Mechanism of arsine adsorption on the gallium-rich GaAs(001)-(4 × 2) surface

Journal of Physical Chemistry B

Volumn 104, Issue 23, 2000, Pages 5595-5602

  Fu, Qiang ^a   Li, Lian ^a   Li, Connie H ^b   Begarney, Michael J ^b   Law, Daniel C ^a   Hicks, Robert F ^b  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b UNIVERSITY OF WISCONSIN MILWAUKEE   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ADSORPTION; CALCULATIONS; CHEMICAL BONDS; DECOMPOSITION; DIMERS; HYDROGEN; INFRARED SPECTROSCOPY; PROBABILITY DENSITY FUNCTION; REACTION KINETICS; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SURFACES;

AB INITIO QUANTUM CHEMISTRY CALCULATIONS; ARSINE; DENSITY FUNCTIONAL THEORY; ENERGY BARRIERS; HYDROGEN TRANSFER;

ARSENIC COMPOUNDS;

EID: 20644438229     PISSN: 15206106     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp0005827     Document Type: Article

References (40)

1. Stringfellow, G. B. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy, Theory and Practice; Academic Press: New York, 1989.
2. Drathen, P.; Ranke, W.; Jacobi, K. Surf. Sci. 1978, 77, L162.
3. Li, L.; Han, B. K.; Can, S.; Qi, H.; Hicks, R. F. Surf. Sci. 1998, 398, 386.
4. Pashley, M. D.; Haberern, K. W.; Gaines, J. M. Surf. Sci. 1992, 207, 153.
5. Duke, C. B. Appl. Surf. Sci. 1993, 66, 543.
6. Qi, H.; Gee, P. E.; Hicks, R. F. Phys. Rev. Lett. 1994, 72, 250.
7. Northrup, J. E.; Froyen, S. Phys. Rev. B 1994, 50, 2015.
8. Northrup, J. E.; Froyen, S. Phys. Rev. Lett. 1993, 77, 2276.
9. Qi, H.; Gee, P. E.; Nguyen, T.; Hicks, R. F. Surf. Sci. 1995, 323, 6.
10. Hicks, R. F.; Qi, H.; Fu, Q.; Han, B.-K.; Li, L. J. Chem. Phys. 1999, 770, 10498.
11. Gee, P. E.; Qi, H.; Hicks, R. F. Surf. Sci. 1995, 330, 135.
12. Li, L.; Gan, S.; Han, B.-K.; Qi, H.; Hicks, R. F. Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 951.
13. Adamson, S. D.; Han, B. K.; Hicks, R. F. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 3236.
14. Fu, Q.; Li, L.; Begamey, M. J.; Han, B.-K.; Law, D. C; Hicks, R. F. J. Phys. IV (France) 1999, 9,3.
15. Bansenauer, B. A.; Creighton, J. R. Surf. Sci. 1992, 278, 317.
16. Wolf, M.; Zhu, X.-Y.; Huett, T.; White, J. M. Surf. Sci. 1992,275, 41.
17. Zhu, X.; Wolf, M.; Huett, T.; Nail, J.; Bansenauer, B. A.; Creighton, J. R.; White, J. M. Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 977.
18. Qi, H.; Gee, P.E.; Hicks, R. F. Surf. Sci. 1996, 347, 289.
19. Moll, N.; Kley, A.; Pehlke, E.; Scheffler, M. Phys. Rev. B 1996, 54, 8844.
20. Schmidt, W. G. Appl. Phys. A 1997, 65, 581.
21. Chadi, D. J. Phys. Rev. Lett. 1978, 41, 1062.
22. Harrison, W. A. J. Vac. Sci. Teclmol. 1979, 76, 1492.
23. Pashley, M. D. Phys. Rev. B 1989, 40, 10481.
24. Frisch, M. J.; Trucks, G. W.; Schlegel, H. B.; Scuseria, G. E.; Robb, M. A.; Cheeseman, J. R.; Zakrzewski, V. G.; Montgomery, J. A., Jr.; Stratmann, R. E.; Burant, J. C.; Dapprich, S.; Millam, J. M.; Daniels, A. D.; Kudin, K. N.; Strain, M. C.; Farkas, O.; Tomasi, J.; Barone, V.; Cossi, M.; Cammi, R.; Mennucci, B.; Pomelli, C.; Adamo, C.; Clifford, S.; Ochterski, J.; Petersson, G. A.; Ayala, P. Y.; Cui, Q.; Morokuma, K.; Malick, D. K.; Rabuck.-A. D.; Raghavachari, K.; Foresman, J. B.; Cioslowski, J.; Ortiz, J. V.; Stefanov, B. B.; Liu, G.; Liashenko, A.; Piskorz, P.; Komaromi, L; Gomperts, R.; Martin, R. L.; Fox, D. J.; Keith, T.; Al-Laham, M. A.; Peng, C. Y.; Nanayakkara, A.; Gonzalez, C.; Challacombe, M.; Gill, P. M. W.; Johnson, B. G.; Chen, W.; Wong, M. W.; Andres, J. L.; Head-Gordon, M.; Replogle, E. S.; Pople, J. A. Gaussian 98, revision A.6; Gaussian, Inc.: Pittsburgh, PA, 1998.
25. Perdew, J. P.; Burke, K.; Wang, Y. Phys. Rev. B 1996, 54, 16533.
26. 'Igel-Mann, G.; Stoll, H.; Preuss, H. Mol. Phys. 1988, 65, 1321.
27. Bergner, A.; Dolg, M.; Kuechle, W.; Stoll, H.; Preuss, H. Mol. Phys. 1993, 80, 1431.
28. Dunning, T. H.; Hay, P. J. Modern Tlieoretical Chemistry; Plenum Press: New York, 1976; Vol. 3, p 1.
29. Fu, Q.; Li, L.; Hicks, R. F. Phys. Rev. B 2000, 67, 11034.
30. Biegeisen, D. K.; Bringans, R. D.; Northrup, J. E.; Swartz, L. E. Phys. Rev. B 1990, 41, 5701.
31. Xue, Q. K.; Hashizume, T.; Zhou, J. M.; Sakata, T.; Sakurai, T.; Ohno, T. Phys. Rev. Lett. 1995, 74, 3177.
32. Nishizawa, J.; Kurabayashi, T. J. Electrochem. Soc. 1983, 130, 413.
33. Foresman, J. B.; Frisch, M. J. Exploring Chemistry with Electronic Structure Methods, 2nd ed.; Gaussian Inc.: Pittsburgh, PA. 1996; p 142.
34. Peng, C.; Ayala, P. Y.; Schlegel, H. B.; Frisch, M. J. J. Comput. Chem. 1996, 17, 49.
35. Widjaja, Y.; Mysinger, M. M.; Musgrave, C. B. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 2527.
36. Moss, R. J. J. Cryst. Growth 1984, 68, 78.
37. Dobbs, K. D.; Trachtman, M.; Bock, C. W.; Cowley, A. H. J. Phys. Chem. 1990, 94, 5210.
38. Cui, J.; Ozeki, M.; Ohashi, M. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 502.
39. Mokwa, W.; Kohl, D.; Heiland, G. Phys. Rev. B 1984, 29, 6709.
40. Creighton, J. R. J. Vac. Sci. Technol. A 1990, 8, 3984.