Low resistance and themarlly stable ohmic contact on p-type GaN using a RuO2 diffusion barrier

Electronic Materials Letters

Volumn 4, Issue 4, 2008, Pages 157-160

  Son, Jun Ho ^a   Yu, Hak Ki ^a   Song, Yang Hee ^a   Lee, Jong Lam ^a  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

Author keywords

Diffusion barrier; LEDs; Ohmic contact; P GaN; Thermal stability

Indexed keywords

EID: 69049110673     PISSN: 17388090     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (14)

1. J. K. Mun, D.-Y. Kim, J.-W. Lim, H.-K. Ahn, H. Kim, and H. K. Yu, Electron. Mater. Lett. 3, 205 (2007).
2. E. F. Schubert and J. K. Kim, Science 308, 1274 (2005).
3. H.-K. Seong, H. Jeong, R. Ha, J.-C. Lee, Y.-M. Sung, and H.-J. Choi, Met. Mater. Int. 14, 353 (2008).
4. Y.-K. Song, M. Diagne, H. Zhou, A. V. Nurmikko, C. Carter-Coman, R. S. Kern, F. A. Kish, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 74, 3720 (1999).
5. W. K. Wang, S. Y. Huang, K. S. Wen, D. S. Wuu, and R. H. Horng, Appl. Phys. Lett. 88, 181113 (2006).
6. W. Y. Lin, D. S. Wuu, K. F. Pan, S. H. Huang, C. E. Lee, W. K. Wang, S. C. Hsu, Y. Y. Su, S. Y. Huang, and R. H. Horng, IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 1809 (2005).
7. J. O. Song, W. K. Hong, Y. Park, J. S. Kwak, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 86, 133503 (2005).
8. D. L. Hibbard, S. P. Jung, C. Wang, D. Ullery, Y. S. Zhao, H. P. Lee, W. So, and H. Liu, Appl. Phys. Lett. 83, 311 (2003).
9. S. Y. Kim and J.-L. Lee, Electrochem. Solid-State Lett. 7, 102 (2004).
10. S. Lee, J. H. Son, G. H. Jung, Y. G. Kim, C. Y. Kim, Y. J. Yoon, and J.-L. Lee, Appl. Phys. Lett. 91, 222115 (2007).
11. J. K. Kim, J.-L. Lee, J. W. Lee, H. E. Shin, Y. J. Park, and T. Kim, Appl. Phys. Lett. 73, 2953 (1998).
12. Y.-W. Ok, W.-K. Park, H.-M. Kim, K.-B. Kim, and D. Kim, Met. Meter. Int. 14, 481 (2008).
13. H. W. Jang, S. Y. Kim, and J.-L. Lee, J. Appl. Phys. 94, 1748 (2003).
14. D. W. Jenkins and J. D. Dow, Phys. Rev. B 39, 3317 (1989).