Vanadium dioxide as a memory material

ECS Transactions

Volumn 35, Issue 2, 2011, Pages 233-243

  Radu, I P ^a,b   Martens, K ^a   Mertens, S ^a   Adelmann, C ^a   Shi, X ^a   Tielens, H ^a   Schaekers, M ^a   Pourtois, G ^a,c   Van Elshocht, S ^a   De Gendt, S ^a,b   Heyns, M ^a,b   Kittl, J A ^a  

^a IMEC   (Belgium)

^b UNIVERSITY OF LEUVEN   (Belgium)

^c UNIVERSITY OF ANTWERP   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

METAL INSULATOR TRANSITION; RANDOM ACCESS STORAGE;

LOW-PRESSURE OXIDATION; MEMORY APPLICATIONS; MEMORY MATERIALS; METAL-DOPING; METAL-TO-INSULATOR TRANSITIONS; NON-VOLATILE MEMORY; ORDERS OF MAGNITUDE;

VANADIUM DIOXIDE;

EID: 79960806661     PISSN: 19385862     EISSN: 19386737     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1149/1.3568865     Document Type: Conference Paper

References (24)

1. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, and K. Szot, Adv. Mat. 21, 2632 (2009).
2. B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, C. Rohde, S. Choi, J. H. Oh, H. J. Kim, C. S. Hwang, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg, and S. Tiedke, J. Appl. Phys. 98, 033715 (2005).
3. S. Q. Liu, N. J. Wu, and A. Ignatiev, Appl. Phys. Lett. 76, 2749 (2000).
4. N. F. Mott, Rev. Mod. Phys. 40, 677 (1968).
5. H. A. Wriedt, J. Phase Equil. 10, 1054 (1989).
6. F. J. Morin, Phys. Rev. Lett. 3, 34 (1959).
7. H. T. Kim, B. G. Chae, D. H. Youn, S. L. Maeng, G. Kim, K. Y. Kang, and Y. S Lim, New J. Phys. 6, 52 (2004).
8. J. H. Claassen, J. W. Lu, K. G. West, and S. A. Wolf, Appl. Phys. Lett. 96, 132102 (2010).
9. P. Baum, D.-S. Yang, and A. H. Zewail, Science, 318, 788 (2007).
10. R. M. Wentzcovitch, W. W. Schultz, and P. B. Allen, Phys. Rev. Lett. 72, 3389 (1994).
11. B. J. Kim, Y. W. Lee, S. Choi, J. W. Lim, , S. J. Yun, and H. T. Kim. Phys. Rev. B. 77, 235401 (2008).
12. P. Jin, K. Yoshimura, and S. Tanemura, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1113 (1997).
13. D. Ruzmetov, K. T. Zawilski, V. Narayanamurti, and S. Ramanathan, J. Appl. Phys. 102, 113715 (2007).
14. F. C. Case, J. Vac. Sci. Technol. A 2, 1509 (1984).
15. D. H. Kim and H. S. Kwok, Appl. Phys. Lett. 65, 3188 (1994).
16. H. S. Choi, J. S. Ahn, J. H. Jung, and T. W. Noh, Phys. Rev. B 54, 4621 (1996).
17. M. Soltani, M. Chaker, E. Haddad, R. V. Kruzelecky, and D. Nikanpour, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 859 (2004).
18. K. G. West, J. W. Lu, J. Yu, D. Kirkwood, W. Chen, Y. H. Pei, J. Claassen, and S. A. Wolf, J. Vac. Sci. Technol. A 26, 133 (2008).
19. F. Beteille et J. Livage, J. Sol-Gel Sci. Tech. 13, 915 (1998).
20. P. Dagur, A. U. Mane, and S. A. Shivashankar, J. Cryst. Growth 275, e1223 (2005).
21. M. B. Sahana, G. N. Subbanna, and S. A. Shivashankar, J. Appl. Phys. 92, 6495 (2002).
22. I. P. Parkin and T. D. Manning, J. Chem. Edu. 83, 393 (2006).
23. B. G. Chae et al. Elec. Sol. State Lett. 11, D53 (2008).
24. Y. B. Kim, C. F. Hempstead, and A. R. Strnad, Phys. Rev. Lett. 9, 306 (1962).