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Volumn 518, Issue 16, 2010, Pages 4680-4683

Electrical characterisation of HfYO MIM-structures deposited by ALD

Author keywords

ALD; Doping; HfO2; High k; MIM; Y2O3; Yttrium

Indexed keywords

ALD; DOPING; HFO2; HIGH K; MIM; Y2O3;

EID: 77955635444     PISSN: 00406090     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.tsf.2009.12.058     Document Type: Conference Paper
Times cited : (13)

References (10)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.