Improved efficiency of 255-280 nm AlGaN-based light-emitting diodes

Applied Physics Express

Volumn 3, Issue 6, 2010, Pages

  Pernot, Cyril ^a   Kim, Myunghee ^a   Fukahori, Shinya ^a   Inazu, Tetsuhiko ^a   Fujita, Takehiko ^a   Nagasawa, Yosuke ^a   Hirano, Akira ^a   Ippommatsu, Masamichi ^a   Iwaya, Motoaki ^a   Kamiyama, Satoshi ^a,b   Akasaki, Isamu ^a   Amano, Hiroshi ^b  

^a MEIJO UNIVERSITY   (Japan)

^b NAGOYA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVE REGIONS; AL COMPOSITION; ALGAN; CW OPERATION; DEEP-ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING DIODES; EMISSION WAVELENGTH; EXTERNAL QUANTUM EFFICIENCY; FLIP CHIP; LIGHT EXTRACTION; MOTH-EYE STRUCTURE; ON-WAFER; OUTPUT POWER; SAPPHIRE SUBSTRATES;

LIGHT EMISSION; ULTRAVIOLET RADIATION;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 77953524454     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.3.061004     Document Type: Article

References (14)

1. M. A. Khan, M. Shatalov, H. P. Maruska, H. M. Wang, and E. Kuokstis: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 7191.
2. H. Hirayama: J. Appl. Phys. 97 (2005) 091101.
3. H. Tsuzuki, F. Mori, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Yoshida, M. Kuwabara, Y. Yamashita, and H. Kan: J. Cryst. Growth 311 (2009) 2860.
4. X. Hu, J. Deng, J. P. Zhang, A. Lunev, Y. Bilenko, T. Katona, M. S. Shur, R. Gaska, M. Shatalov, and A. Khan: Phys. Status Solidi A 203 (2006) 1815.
5. A. Fujioka, T. Misaki, T. Murayama, Y. Narukawa, and T. Mukai: Appl. Phys. Express 3 (2010) 041001.
6. A. A. Allerman, M. H. Crawford, A. J. Fischer, K. H. A. Bogart, S. R. Lee, D. M. Follsteadt, P. P. Provencio, and D. D. Koleske: J. Cryst. Growth 272 (2004) 227.
7. W. Sun, M. Shatalov, J. Deng, X. Hu, J. Yang, A. Lunev, Y. Bilenko, M. Shur, and R. Gaska: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 061102.
8. H. Hirayama, Y. Tsukada, T. Maeda, and N. Kamata: Appl. Phys. Express 3 (2010) 031002.
9. K. Mayes, A. Yasan, R. McClintock, D. Shiell, S. R. Darvish, P. Kung, and M. Razeghi: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 1046.
10. Y. Sakai, Y. Zhu, S. Sumiya, M. Miyoshi, M. Tanaka, and T. Egawa: Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 022102.
11. M. Khizar, Z. Y. Fan, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jianga: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 173504.
12. H. Kasugai, Y. Miyake, A. Honshio, S. Mishima, T. Kawashima, K. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita, and H. Shiomi: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 7414.
13. T. Seko, S. Mabuchi, F. Teramae, A. Suzuki, Y. Kaneko, R. Kawai, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki: Proc. SPIE 7216 (2009) 721628.
14. R. Kawai, T. Kondo, A. Suzuki, F. Teramae, T. Kitano, K. Tamura, M. Iwaya, H. Amano, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Chen, A. Li, and K. Su: Abstr. Int. Conf. Nitride Semiconductors, 2009, p. 1279.