Sub-30-nm complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with Pt-incorporated fully Ni-silicide/SiON gate stack

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 49, Issue 4 PART 2, 2010, Pages

  Fukutome, Hidenobu ^a   Okubo, Kazuya ^a   Akiyama, Sinichi ^a   Idani, Naoki ^a   Ohta, Hiroyuki ^a   Kawamura, Kazuo ^a   Momiyama, Yoichi ^a   Satoh, Shigeo ^a  

^a FUJITSU LABORATORIES LTD   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHANNEL STRAIN; COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTORS; DRIVE CURRENTS; GATE DIELECTRIC THICKNESS; GATE LENGTH; GATE STACKS; HIGH DRIVE CURRENT; INTRINSIC DELAY; METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS; MOSFETS; NI-SILICIDE; OFF-LEAKAGE CURRENT; PLANAR TRANSISTORS;

DIELECTRIC DEVICES; DIELECTRIC MATERIALS; GATE DIELECTRICS; GATES (TRANSISTOR); LOGIC GATES; MOSFET DEVICES; PLATINUM; SILICIDES;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 77952707279     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.49.04DC16     Document Type: Article

References (20)

1. K. Mistry, C. Allen, C. Auth, B. Beattie, D. Bergstrom, M. Bost, M. Brazier, M. Buehler, A. Cappellani, R. Chau, C.-H. Choi, G. Ding, K. Fischer, T. Ghani, R. Grover, W. Han, D. Hanken, M. Hattendorf, J. He, J. Hicks, R. Huessner, D. Ingerly, P. Jain, R. James, L. Jong, S. Joshi, C. Kenyon, K. Kuhn, K. Lee, H. Liu, J. Maiz, B. McIntyre, P. Moon, J. Neirynck, S. Pae, C. Parker, D. Parsons, C. Prasad, L. Pipes, M. Prince, P. Ranade, T. Reynolds, J. Sandford, L. Shifren, J. Sebastian, J. Seiple, D. Simon, S. Sivakumar, P. Smith, C. Thomas, T. Troeger, P. Vandervoorn, S. Williams, and K. Zawadzki: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 247.
2. E. P. Gusev, D. A. Buchanan, and E. Cartier: IEDM Tech. Dig., 2001, p. 451.
3. E. P. Gusev, C. Cabral, Jr., B. P. Linder, Y. H. Kim, K. Maitra, E. Cartier, H. Nayfeh, R. Amos, G. Biery, N. Bojarczuk, A. Callegari, R. Carruthers, S. A. Cohen, M. Copel, S. Fang, M. Frank, S. Guha, M. Gribelyuk, P. Jamison, R. Jammy, M. Ieong, J. Kedzierski, P. Kozlowski, V. Ku, D. Lacey, D. La Tulipe, V. Narayanan, H. Ng, P. Nguyen, J. Newbury, V. Paruchuri, R. Rengarajan, G. Shahidi, A. Steegen, M. Steen, S. Zafar, and Y. Zhang: IEDM Tech. Dig., 2004, p. 79.
4. H. Ota, A. Hirano, Y. Watanabe, N. Yasuda, K. Iwamoto, K. Akiyama, K. Okada, S. Migita, T. Nabatame, and A. Toriumi: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 65.
5. B. Tavel, T. Skotnicki, G. Pares, N. Carrière, M. Rivoire, F. Leverd, C. Julien, J. Torres, and R. Pantel: IEDM Tech. Dig., 2001, p. 825.
6. J. Kedzierski, E. Nowak, T. Kanarsky, Y. Zhang, D. Boyd, R. Carruthers, C. Cabral, R. Amos, C. Lavoie, R. Roy, J. Newbury, E. Sullivan, J. Benedict, P. Saunders, K. Wong, D. Canaperi, M. Krishnan, K.-L. Lee, B. A. Rainey, D. Fried, P. Cottrell, H.-S. P. Wong, M. Ieong, and W. Haensch: IEDM Tech. Dig., 2002, p. 247.
7. W. P. Maszara, Z. Krivokapic, P. King, J.-S. Goo, and M.-R. Lin: IEDM Tech. Dig., 2001, p. 367.
