Density functional characterization of adsorption and decomposition of 1-propanethiol on the Ga-rich GaAs (001) surface

Journal of Physical Chemistry A

Volumn 113, Issue 19, 2009, Pages 5685-5690

  Tang, Shaobin ^a   Cao, Zexing ^a  

^a XIAMEN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

1-PROPANETHIOL; ACTIVATION FREE ENERGY; BOND SCISSIONS; C-H BOND; DENSITY FUNCTIONAL; DENSITY-FUNCTIONAL CALCULATIONS; DISSOCIATIVE ADSORPTION; EXPERIMENTAL OBSERVATION; GAAS(001); LOW ENERGIES; PRODUCT MIXTURE; REACTION ROUTES; SURFACE PROCESS; THERMAL DECOMPOSITIONS;

ACTIVATION ENERGY; CHEMISORPTION; FREE ENERGY; GAS ADSORPTION; HYDROGEN; PROPANE; PROPYLENE; PYROLYSIS; REACTION KINETICS; SEMICONDUCTING GALLIUM;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 65649096256     PISSN: 10895639     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp810435c     Document Type: Article

References (35)

1. Hong, M.; Kwo, J.; Kortan, A. R.; Mannaerts, J. P.; Sergent, A. M. Science 1999, 283, 1897.
2. Singh, N. K.; Doran, D. C. Surf. Sci. 1999, 422, 50.
3. Camillone, N.; Khan, K. A.; Osgood, R. M. Surf. Sci. 2000, 453, 83.
4. Shaporenko, A.; Adlkofer, K.; Johansson, L. S. O.; Tanaka, M.; Zharnikov, M. Langmuir 2003, 19, 4992.
5. Baum, T.; Ye, S.; Uosaki, K. Langmuir 1999, 15, 8577.
6. Adlkofer, K.; Tanaka, M.; Hillebrandt, H.; Wiegand, G.; Bolom, T.; Deutshmann, R.; Abstreiter, G. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 3313.
7. Lebedev, M. V.; Aono, M. J. Appl. Phys. 2000, 87, 289.
8. Dong, Y.; Ding, X. M.; Hou, X. Y.; Li, Y.; Li, X. B. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 3839.
9. Li, Z. S.; Cai, W. Z.; Su, R. Z.; Dong, G. S.; Huang, D. M.; Ding, X. M.; Hou, X. M.; Wang, X. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 3425.
10. Wang, X.; Hou, X.; Li, Z.; Chen, X. Surf. Interface Anal. 1996, 24, 564.
11. Lunt, S. R.; Ryba, G. N.; Santangelo, P. G.; Lewis, N. S. J. Appl. Phys. 1991, 70, 7449.
12. Kodama, C.; Hayashi, T.; Nozoye, H. Appl. Surf. Sci. 2001, 169, 264.
13. Foord, J. S.; FitzGerald, E. T. Surf. Sci. 1994, 306, 29.
14. Lu, H.-L.; Chen, W.; Ding, S.-J.; Xu, M.; Zhang, D. W.; Wang, L.-K. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 9529.
15. Donev, S.; Brack, N.; Paris, N. J.; Pigram, P. J.; Singh, N. K.; Usher, B. F. Langmuir 2005, 21, 1866.
16. Becke, A. D. J. Chem. Phys. 1993, 98, 1372.
17. Perdew, J. P.; Burke, K.; Wang, Y. Phys. Rev. B 1996, 54, 16533.
18. Perdew, J. P.; Burke, K.; Ernzerhof, M. Phys. Rev. Lett. 1996, 77, 3865.
19. Höllwarth, A.; Böhme, M.; Dapprich, S.; Ehlers, A. W.; Gobbi, A.; Jonas, V.; Köhler, K. F.; Stegmann, R.; Veldkamp, A.; Frenking, G. Chem. Phys. Lett. 1993, 208, 237.
20. Frisch, M. J. et al. Gaussian 03, revision B.05; Gaussian: Pittsburgh, PA, 2003.
21. Xue, Q.; Hashizume, T.; Zhou, J. M.; Sakata, T.; Ohno, T.; Sakurai, T. Phys. Rev. Lett. 1995, 74, 3177.
22. Li, L.; Han, B.; Gan, S.; Qi, H.; Hicks, R. F. Surf. Sci. 1998, 398, 386.
23. Fu, Q.; Li, L.; Hicks, R. F. Phys. Rev. B 2000, 61, 11034.
24. Berger, J. F.; Pomorski, K. Phys. Rev. Lett. 2000, 85, 30.
25. Miwa, R. H.; Miotto, R.; Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P. Phys. Rev. B 2003, 67, 045325.
26. Fu, Q.; Li, L.; Li, C. H.; Begarney, M. J.; Law, D. C.; Hicks, R. F. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 5595.
27. Pashley, M. D. Phys. Rev. B 1989, 40, 10481.
28. Jenichen, A.; Cornelia, E. Surf. Sci. 2007, 601, 900.
29. Schailey, R.; Ray, A. K. J. Chem. Phys. 1999, 111, 8628.
30. Voznyy, O.; Dubowski, J. J. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 3726.
31. Voznyy, O.; Dubowski, J. J. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 23619.
32. Bondzie, V.; Dixon-Warren, St. J.; Zhang, L.; Yu, Y. Surf. Sci. 1999, 431, 174.
33. Lai, Y.-H.; Yeh, C.-T.; Cheng, S.-H.; Liao, C. P.; Hung, W.-H. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 5438.
34. Lebedev, M. V. Semiconductors 2008, 42, 1048.
35. Kohler, T.; Frauenheim, T.; Hajnal, Z.; Seifert, G. Phys. Rev. B 2004, 69, 193403.