Spectrophotometric analysis of aluminum nitride thin films

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 17, Issue 3, 1999, Pages 862-870

  Joo, Han Yong ^a   Kim, Hyeong Joon ^a   Kim, Sang June ^b   Kim, Sang Youl ^b  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b Ajou University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000368305     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.582035     Document Type: Article

References (74)

1. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
2. W. J. Meng, in Properties of Group III Nitrides, edited by J. H. Edgar (INSPEC Short Run Press Ltd., London, 1994), pp. 22-34.
3. S. Loughin and R. H. French, in Ref. 2, pp. 175-189.
4. R. F. Davis, Proc. IEEE 79, 702 (1991).
5. J. H. Edgar, J. Mater. Res. 7, 235 (1992).
6. X. Tang, Y. Yuan, K. Wongchotigul, and M. G. Spencer, Appl. Phys. Lett. 70, 3206 (1997).
7. C. K. Hwangbo, L. J. Lingg, J. P. Lehan, H. A. Macleod, and F. Suits, Appl. Opt. 28, 2779 (1989).
8. P. M. Lundquist, W. P. Lin, Z. Y. Xu, G. K. Wong, E. D. Rippert, J. A. Helfrich, and J. B. Ketterson, Appl. Phys. Lett. 65, 1085 (1994).
9. R. F. Rutz, Appl. Phys. Lett. 28, 379 (1976).
10. A. T. Sowers, J. A. Christman, M. D. Bremser, B. L. Ward, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, Appl. Phys. Lett. 71, 2289 (1998).
11. K. Tsubouchi and N. Mikoshiba, IEEE Trans. Sonics Ultrason. SU-32, 634 (1985).
12. T. Shiosaki, T. Yamamoto, T. Oda, and A. Kawabata, Appl. Phys. Lett. 36, 643 (1980).
13. H. Okano, N. Tanaka, Y. Takahashi, T. Tanaka, K. Shibata, and S. Nakano, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 2957 (1994).
14. C. Caliendo, G. Saggio, P. Veraradi, and E. Verona, 1993 IEEE Proceedings Ultrasonics Symposium (IEEE, New York, 1993), p. 249.
15. L. Zheng, S. Ramalingam, T. Shi, and R. L. Peterson, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 2437 (1993).
16. M. Akiyama, H. R. Kokabi, K. Nonaka, K. Shobu, and T. Watanabe, J. Am. Ceram. Soc. 78, 3304 (1995).
17. P. B. Legrand, J. P. Dauchot, and M. Hecq, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 945 (1992).
18. M. M. D. Ramos, J. B. Almeida, M. I. C. Ferriera, and M. P. Dos Santos, Thin Solid Films 176, 219 (1989).
19. E. A. Chowdhury et al., Appl. Phys. Lett. 70, 2732 (1997).
20. J. Bauer, L. Biste, and D. Bolze, Phys. Status Solidi A 39, 173 (1977).
21. S. A. Geidur and A. D. Yaskov, Opt. Spectrosc. (USSR) 48, 618 (1980).
22. H. Demiryont, L. R. Thompson, and G. J. Collins, Appl. Opt. 25, 1311 (1986).
23. Q. Guo, M. Nishio, H. Ogawa, and A. Yoshida, Phys. Rev. B 55, R15987 (1997).
24. D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, F. Freudenberg, R. Hopler, R. Dimitrov, O. Amvacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 82, 5090 (1997).
25. L. Roskovcova, J. Pastrnak, and R. Babuskova, Phys. Status Solidi 20, K29 (1967).
26. J. L. P. Hughes, Y. Wang, and J. E. Sipe, Phys. Rev. B 55, 13630 (1997).
27. I. H. Kim and S. H. Kim, Thin Solid Films 253, 47 (1994).
28. F. Hasegawa, T. Takahashi, K. Kubo, and Y. Nannichi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 26, 1555 (1987).
29. F. S. Ohuchi and R. H. French, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 1695 (1988).
30. X. S. Miao, Y. C. Chan, and Z. Y. Lee, J. Electron. Mater. 26, 21 (1997).
31. H. Birey, S.-J. Pak, J. R. Sites, and J. F. Wager, J. Vac. Sci. Technol. 16, 2086 (1979).
32. S. Y. Kim and K. Vedam, Thin Solid Films 166, 325 (1988).
33. S.-M. F. Nee, Appl. Opt. 27, 2819 (1988).
