Growth and structural characterization of ferromagnetic Cr-doped GaN nanowires

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 208, Issue 3, 2011, Pages 691-694

  Chun, Junghwan ^a   Kim, Dongeon ^a  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

Author keywords

chemical vapor deposition; dilute magnetic semiconductors; ferromagnetism; GaN; nanowires

Indexed keywords

CR-DOPED GAN; CR-DOPING; DILUTE MAGNETIC SEMICONDUCTORS; GAN; GAN NANOWIRES; MN-DOPED GAN; ROOM TEMPERATURE; SINGLE-CRYSTALLINE; STRUCTURAL CHARACTERIZATION; STRUCTURAL STUDIES;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CRYSTALLINE MATERIALS; FERROMAGNETIC MATERIALS; FERROMAGNETISM; GALLIUM NITRIDE; MAGNETIC SEMICONDUCTORS; MANGANESE; NANOWIRES; SEMICONDUCTING ANTIMONY; SEMICONDUCTOR DOPING; SEMICONDUCTOR GROWTH;

CHROMIUM;

EID: 79952528331     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.201026573     Document Type: Article

References (21)

1. H. Ohno, Science 281, 951 (1998).
2. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and, D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
3. G. T. Thaler, M. E. Overberg, B. Gila, R. Frazier, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. S. Lee, S. Y. Lee, Y. D. Park, Z. G. Khim, J. Kim, and, F. Ren, Appl. Phys. Lett. 80, 3964 (2002).
4. M. L. Reed, N. A. El-Masry, H. H. Stadelmaier, M. K. Ritums, M. J. Reed, C. A. Parker, J. C. Roberts, and, S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 79, 3473 (2001).
5. P. V. Radovanovic, C. J. Barrelet, S. Gradečak, F. Qian, and, C. M. Lieber, Nano Lett. 5, 1407 (2005).
6. H. J. Choi, H. K. Seong, J. Y. Chang, K. I. Lee, Y. J. Park, J. J. Kim, S. K. Lee, R. He, T. Kuykendall, and, P. Yang, Adv. Mater. 17, 1351 (2005).
7. C. K. Xu, J. H. Chun, K. H. Rho, D. E. Kim, B. J. Kim, S. K. Yoon, S. E. Han, and, J. J. Kim, J. Appl. Phys. 99, 064312 (2006).
8. C. K. Xu, J. H. Chun, H. J. Lee, Y. H. Jeong, S. E. Han, J. J. Kim, and, D. E. Kim, J. Phys. Chem. C 111, 1180 (2007).
9. J. S. Lee, J. D. Lim, Z. G. Khim, Y. D. Park, S. J. Pearton, and, S. N. G. Chu, J. Appl. Phys. 93, 4512 (2003).
10. S. Shanthi, M. Hashimoto, Y. K. Zhou, S. Kimura, M. S. Kim, S. Emura, N. Hasuike, H. Harima, S. Hasegawa, M. Ishimaru, Y. Hirotsu, and, H. Asahi, J. Appl. Phys. 98, 013526 (2005).
11. S. E. Park, H. J. Lee, Y. C. Cho, S. Y. Jeong, C. R. Cho, and, S. L. Cho, Appl. Phys. Lett. 80, 4187 (2002).
12. H. X. Liu, S. Y. Wu, R. K. Singh, L. Gu, D. J. Smith, N. Newman, N. R. Dilley, L. Montes, and, M. B. Simmonds, Appl. Phys. Lett. 85, 4076 (2004).
13. G. P. Das, B. K. Rao, and, P. Jena, Phys. Rev. B 69, 214422 (2004).
14. M. Hashimoto, H. Tanaka, R. Asano, S. Hasegawa, and, H. Asahi, Appl. Phys. Lett. 84, 4191 (2004).
15. Q. Wang, Q. Sun, and, P. Jena, Nano Lett. 5, 1587 (2005).
16. K. G. Stamplecoskie, L. Ju, S. S. Farvid, and, P. V. Radovanovic, Nano Lett. 8, 2674 (2008).
17. H. Tambo, S. Kimura, Y. Yamauchi, Y. Hiromura, Y. K. Zhou, S. Emura, S. Hasegawa, and, H. Asahi, J. Cryst. Growth 311, 2962 (2009).
18. F. Shahedipour, and, B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 76, 3011 (2000).
19. A. K. Viswanath, E. J. Shin, J. I. Lee, S. K. Yu, D. H. Kim, B. Y. Kim, Y. H. Choi, and, C. H. Hong, J. Appl. Phys. 83, 2272 (1998).
20. L. Dai, S. F. Liu, L. P. You, J. C. Zhang, and, G. G. Qin, J. Phys. 17, L445 (2005).
21. S. Dhar, T. Kammermeier, A. Ney, L. Pérez, K. H. Ploog, A. Melnikov, and, A. D. Wieck, Appl. Phys. Lett. 89, 062503 (2006).