Aligned tin oxide nanonets for high-performance transistors

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 114, Issue 2, 2010, Pages 1331-1336

  Sun, Cheng ^a   Mathews, Nripan ^a   Zheng, Minrui ^b   Sow, Chorng Haur ^b   Wong, Lydia Helena ^a   Mhaisalkar, Subodh G ^a  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVE MATERIAL; AREAL COVERAGE; CHANNEL LENGTH; DEVICE CHARACTERISTICS; DEVICE PERFORMANCE; ELECTRICAL PROPERTY; ELECTRON TRAPPING; HIGH TRANSPARENCY; LARGE-AREA ELECTRONICS; MACROELECTRONICS; NANO-NET; NANOWIRE NETWORKS; NANOWIRE SURFACE; ON/OFF RATIO; SUBMILLIMETERS; THRESHOLD VOLTAGE SHIFTS;

ELECTRIC PROPERTIES; ELECTRON MOBILITY; FAULT TOLERANCE; NANOWIRES; OXYGEN; PASSIVATION; POLYSTYRENES; QUALITY ASSURANCE; THIN FILM TRANSISTORS; THRESHOLD VOLTAGE; TIN; TITANIUM COMPOUNDS;

ELECTRIC WIRE;

EID: 75249088187     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp909673j     Document Type: Article

References (36)