34. J. R. Blanco, P. J. McMarr, and K. Vedam, Appl. Opt. 24, 3773 (1985).
35. B. T. Sullivan, R. R. Parsons, K. L. Westra, and M. J. Brett, J. Appl. Phys. 64, 4144 (1988).
36. P. B. Perry and R. F. Rutz, Appl. Phys. Lett. 33, 319 (1978).
37. P. B. Legrand, M. Wautelet, B. Dugnoille, J. P. Dauchot, and M. Hecq, Thin Solid Films 248, 220 (1994).
38. W. M. Yim, E. J. Stofko, P. J. Zanzucchi, J. I. Pankove, M. Ettenberg, and S. L. Gilbert, J. Appl. Phys. 44, 292 (1973).
39. R. Y. Krupitskaya and G. W. Auner, J. Appl. Phys. 84, 2861 (1998).
40. R. H. French, J. Am. Ceram. Soc. 73, 477 (1990).
41. Q. Guo and A. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 2453 (1994).
42. R. D. Vispute, H. Wu, and J. Narayan, Appl. Phys. Lett. 67, 1549 (1995).
43. X. Li, T. L. Tansley, and V. W. L. Chin, Thin Solid Films 250, 263 (1994).
44. A. T. Collins, E. C. Lightowlers, and P. J. Dean, Phys. Rev. 158, 833 (1967).
45. J. A. Dobrowolski, F. C. Ho, and A. Waldorf, Appl. Opt. 22, 3191 (1983).
46. W. E. Case, Appl. Opt. 22, 1832 (1983).
47. C. H. Peng and S. B. Desu, J. Am. Ceram. Soc. 77, 929 (1994).
48. R. Swanepoel, J. Phys. E 16, 1214 (1983).
49. J. C. Manifacier, J. Gasiot, and J. P. Fillard, J. Phys. E 9, 1002 (1976).
50. H. E. Bennett and J. M. Benett, in Physics of Thin Films, edited by G. Hass and R. E. Thun (Academic, New York, 1977), Vol. 4, pp. 1-96.
51. L. Ward, The Optical Constants of Bulk Materials and Films, 2nd ed. (IOP, Bristol, England, 1994).
52. J. Rivory, in Thin Films for Optical Systems, edited by F. R. Flory (Marcel Dekker, New York, 1995), Chap. 11, p. 299.
53. P. Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors, (Springer, Berlin, 1996), Chap. 6.
54. S. Y. Kim, Appl. Opt. 35, 6703 (1996).
55. O. S. Heavens, Optical Properties of Thin Solid Films (Dover, New York, 1955), Chap. 4.
56. C. H. Peng, Ph. D. dissertation, Virginia Polytechnic Institute and State University, 1992.
57. J. I. Pankove, Optical Process in Semiconductors (Prentice-Hall, Elgewood Cliffs, NJ, 1971), Chap. 3.
58. T. L. Tansley and R. J. Egan, Phys. Rev. B 45, 10942 (1992).
59. I. Gorczyca, A. Svane, and N. E. Christensen, Solid State Commun. 101, 747 (1997).
60. J. H. Harris and R. A. Youngman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 242, 451 (1992).
61. X. Tang, F. Hossain, K. Wongchotigul, and M. G. Spence, Appl. Phys. Lett. 72, 1501 (1998).
62. W. G. Perry, M. B. Bremser, and R. F. Davis, J. Appl. Phys. 83, 469 (1988).
63. P, Bogustawski, E. L. Briggs, and J. Bernholc, Appl. Phys. Lett. 69, 233 (1996).
64. V. E. Organovskii, J. Pastrnak, S. I. Pacesova, and M. V. Fock, Phys. Status Solidi B 72, K39 (1975).
65. P. Gassmann, F. Bartolucci, and R. Franchy, J. Appl. Phys. 77, 5718 (1995).
66. J. H. Harris, R. A. Youngman, and R. G. Teller, J. Mater. Res. 5, 1763 (1990).
67. S. Yoshida, S. Misawa, Y. Fujii, S. Takada, H. Hayakawa, S. Gonda, and A. Itoh, J. Vac. Sci. Technol. 16, 990 (1979).
68. H.-Y. Joo, J. B. Lee, and H. J. Kim, Korean J. Ceram. 3, 257 (1997).
69. W. J. Moore, Appl. Opt. 33, 4164 (1994).
70. H.-C. Lee, G.-H. Kim, S.-K. Hong, K.-Y. Lee, Y.-J. Yong, C.-H. Chun, and J.-Y. Lee, Thin Solid Films 261, 148 (1995).
71. H. Yamashita, K. Fukui, S. Misawa, and S. Yoshida, J. Appl. Phys. 50, 896 (1979).
72. A. R. Forouhi and I. Bloomer, Phys. Rev. B 34, 7018 (1986).
73. S. Ke, M. Huang, and R. Wang, Solid State Commun. 89, 105 (1994).
74. J. M. Elson, J. P. Rahn, and J. M. Bennett, Appl. Opt. 22, 3207 (1983).