CoFeB inserted perpendicular magnetic tunnel junctions with CoFe/Pd multilayers for high tunnel magnetoresistance ratio

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 49, Issue 4 PART 2, 2010, Pages

  Mizunuma, Kotaro ^a   Ikeda, Shoji ^a   Yamamoto, Hiroyuki ^a,b   Gan, Hua Dong ^a   Miura, Katsuya ^a,b   Hasegawa, Haruhiro ^a   Hayakawa, Jun ^b   Ito, Kenchi ^b   Matsukura, Fumihiro ^a   Ohno, Hideo ^a  

^a TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

^b HITACHI LTD   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EFFECT OF CO; LAYER THICKNESS; MAGNETIC TUNNEL JUNCTION; MGO BARRIER; OPTIMAL ANNEALING; PD MULTILAYER; PERPENDICULAR ANISOTROPY; PERPENDICULAR MAGNETIC ANISOTROPY; SPUTTERING POWER; TUNNEL MAGNETORESISTANCE;

COBALT COMPOUNDS; ELECTRIC RESISTANCE; MAGNETIC ANISOTROPY; MAGNETIC DEVICES; MAGNETIC FIELD EFFECTS; MAGNETIC MULTILAYERS; MAGNETOELECTRONICS; MAGNETORESISTANCE; PALLADIUM;

TUNNEL JUNCTIONS;

EID: 77952720293     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.49.04DM04     Document Type: Article

References (25)

1. M. Hosomi, H. Yamagishi, T. Yamamoto, K. Bessho, Y. Higo, K. Yamane, H. Yamada, M. Shoji, H. Hachino, C. Fukumoto, H. Nagao, and H. Kano: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 459.
2. T. Kawahara, R. Takamura, K. Miura, J. Hayakawa, S. Ikeda, Y. M. Lee, R. Sasaki, Y. Goto, K. Ito, T. Meguro, F. Matsukura, H. Takahashi, H. Matsuoka, and H. Ohno: IEEE ISSCC Dig. Tech. Pap., 2007, p. 480.
3. T. Kawahara, R. Takamura, K. Miura, J. Hayakawa, S. Ikeda, Y. M. Lee, R. Sasaki, Y. Goto, K. Ito, T. Meguro, F. Matsukura, H. Takahashi, H. Matsuoka, and H. Ohno: IEEE J. Solid-State Circuits 43 (2008) 109.
4. R. Takemura, T. Kawahara, K. Miura, H. Yamamoto, J. Hayakawa, N. Matsuzaki, K. Ono, M. Yamanouchi, K. Ito, H. Takahashi, S. Ikeda, H. Hasegawa, H. Matsuoka, and H. Ohno: presented at Symp. VLSI Circuits, 2009, Session 8-14
5. A. Mochizuki, H. Kimura, M. Ibuki, and T. Hanyu: IEICE Trans. Fundam. E88-A (2005) 1408.
6. S. Ikeda, J. Hayakawa, Y. M. Lee, F. Matsukura, Y. Ohno, T. Hanyu, and H. Ohno: IEEE Trans. Electron Devices 54 (2007) 991.
7. S. Matsunaga, J. Hayakawa, S. Ikeda, K. Miura, H. Hasegawa, T. Endoh, H. Ohno, and T. Hanyu: Appl. Phys. Express 1 (2008) 091301.
8. S. Matsunaga, K. Hiyama, A. Matsumoto, S. Ikeda, H. Hasegawa, K. Miura, J. Hayakawa, T. Endoh, H. Ohno, and T. Hanyu: Appl. Phys. Express 2 (2009) 023004.
9. S. Mangin, D. Ravelosona, J. A. Katine, M. J. Carey, B. D. Terris, and E. E. Fullerton: Nat. Mater. 5 (2006) 210.
10. H. Meng and J. P. Wang: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 172506.
11. R. Law, R. Sbiaa, T. Liew, and T. C. Chong: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 242504.
12. T. Kishi, H. Yoda, T. Kai, T. Nagase, E. Kitagawa, M. Yoshikawa, K. Nishiyama, T. Daibou, M. Nagamine, M. Amano, S. Takahashi, M. Nakayama, N. Shimomura, H. Aikawa, S. Ikegawa, S. Yuasa, K. Yakushiji, H. Kubota, A. Fukushima, M. Oogane, T. Miyazaki, and K. Ando: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 309.
13. Z. Diao, D. Apalkov, M. Pakala, Y. Ding, A. Panchula, and Y. Huai: Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 232502.
14. S. Ikeda, J. Hayakawa, Y. Ashizawa, Y. M. Lee, K. Miura, H. Hasegawa, M. Tsunoda, F. Matsukura, and H. Ohno: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 082508.
15. N. Nishimura, T. Hirai, A. Koganei, T. Ikeda, K. Okano, Y. Sekiguchi, and Y. Osada: J. Appl. Phys. 91 (2002) 5246.
16. M. Nakayama, T. Kai, N. Shimomura, M. Amano, E. Kitagawa, T. Nagase, M. Yoshikawa, T. Kishi, S. Ikegawa, and H. Yoda: J. Appl. Phys. 103 (2008) 07A710.
17. H. Ohmori, T. Hatori, and S. Nakagawa: J. Appl. Phys. 103 (2008) 07A911.
18. S. Mitani, K. Tsukamoto, T. Seki, T. Shima, and K. Takanashi: IEEE Trans. Magn. 41 (2005) 2606.
19. M. Yoshikawa, E. Kitagawa, T. Nagase, T. Daibou, M. Nagamine, K. Nishiyama, T. Kishi, and H. Yoda: IEEE Trans. Magn. 44 (2008) 2573.
20. M. T. Johnson, P. J. H. Bloemen, F. J. A. den Broeder, and J. J. de Vries: Rep. Prog. Phys. 59 (1996) 1409.
21. J. H. Park, C. Park, T. Jeong, M. T. Moneck, N. T. Nufer, and J. G. Zhu: J. Appl. Phys. 103 (2008) 07A917.
22. D. Lim, K. Kim, S. Kim, and W. Y. Jeung: IEEE Trans. Magn. 45 (2009) 2407.
23. Y. S. Kim and S. C. Shin: J. Appl. Phys. 76 (1994) 6087.
24. J. H. Park, S. Ikeda, H. Yamamoto, H. Gan, K. Mizunuma, K. Miura, H. Hasegawa, J. Hayakawa, K. Ito, F. Matsukura, and H. Ohno: IEEE Trans. Magn. 45 (2009) 3476.
25. K. Mizunuma, S. Ikeda, J. H. Park, H. Yamamoto, H. Gan, K. Miura, H. Hasegawa, J. Hayakawa, F. Matsukura, and H. Ohno: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 232516.