8. K. Takahashi, K. Manabe, T. Ikarashi, N. Ikarashi, T. Hase, T. Yoshihara, H. Watanabe, T. Tatsumi, and Y. Mochizuki: IEDM Tech. Dig., 2004, p. 91.
9. K. Hosaka, T. Kurahashi, K. Kawamura, T. Aoyama, Y. Mishima, K. Suzuki, and S. Sato: VLSI Symp. Tech. Dig., 2005, p. 66.
10. J. A. Kittl, A. Veloso, A. Lauwers, K. G. Anil, C. Demeurisse, S. Kubicek, M. Niwa, M. J. H. van Dal, O. Richard, M. A. Pawlak, M. Jurczak, C. Vrancken, T. Chiarella, S. Brus, K. Maex, and S. Biesemans: VLSI Symp. Tech. Dig., 2005, p. 72.
11. P. Ranade, T. Ghani, K. Kuhn, K. Mistry, S. Pae, L. Shifren, M. Stettler, K. Tone, S. Tyagi, and M. Bohr: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 227.
12. T. Hoffmann, A. Veloso, A. Lauwers, H. Yu, H. Tigelaar, M. Van Dal, T. Chiarella, C. Kerner, T. Kauerauf, A. Shickova, R. Mitsuhashi, I. Satoru, M. Niwa, A. Rothschild, B. Froment, J. Ramos, A. Nackaerts, M. Rosemeulen, S. Brus, C. Vrancken, P. P. Absil, M. Jurczak, S. Biesemans, and J. A. Kittl: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 269.
13. K. Manabe, K. Masuzaki, T. Ogura, T. Nakagawa, M. Saitoh, H. Sunamura, T. Tatsumi, and H. Watanabe: VLSI Symp. Tech. Dig., 2008, p. 46.
14. H. Fukutome, K. Hosaka, K. Kawamura, H. Ohta, Y. Uchino, S. Akiyama, and T. Aoyama: IEEE Electron Device Lett. 29 (2008) 765.
15. H. Ohta, S. Akiyama, H. Fukutome, K. Ookubo, K. Kawamura, N. Idani, and S. Satoh: Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials, 2008, p. 848.
16. Y. Tsuchiya, M. Yoshiki, M. Sato, K. Sekine, T. Saito, K. Nakajima, T. Aoyama, J. Koga, A. Nishiyama, and M. Koyama: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 231.
17. T. Miyashita, T. Owada, A. Hatada, Y. Hayami, K. Ookoshi, T. Mori, H. Kurata, and T. Futatsugi: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 55.
18. T. Miyashita, K. Ikeda, Y. S. Kim, T. Yamamoto, Y. Sambonsugi, H. Ochimizu, T. Sakoda, M. Okuno, H. Minakata, H. Ohta, Y. Hayami, K. Ookoshi, Y. Shimamune, M. Fukuda, A. Hatada, K. Okabe, T. Kubo, M. Tajima, T. Yamamoto, E. Motoh, T. Owada, M. Nakamura, H. Kudo, T. Sawada, J. Nagayama, A. Satoh, T. Mori, A. Hasegawa, H. Kurata, K. Sukegawa, A. Tsukune, S. Yamaguchi, K. Ikeda, M. Kase, T. Futatsugi, S. Satoh, and T. Sugii: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 251.
19. H. Fukutome, K. Kawamura, H. Ohta, K. Hosaka, T. Sakoda, Y. Morisaki, and Y. Momiyama: VLSI Symp. Tech., 2008, p. 150.
20. X. Chen, S. Samavedam, V. Narayanan, K. Stein, C. Hobbs, C. Baiocco, W. Li, D. Jaeger, M. Zaleski, H. S. Yang, N. Kim, Y. Lee, D. Zhang, L. Kang, J. Chen, H. Zhuang, A. Sheikh, J. Wallner, M. Aquilino, J. Han, Z. Jin, J. Li, G. Massey, S. Kalpat, R. Jha, N. Moumen, R. Mo, S. Kirshnan, X. Wang, M. Chudzik, M. Chowdhury, D. Nair, C. Reddy, Y. W. Teh, C. Kothandaraman, D. Coolbaugh, S. Pandey, D. Tekleab, A. Thean, M. Sherony, C. Lage, J. Sudijono, R. Lindsay, J. H. Ku, M. Khare, and A. Steegen: VLSI Symp. Tech., 2008, p. 88.