UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID   (Spain)

^b NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

^c UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; GRAPHENE; HETEROJUNCTIONS;

CONDUCTION MECHANISM; CRYOGENIC TEMPERATURES; EPITAXIAL GRAPHENE; FEW-LAYER GRAPHENE; GRAPHENE FILMS; HIGH INTENSITY; LOWS-TEMPERATURES; ORDERS OF MAGNITUDE; RECTIFYING PROPERTIES; REVERSE LEAKAGE;

SILICON CARBIDE;

EID: 84862067283     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4712621     Document Type: Article

References (25)

1. A. H. Castro Neto, F. Guinea, N. M. R. Peres, K. S. Novoselov, and A. K. Geim, Rev. Mod. Phys. 81, 109-162 (2009). 10.1103/RevModPhys.81.109
2. A. Geim and A. H. MacDonald, Phys. Today 60, 35 (2007). 10.1063/1.2774096
3. S. Bae, H. Kim, Y. Lee, X. Xu, J. S. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H. R. Kim, Y. I. Song, Y. J. Kim, K. S. Kim, B. Ozyilmaz, J. H. Ahn, B. H. Hong, and S. Iijima, Nat. Nanotechnol. 5, 574 (2010). 10.1038/nnano.2010.132
4. A. Reina, X. Jia, J. Ho, D. Nezich, H. Son, V. Bulovic, M. S. Dresselhaus, and J. Kong, Nano Lett. 9 (1), 30-35 (2009). 10.1021/nl801827v
5. J. L. Tedesco, B. L. VanMil, R. L. Myers-Ward, J. M. McCrate, S. A. Kitt, P. M. Campbell, G. G. Jernigan, J. C. Culbertson, C. R. Eddy, Jr., and D. K. Gaskill, Appl. Phys. Lett. 95, 122102 (2009). 10.1063/1.3224887
6. P. Sutter, Nature Mater. 8, 171 (2009). 10.1038/nmat2392
7. D. Li, M. B. Muller, S. Gilje, R. B. Kaner, and G. G. Wallace, Nat. Nanotechnol. 3, 101 (2008). 10.1038/nnano.2007.451
8. Z. Sun, Z. Yan, J. Yao, E. Beitler, Y. Zhu, and J. M. Tour, Nature 468, 549-552 (2010). 10.1038/nature09579
9. Y.-M. Lin, A. Valdes-Garcia, S.-J. Han, D. B. Farmer, I. Meric, Y. Sun, Y. Wu, C. Dimitrakopoulos, A. Grill, P. Avouris, and K. A. Jenkins, Science 332, 1294 (2011). 10.1126/science.1204428
10. J. D. Caldwell, T. J. Anderson, J. C. Culbertson, G. G. Jernigan, K. D. Hobart, F. J. Kub, M. J. Tadjer, J. L. Tedesco, J. K. Hite, M. A. Mastro, R. L. Myers-Ward, C. R. Eddy, Jr., P. M. Campbell, and D. K. Gaskill, ACS Nano 4 (2), 1108 (2010). 10.1021/nn901585p
11. P. A. Khomyakov, A. A. Starikov, G. Brocks, and P. J. Kelly, Phys. Rev. B 82, 115437 (2010). 10.1103/PhysRevB.82.115437
12. M. J. Tadjer, K. D. Hobart, J. D. Caldwell, J. E. Butler, K. X. Liu, C. R. Eddy, Jr., D. K. Gaskill, K. K. Lew, B. L. VanMil, R. L. Myers-Ward, M. G. Ancona, F. J. Kub, and T. I. Feygelson, Appl. Phys. Lett. 91, 163508 (2007). 10.1063/1.2800886
13. M. J. Tadjer, T. I. Feygelson, K. D. Hobart, J. D. Caldwell, T. J. Anderson, J. E. Butler, C. R. Eddy, Jr., D. K. Gaskill, K. K. Lew, B. L. VanMil, R. L. Myers-Ward, and F. J. Kub, Appl. Phys. Lett. 97, 193510 (2010). 10.1063/1.3515858
14. T. J. Anderson, K. D. Hobart, L. O. Nyakiti, V. D. Wheeler, R. L. Myers-Ward, J. D. Caldwell, F. J. Bezares, D. K. Gaskill, C. R. Eddy, Jr., F. J. Kub, G. G. Jernigan, M. J. Tadjer, and E. A. Imhoff, Investigation of the epitaxial graphene/p-SiC heterojunction. (unpublished).
15. R. L. Myers-Ward, B. L. VanMil, R. E. Stahlbush, S. L. Katz, J. M. McCrate, S. A. Kitt, C. R. Eddy, Jr., and D. K. Gaskill, Mater. Sci. Forum 615-617, 105 (2009). 10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.105
16. G. Giovannetti, P. A. Khomyakov, G. Brocks, V. M. Karpan, J. van den Brink, and P. J. Kelly, Phys. Rev. Lett. 101, 026803 (2008). 10.1103/PhysRevLett.101.026803
17. J. Röhrl, M. Hundhausen, K. V. Emtsev, Th. Seyller, R. Graupner, and L. Ley, Appl. Phys. Lett. 92, 201918 (2008). 10.1063/1.2929746
18. C. Dimitrakopoulos, Y.-M. Lin, A. Grill, D. B. Farmer, M. Freitag, Y. Sun, S.-J. Han, Z. Chen, K. A. Jenkins, Y. Zhu, Z. Liu, T. J. McArdle, J. A. Ott, R. Wisnieff, and P. Avouris, J. Vac. Sci. Technol. B 28 (5), 985 (2010). 10.1116/1.3480961
19. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981), p. 285.
20. A. N. Saxena, Surf. Sci. 13, 151-171 (1969). 10.1016/0039-6028(69)90245-3
21. F. A. Padovani and R. Stratton, Solid-State Electron. 9, 695 (1966). 10.1016/0038-1101(66)90097-9
22. R. T. Tung, Phys. Rev. B 45 (23), 45 (1992). 10.1103/PhysRevB.45.13509
23. J. Li, J. Chen, B. Shen, X. Yan, and Q. Xue, Appl. Phys. Lett. 99, 163103 (2011). 10.1063/1.3651323
24. F. Roccaforte, F. La Via, V. Raineri, R. Pierobon, and E. Zanoni, J. Appl. Phys. 93, 9137 (2003). 10.1063/1.1573750
25. C. Godet, J. Non-Cryst. Solids 299-302, 333-338 (2002). 10.1016/S0022-3093(01)01008-0