1. Reuss, R. H.; Chalamala, B. R.; Moussessian, A.; Kane, M. G.; Kumar, A.; Zhang, D. C.; Rogers, J. A.; Hatalis, M.; Temple, D.; Moddel, G.; Eliasson, B. J.; Estes, M. J.; Kunze, J.; Handy, E. S.; Harmon, E. S.; Salzman, D. B.; Woodall, J. M.; Alam, M. A.; Murthy, J. Y.; Jacobsen, S. C.; Olivier, M.; Markus, D.; Campbell, P. M.; Snow, E. Proceedings of the IEEE 2005, 93, 1239.
2. Baca, A. J.; Ahn, J. H.; Sun, Y.; Meitl, M. A.; Menard, E.; Kim, H. S.; Choi, W. M.; Kim, D. H.; Huang, Y.; Rogers, J. A. Angew. Chem., Int. Ed. 2008, 47, 5524.
3. Cui, Y.; Zhong, Z. H.; Wang, D. L.; Wang, W. U.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2003, 3, 149.
4. Greytak, A. B.; Lauhon, L. J.; Gudiksen, M. S.; Lieber, C. M. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4176.
5. Tans, S. J.; Verschueren, A. R. M.; Dekker, C. Nature 1998, 393, 49.
6. Goldberger, J.; Sirbuly, D. J.; Law, M.; Yang, P. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 9.
7. Ju, S. Y.; Facchetti, A.; Xuan, Y.; Liu, J.; Ishikawa, F.; Ye, P. D.; Zhou, C. W.; Marks, T. J.; Janes, D. B. Nat. Nanotechnol. 2007, 2, 378.
8. Dattoli, E. N.; Wan, Q.; Guo, W.; Chen, Y. B.; Pan, X. Q.; Lu, W. Nano Lett. 2007, 7, 2463.
9. Liu, Z. Q.; Zhang, D. H.; Han, S.; Li, C.; Tang, T.; Jin, W.; Liu, X. L.; Lei, B.; Zhou, C. W. Adv. Mater. 2003, 15, 1754.
10. Choi, Y. J.; Hwang, I. S.; Park, J. G.; Choi, K. J.; Park, J. H.; Lee, J. H. Nanotechnology 2008, 19, 4.
11. Wang, B.; Zhu, L. F.; Yang, Y. H.; Xu, N. S.; Yang, G. W. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 6643.
12. Gubbala, S.; Chakrapani, V.; Kumar, V.; Sunkara, M. K. Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 2411.
13. Z.M.Jarzebski, J. P. M. Electrochem. Soc. 1976, 123.
14. Arnold, M. S.; Avouris, P.; Pan, Z. W.; Wang, Z. L. J. Phys. Chem. B 2003, 107, 659.
15. Lecomber, P. G.; Spear, W. E. Phys. Rev. Lett. 1970, 25, 509.
16. Lin, C. H.; Chen, R. S.; Chen, T. T.; Chen, H. Y.; Chen, Y. F.; Chen, K. H.; Chen, L. C. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 3.
17. Kolmakov, A.; Zhang, Y. X.; Cheng, G. S.; Moskovits, M. Adv. Mater. 2003, 15, 997.
18. Meitl, M. A.; Zhu, Z. T.; Kumar, V.; Lee, K. J.; Feng, X.; Huang, Y. Y.; Adesida, I.; Nuzzo, R. G.; Rogers, J. A. Nat. Mater. 2006, 5, 33.
19. Xia, Y. N.; Whitesides, G. M. J. Am. Chem. Soc. 1995, 117, 3274.
20. Kang, J.; Myung, S.; Kim, B.; Oh, D.; Kim, G. T.; Hong, S. Nanotechnology 2008, 19, 6.
21. Fan, Z. Y.; Ho, J. C.; Jacobson, Z. A.; Yerushalmi, R.; Alley, R. L.; Razavi, H.; Javey, A. Nano Lett. 2008, 8, 20.
22. Hernandez-Ramirez, F.; Prades, J. D.; Tarancon, A.; Barth, S.; Casals, O.; Jimenez-Diaz, R.; Pellicer, E.; Rodriguez, J.; Morante, J. R.; Juli, M. A.; Mathur, S.; Romano-Rodriguez, A. Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 2990.
23. Wang, B.; Yang, Y. H.; Wang, C. X.; Yang, G. W. J. Appl. Phys. 2005, 98, 5.
24. Wang, B.; Yang, Y. H.; Wang, C. X.; Yang, G. W. Chem. Phys. Lett. 2005, 407, 347.
25. Lettieri, S.; Causa, M.; Setaro, A.; Trani, F.; Barone, V.; Ninno, D.; Maddalena, P. J. Chem. Phys. 2008, 129, 7.
26. Ye, H. H.; Lam, H.; Titchenal, N.; Gogotsi, Y.; Ko, F. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 1775.
27. Prilutsky, S.; Zussman, E.; Cohen, Y. Nanotechnology 2008, 19, 9.
28. Cao, Q.; Xia, M.; Kocabas, C.; Shim, M.; Rogers, J. A.; Rotkin, S. V. Appl. Phys. Lett. 2007, 90.
29. Unalan, H. E.; Yang, Y.; Zhang, Y.; Hiralal, P.; Kuo, D.; Dalal, S.; Butler, T.; Cha, S. N.; Jang, J. E.; Chremmou, K.; Lentaris, G.; Wei, D.; Rosentsveig, R.; Suzuki, K.; Matsumoto, H.; Minagawa, M.; Hayashi, Y.; Chhowalla, M.; Tanioka, A.; Milne, W. I.; Tenne, R.; Amaratunga, G. A. J. IEEE Trans. Electron Devices 2008, 55, 2988.
30. Wang, W. Y.; Xiong, H. D.; Edelstein, M. D.; Gundlach, D.; Suehle, J. S.; Richter, C. A.; Hong, W. K.; Lee, T. J. Appl. Phys. 2007, 101, 5.
31. Unalan, H. E.; Zhang, Y.; Hiralal, P.; Dalal, S.; Chu, D. P.; Eda, G.; Teo, K. B. K.; Chhowalla, M.; Milne, W. I.; Amaratunga, G. A. J. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 3.
32. Kocabas, C.; Pimparkar, N.; Yesilyurt, O.; Kang, S. J.; Alam, M. A.; Rogers, J. A. Nano Lett. 2007, 7, 1195.
33. Pohle, R.; Fleischer, M.; Meixner, H. In Situ Infrared Emission Spectroscopic Study of the Adsorption of H2O and Hydrogen-Containing Gases on Ga2O3 Gas Sensors; Eurosensors XIII Meeting: The Hague, Netherlands, 1999.
34. Kalinin, S. V.; Shin, J.; Jesse, S.; Geohegan, D.; Baddorf, A. P.; Lilach, Y.; Moskovits, M.; Kolmakov, A. J. Appl. Phys. 2005, 98, 8.
35. Song, S.; Hong, W. K.; Kwon, S. S.; Lee, T. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 3.
36. Gruner, G. J. Mater. Chem. 2006, 16, 3533.