Surface optical phonon modes in ternary aligned crystalline InGaN/GaN multi-quantum-well nanopillar arrays

Journal of Raman Spectroscopy

Volumn 40, Issue 12, 2009, Pages 2044-2049

  Wu, Shang En ^a,b   Dhara, S ^a,c   Hsueh, Tao Hung ^a   Lai, Yi Feng ^a   Wang, Cheng Yu ^a   Liu, Chuan Pu ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b GENESIS PHOTONICS INC   (Taiwan)

^c INDIRA GANDHI CENTRE FOR ATOMIC RESEARCH   (India)

Author keywords

Focused ion beam; GaN; InGaN; Raman scattering; Surface optical mode

Indexed keywords

ASPECT RATIO; CRYSTALLINE MATERIALS; GALLIUM NITRIDE; III-V SEMICONDUCTORS; NANOSTRUCTURES; OPTICAL PROPERTIES; PHONONS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SURFACE SCATTERING;

FOCUSED IONS BEAMS; INGAN/GAN; INGAN/GAN MULTI-QUANTUM WELL; MULTIQUANTUM-WELL (MQW); NANOPILLAR; NANOPILLARS ARRAY; OPTICAL MODES; SURFACE OPTICAL; SURFACE OPTICAL MODE; SURFACE OPTICAL PHONON MODES;

RAMAN SCATTERING;

EID: 72249118455     PISSN: 03770486     EISSN: 10974555     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/jrs.2369     Document Type: Article

References (27)

1. D. Dai, B. Zhang, J. Y. Lin, H. X. Jiang, J. Appl. Phys. 2001, 89, 4951.
2. H. W. Choi, M. D. Dawson, P. R. Edwards, R. W. Martin, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 4483.
3. T. H. Hsueh, H. W. Huang, F. I. Lai, J. K. Sheu, Y. H. Chang, H. C. Kuo, S. C. Wang, Nanotechnology 2005, 16, 448.
4. H. M. Kim, Y.-H. Cho, H. Lee, S. I. Kim, S. R. Ryu, D. Y. Kim, T. W. Kang, K. S. Chung, Nano Lett. 2004, 4, 1059.
5. C. H. Chiu, T. C. Lu, H. W. Huang, C. F. Lai, C. C. Kao, J. T. Chu, C. C. Yu, H. C. Kuo, S. C. Wang, C. F. Lin, T. H. Hsueh, Nanotechnology 2007, 18,445201.
6. A. A. Tseng, J. Micromech. Microeng. 2004, 14, R15.
7. K. W. Adu, Q. Xiong, H. R. Gutierrez, G. Chen, P. C. Eklund, Appl.Phys. A 2006, 85, 287.
8. R. Ruppin, R. Englman, Rep. Prog. Phys. 1970, 33, 149.
9. B. E. Sernelius, Surface Modes in Physics, Wiley-VCH: New York, 2001.
10. C. L. Hsiao, L. W. Tu, T. W. Chi, M. Chen, T. F. Young, C. T. Chia, Y. M. Chang, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 043102.
11. I. M. Tiginyanu, A. Sarua, G. Irmer, J. Monecke, S. M. Hubbard, D. Pavlidis, V. Valiaev, Phys. Rev. B 2001, 64, 233317.
12. S. Sahoo, M. S. Hu, C. W. Hsu, L. C. Chen, K. H. Chen, A. K. Arora, S. Dhara, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 233116.
13. S. E. Wu, C. P. Liu, T. H. Hsueh, H. C. Chung, C. C. Wang, C. Y. Wang, Nanotechnology 2007, 18, 445301.
14. T. Azuhata, T. Sota, K. Suzuki, S. Nakamura, J. Phys.: Condens. Matter 1995,7, L129.
15. A. G. Kontos, Y. S. Raptis, N. T. Pelekanos, A. Georgakilas, E. Bellet-Amalric, D. Jalabert, Phys. Rev. B 2005, 72, 155336.
16. S. P. S. Porto, R. S. Krishnan, J. Chem. Phys. 1967, 47, 1009.
17. J. Zi, X. Wan, G. Wei, K. Zhang, X. Xie, J. Phys.: Condens. Matter 1996, 8,6323.
18. C. C. Chen, C. C. Yeh, C. H. Chen, M. Y. Yu, H. L. Liu, J. J. Wu, K. H. Chen, L. C. Chen, J. Y. Peng, Y. F. Chen, J. Am. Chem. Soc. 2001, 123,2791.
19. H. Siegle, G. Kaczmarczyk, L. Filippidis, L. Litvinchuk, A. Hoffmann, C. Thornsen, Phys. Rev. B 1997, 55, 7000.
20. M. R. Correia, S. Pereira, E. Pereira, J. Frandon, E. Alves, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 4761.
21. S. Lazić, M. Moreno, J. M. Calleja, A. Trampert, K. H. Ploog, F. B. Naranjo, S. Fernandez, E. Calleja, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 061905.
22. H. Grille, C. Schnittler, F. Bechstedt, Phys. Rev. B 2000, 61, 6091.
23. D. Alexson, L. Bergman, R. J. Nemanish, M. Dutta, M. A. Stroscio, C. A. Parker, S. M. Bedair, N. A. El-Masry, F. Adar, J. Appl. Phys. 2001, 89,798.
24. M. R. Correia, S. Pereira, E. Pereira, J. Frandon, I. M. Watson, C. Liu, E. Alves, A. D. Sequeira, N. Franco, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2235.
25. A. Tabata, L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, A. Kharchenko, T. Frey, D. J. As, D. Schikora, K. Lischka, J. Furthmuller, F. Bechstedt, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 769.
26. O. Madelung, Semiconductors: Data Handbook (3rd edn), Springer: Berlin, 2004, Section 2.9.
27. R. Gupta, Q. Xiong, G. D. Mahan, P. C. Eklund, Nano Lett. 2003, 3, 1745.