Evidence for dislocation induced spontaneous formation of gan nanowalls and nanocolumns on bare C-plane sapphire

Crystal Growth and Design

Volumn 11, Issue 11, 2011, Pages 4900-4903

  Kesaria, Manoj ^a   Shetty, Satish ^a   Shivaprasad, S M ^a  

^a JAWAHARLAL NEHRU CENTRE FOR ADVANCED SCIENTIFIC RESEARCH   (India)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ADATOM DIFFUSION; C-PLANE SAPPHIRE; EDGE AND SCREW DISLOCATIONS; GAN THIN FILMS; HEXAGONAL NETWORKS; HIGH DENSITY; HIGH-NITROGEN; KINETIC CONTROL; NANO-COLUMNS; NANOWALLS; REDUCING PROCESS; RICH CONDITIONS; SPONTANEOUS FORMATION; SPONTANEOUS GROWTH; STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES; SURFACE PRETREATMENT; WURTZITE GAN;

EDGE DISLOCATIONS; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM NITRIDE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; OPTICAL PROPERTIES; SAPPHIRE; ZINC SULFIDE;

SCREW DISLOCATIONS;

EID: 82955245470     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg200749w     Document Type: Article

References (24)

1. Kim, H. M.; Cho, Y. H.; Lee, H.; Kim, S. I.; Ryu, S. R.; Kim, D. Y.; Kang, T. W.; Chung, K. S. Nano Lett. 2004, 4, 1059-1064.
2. Colby, R.; Liang, Z.; Wildeson, I. H.; Ewoldt, D. A.; Sands, T. D.; Garcia, R. E.; Stach, E. A. Nano Lett. 2010, 10, 1568-1573.
3. Nam, H. O.; Bremser, M. D.; Zheleva, T. S.; Davis, R. F. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 2638-2640.
4. Kim, I. H.; Sone, C.; Nam, O. H.; Park, Y. J.; Kim, T. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 4109-4111.
5. Tsai, J. K.; Lo, I.; Chuang, K. L.; Tu, L. W.; Huang, J. H.; Hsieh, C. H.; Hsieh, K. Y. J. Appl. Phys. 2004, 95, 460-465.
6. Narayan, J.; Larson, B. C. J. Appl. Phys. 2003, 93, 278-285.
7. Kumar, P.; Kuyyalil, J.; Shivaprasad, S. M. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 221913-221915.
8. Xu, S.; Xu, C.; Liu, Y.; Hu, Y.; Yang, R.; Yang, Q.; Ryou, J. H.; Kim, H. J.; Lochner, Z.; Choi, S.; Dupuis, R.; Wang, Z. L. Adv. Mater. 2010, 22, 4749-4753.
9. Deb, P.; Kim, H.; Rawat, V.; Oliver, M.; Kim, S.; Marshall, M.; Stach, E.; Sands, T. Nano Lett. 2005, 5, 1847-1851.
10. Wagner, R. S.; Ellis, W. C. Appl. Phys. Lett. 1964, 4, 89-90.
11. Cui, Y.; Lieber, C. M. Science 2001, 291, 851-853.
12. Qian, F.; Gradecak, S.; Li, Y.; Wen, C. Y.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2005, 5, 2287-2291.
13. Cheze, C.; Geelhaar, L.; Brandt, O.; Weber, W.; Riechert, H.; Munch, S.; Rothemund, R.; Reitzenstein, S.; Forchel, A.; Kehagias, T.; Komninou, P.; Dimitrakopulos, G.; Karakostas, T. Nano Res. 2010, 3, 528-536.
14. Debnath, R. K.; Meijers, R.; Richter, T.; Stoica, T.; Calarco, R.; Luth, H. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 123117-123119.
15. Lefebvre, P.; Fernandez-Garrido, S.; Grandal, J.; Ristic, J.; Sanchez-Garcia, M. A.; Calleja, E. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 083104-083107.
16. Cherns, D.; Meshi, L.; Griffiths, I.; Khongphetsak, S.; Novikov, S. V.; Farley, N.; Campion, R. P.; Foxon, C. T. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 121902-121904.
17. Geelhaar, L.; Cheze, C.; Weber, W. M.; Averbeck, R.; Riechert, H.; Kehagias, T.; Komninou, P.; Dimitrakopulos, G. P.; Karakostas, T. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 093113-093115.
18. Morin, S. A.; Bierman, M. J.; Tong, J.; Jin, S. Science 2010, 328, 476-480.
19. Burton, W. K.; Cabrera, N.; Frank, N. C. Nature (London) 1949, 163, 398-401.
20. Chen, H. Y.; Lin, H. W.; Shen, C. H.; Gwo, S. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 243105-243107.
21. Averett, K. L.; Nostrand, J. E. V.; Albrecht, J. D.; Chen, Y. S.; Yang, C. C. J. Vac. Sci. Technol., B 2007, 25, 964-968.
22. Robins, L. H.; Bertness, K. A.; Barker, J. M.; Sanford, N. A.; Schlager, J. B. J. Appl. Phys. 2007, 101, 113506-113508.
23. Reshchikov, M. A.; Morkoc, H. J. Appl. Phys. 2005, 97, 061301-061395.
24. Bertness, K. A.; Roshko, A.; Mansfield, L. M.; Harvey, T. E.; Sanford, N. A. J. Cryt. Growth 2008, 310, 3154-3158.