Effects of C60 concentration on the storage density in nonvolatile memory devices fabricated by utilizing hybrid nanocomposites consisting of C60 embedded in a polymethyl methacrylate polymer layer

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 55, Issue 1, 2009, Pages 42-45

  Lee, Dong Ik ^a   Ham, Jung Hun ^a   Jung, Jae Hun ^a   Kim, Tae Whan ^a  

^a Hanyang University   (South Korea)

Author keywords

C V hysteresis; C60; Nonvolatile memory device; Operating mechanism; PMMA

Indexed keywords

EID: 69249189729     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.55.42     Document Type: Article

References (25)

1. J. Ouyang, C.-W. Chu, D. Sieves and Y. Yang. Appl. Phys. Lett. 86, 123507 (2005).
2. G. Du, Y. Ma, Y. Zhang and T. Yang, Appl. Phys. Lett. 87, 213103 (2005).
3. S.-D. Park, D.-H. Han, D. Teng, Y. Kwon and G.-Y. Choi, J. Korean Phys. Soc. 48, 476 (2006).
4. P. R. Somani, S. P. Somani and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 91, 173503 (2007).
5. N. G. Sahoo, Y. C. Jung, H. H. So and J. W. Cho, J. Korean Phys. Soc. 51, S1 (2007).
6. V. Andersson, K. Tvingstedt and O. Inganäs, J. Appl. Phys. 103, 094520 (2008).
7. J. C. Bernède, Y. Berredjem, L. Cattin and M. Morsli, Appl. Phys. Lett. 92, 083304 (2008).
8. J. H. Burroughes, D. D. C. Bradley, A. R. Brown, R. N. Marks, K. Mackay, R. H. Friend, P. L. Burns and A. B. Holmes, Nature 347, 539 (1990).
9. C. D. Dimitrakopoulos and P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. 14, 99 (2002).
10. S. Uchida, J. Xue, B. P. Rand and S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 84, 4218 (2004).
11. N. N. Dinh, L. H. Chi, T. T. C. Thuy, D. V. Thanh and T. P. Nguyen, J. Korean Phys. Soc. 53, 802 (2008).
12. M. A. Reed, J. Chen, A. M. Rawlett, D. W. Price and J. M. Tour, Appl. Phys. Lett. 78, 3735 (2001).
13. S. Moller, C. Perlov, W. Jackson, C. Taussig and S. R. Forrest, Nature 426, 166 (2003).
14. J. C. Scott, Science 304, 62 (2004).
15. L. D. Bozano, B. W. Kean, V. R. Define, J. R. Salem and J. C. Scott, Appl. Phys. Lett. 84, 607 (2004).
16. J. H. Jung, J. Y. Jin, I. Lee, T. W. Kim, H. G. Roh and Y.-H. Kim, Appl. Phys. Lett. 88, 112107 (2006).
17. J. H. Jung, J. H. Kim, T. W. Kim, C. S. Yoon, Y.-H. Kim and S. Jin, Appl. Phys. Lett. 89, 022112 (2006).
18. F. Verbakel, S. C. J. Meskers and R. A. J. Janssen, Appl. Phys. Lett. 89, 102103 (2006).
19. S. Moller, C. Perlov, W. Jackson, C. Taussig and S. R. Forrest, Nature 426, 166 (2003).
20. J. H. Kim, J. Y. Jin, J. H. Jung, I. Lee, T. W. Kim, S. K. Lim, C. S. Yoon and Y.-H. Kim, Appl. Phys. Lett. 86, 032904 (2005).
21. H. S. Majumdar, J. K. Baral, R. Osterbacka, O. Ikkala and H. Stubb, Org. Electron. 6, 188 (2005).
22. S. Paul, A. Kanwal and M. Chhowaila, Nanotechnology 17, 145 (2006).
23. A. Kanwal and M. Chhowalla, Appl. Phys. Lett. 89, 203103 (2006).
24. N. Martin, L. Sanchez, B. Illescas, S. Gonzalez, M. A. Herranz and D. M. Guldi, Carbon 38, 1577 (2000).
25. S. Huang, S. Banerjee, R. T. Tung and S. Oda, J. Appl. Phys. 94, 7261 (2003).