N-type conductivity of nanostructured thin film composed of antimony-doped Si nanocrystals in silicon nitride matrix

EPL

Volumn 96, Issue 1, 2011, Pages

  So, Y H ^a   Huang, S ^a   Conibeer, G ^a   Green, M A ^a  

^a UNIVERSITY OF NEW SOUTH WALES   (Australia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 80053291925     PISSN: 02955075     EISSN: 12864854     Source Type: Journal    
DOI: 10.1209/0295-5075/96/17011     Document Type: Article

References (28)

1. Pavesi L., Dal Negro L., Mazzoleni C., Franzo G. and Priolo F. 2000 Nature 408 440
2. Tiwari S., Rana F., Hanafi H., Hartstein A., Crabbé E. F. and Chan K. 1996 Appl. Phys. Lett. 68 1377
3. Cho E.-C., Park S., Hao X., Song D., Conibeer G., Park S.-C. and Green M. A. 2008 Nanotechnology 19 245201
4. Norris D. J., Yao N., Charnock F. T. and Kennedy T. A. 2001 Nano Lett. 1 3
5. Erwin S. C., Zu L., Haftel M. I., Efros A. L., Kennedy T. A. and Norris D. J. 2005 Nature 436 91
6. Orlinskii S. B., Schmidt J., Baranov P. G., Hofmann D. M., De Mello Doneg C. and Meijerink A. 2004 Phys. Rev. Lett. 92 047603
7. Dalpian G. M. and Chelikowsky J. R. 2006 Phys. Rev. Lett. 96 226802
8. Cantele G., Degoli E., Luppi E., Magri R., Ninno D., Iadonisi G. and Ossicini S. 2005 Phys. Rev. B 72 113303
9. Fujii M., Yamaguchi Y., Takase Y., Ninomiya K. and Hayashi S. 2005 Appl. Phys. Lett. 87 211919
10. Fujii M., Mimura A., Hayashi S., Yamamoto Y. and Murakami K. 2002 Phys. Rev. Lett. 89 206805
11. Mimura A., Fujji M., Hayashi S., Kovalev D. and Koch F. 2000 Phys. Rev. B 62 12625
12. Dal Negro L., Li R., Warga J. and Basu S. N. 2008 Appl. Phys. Lett. 92 181105
13. Stegner A. R., Pereira R. N., Klein K., Lechner R., Dietmueller R., Brandt M. S., Stuzmann M. and Wiggers H. 2008 Phys. Rev. Lett. 100 026803
14. Lechner R., Stegner A. R., Pereira R. N., Dietmueller R., Brandt M. S., Ebbers A., Trocha M., Wiggers H. and Stutzmann M. 2008 J. Appl. Phys. 104 053701
15. Gong S. F., Hentzell H. T. G., Robertsson A. E., Hultman L. and Hörnström S.-E. 1987 J. Appl. Phys. 62 3726
16. Takamura Y., Vailionis A., Marshall A. F., Griffin P. B. and Plummer J. D. 2002 J. Appl. Phys. 92 5503
17. Scardera G., Puzzer T., Conibeer G. and Green M. A. 2008 J. Appl. Phys. 104 104310
18. Thornton J. M. C., Cole R. J., Gravesteijn D. J. and Weightman P. 1996 Phys. Rev. B 54 7972
19. Reeves G. K. and Harrison H. B. 1982 Electron. Lett. 18 1083
20. Muller R. S., Kamins T. I. and Chan M. 1986 Device Electronics for Integrated Circuits (New York: Wiley)
21. imanek E. 1981 Solid State Commun. 40 1021
22. Efros A. L. and Shklovskii B. I. 1975 J. Phys. C 8 L49
23. Rafiq M. A., Tsuchiya Y., Mizuta H., Oda S., Uno S., Durrani Z. A. K. and Milne W. I. 2006 J. Appl. Phys. 100 014303
24. Hartenstein B., Bassler H., Jakobs A. and Kehr K. W. 1996 Phys. Rev. B 54 8574
25. Beloborodov I. S., Glatz A. and Vinokur V. M. 2007 Phys. Rev. B 75 052302
26. Sheng P. and Abeles B. 1972 Phys. Rev. Lett. 28 34
27. Conibeer G., Green M., Cho E.-C., Konig D., Cho Y.-H., Fangsuwannarak T., Scardera G., Pink E., Huang Y., Puzzer T., Huang S., Song D., Flynn C., Park S., Hao X. and Mansfield D. 2008 Thin Solid Films 516 6784
28. Yu D., Wang C., Wehrenberg B. L. and Guyot-Sionnest P. 2004 Phys. Rev. Lett. 92 216802