Influence of substrate temperature on the properties of electron beam evaporated ZnSe films

Crystal Research and Technology

Volumn 45, Issue 4, 2010, Pages 421-426

  Syed Basheer Ahamed, M G ^a   Nagarethinam, V S ^b   Balu, A R ^b   Thayumanavan, A ^b   Murali, K R ^c,d   Sanjeeviraja, C ^e   Jayachandran, M ^c,d  

^a MIET Engineering College   (India)

^b A V V M SRI PUSHPAM COLLEGE   (India)

^c CENTRAL ELECTROCHEMICAL RESEARCH INSTITUTE   (India)

^d NATIONAL CHEMICAL LABORATORY   (India)

^e ALAGAPPA UNIVERSITY   (India)

Author keywords

II VI; Semiconductor; Thin films; ZnSe

Indexed keywords

BAND-GAP VALUES; CRYSTALLINITIES; CUBIC STRUCTURE; DEPOSITION TEMPERATURES; DIFFERENT SUBSTRATES; GLASS SUBSTRATES; GRAIN SIZE; II-VI SEMICONDUCTOR; LASER RAMAN SPECTRA; LO PHONONS; ROOM TEMPERATURE; SUBSTRATE TEMPERATURE; ZNSE FILMS;

ELECTRON BEAMS; PHONONS; RAMAN SPECTROSCOPY; REFRACTIVE INDEX; THIN FILMS;

SUBSTRATES;

EID: 77950816056     PISSN: 02321300     EISSN: 15214079     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/crat.200900614     Document Type: Article

References (30)

1. T. Shirakawa, Mater. Sci. Eng. B 91- 92, 470 (2002).
2. T. L. Chu and S. S. Chu, Prog. Photovolt. Res. Appl. 1, 31 (1993).
3. A. Nouhi and R. J. Stirn, Solar Cells 21, 225 (1987).
4. J. S. Song, J. H. Chang, D. C. Oh, J. J. Kim, M. W. Cho, and H. Makino, J Cryst. Growth 249, 128 (2003).
5. K. Morimoto, J. Appl. Phys. 66, 4206 (1989).
6. C. D. Lee, S. L. Min, and S. K. Chang, J. Cryst. Growth 159, 108 (1996).
7. G. Riveros, H. Gomez, R. Henriquez, R. Schrebler, R. E. Marotti, and E. A. Dalchiele, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 70, 255 (2001).
8. A. M. Chaparro, M. A. Martinez, C. Guillen, R. Bayon, M. T. Gutierrez, and J. Herrero, Thin Solid Films 361 - 362, 177 (2000).
9. R. Kumaresan, M. Ichimura, and E. Arai, Thin Solid Films 414, 25 (2002).
10. M. Bedir, M. Oztas, O. F. Bakkaloglu, and R. Ormanci, J. Eur. Phys. B 45, 465 (2005).
11. S. Venkatachalam, D. Mangalaraj, Sa. K. Narayandass, K. Kim, and J. Yi, Physica B 358, 27 (2005).
12. J. M. DePuydt, H. Cheng, J. E. Potts, T. L. Smith, and S. K. Mohapatra, J Appl. Phys. 62, 4756 (1987).
13. C. T. Hsu, Y. K. Su, T. S. Wu, and M. Yokoyama, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 161 (1994).
14. M. Singh and Y. K. Vijay, Appl. Surf. Sci. 239, 79 (2004).
15. M. Yokoyama , N. T. Chen, and H. Y. Ueng, J. Cryst. Growth 212, 97 (2000).
16. E. E. Khawaja, S. M. A. Durrani, A. B. Hallak, M. A. Salim, and M. S. Hussain, J. Phys. D 27, 1008 (1994).
17. S. Venkatachalam, D. Mangalaraj, Sa. Ka. Narayandass, K. Kim, and J. Yi, Vacuum 81, 928 (2007).
18. P. K. Kalita, B. K. Sarma, and H. L. Das, Bull. Mater. Sci. 23, 313 (2000).
19. M. Oztas, M. Bedir, O. F. Bakkaloglu, and R. Ormanci, Acta Phys. Pol. A 107, 525 (2005).
20. M. El. Sherrif, F. S. Terra, and S. A. Khodier, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 7, 391 (1996).
21. K. Reichelt and X. Jiang, Thin Solid Films 191, 150 (1995).
22. Y. P. Venakatasubbaiah, P. Pratap, M. Devika, and K. T. Ramakrishna Reddy, Physica B 165, 240 (2005).
23. A. Ashor, N. El- Kadry, M. R. Ebid, M. Farghal, and A. A. Ramadan, Thin Solid Films 279, 242 (1996).
24. R. B. Kale and C. D. Lokhande, Appl. Surf. Sci. 252, 929 (2005).
25. P. K. Kuiri, H. P. Lenka, J. Ghatak, G. Sahu, B. Joseph, and D. P. Mahapatra, J. Appl. Phys. 102, 024315 (2007).
26. H. Y. Joo and H. J. Kim, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 862 (1999).
27. E. Bacaksiz, S. Aksub, I. Polat , S. Y?lmaza, and M. Altunbas, J. Alloys Comp. 487, 280 (2009).
28. C. Mehta, G. S. S. Saini, J. M. Abbas, and S. K. Tripathi, Appl. Surf. Sci. 256, 608 (2009).
29. G. Lu, H. An, Y. Chen, J. Huang, H. Zhang, B. Ziang, Q. Zhao, D. Yu, and W. Du, J. Cryst. Growth 274, 530 (2005).
30. D. Sarigiannis, J. D. Pack, G. Kioseoglou, A. Petrou, and T. J. Mountziaris, Appl. Phys. Lett. 80, 4024 (2002).