Molecular beam epitaxial growth of InAsN:Sb for midinfrared Optoelectronics

Applied Physics Letters

Volumn 93, Issue 12, 2008, Pages

  Zhuang, Q ^a   Godenir, A ^a   Krier, A ^a   Tsai, G ^b   Lin, H H ^b  

^a LANCASTER UNIVERSITY   (United Kingdom)

^b NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ECOLOGY; ELECTRON PROBE MICROANALYSIS; LIGHT; LIGHT EMISSION; LIGHT EMITTING DIODES; MICROANALYSIS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MOLECULAR BEAMS; MOLECULAR DYNAMICS; NITRIDES; NITROGEN; NONMETALS; PHOTONICS; SURFACE ACTIVE AGENTS; SURFACE DIFFUSION;

DIFFUSION LENGTHS; DILUTE NITRIDES; ENERGY DISPERSIVE X-RAY SPECTROMETRY; MID-INFRARED; MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH; NITROGEN INCORPORATION; X-RAY DIFFRACTION;

EPITAXIAL GROWTH;

EID: 52949091893     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2988281     Document Type: Article

References (27)

1. M. Kondow, K. Uomi, K. Hosomi, and T. Mozume, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 33, L1056 (1994).
2. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1998).
3. N. Balkan, in The Physics and Technology of Dilute Nitrides, special issue of J. Phys. Condens. Matter 16, 31 (2004).
4. Dilute Nitride Semiconductors, edited by, M. Henini, (Elsevier, Amsterdam, 2005), pp. 1-92 and references therein.
5. M. Osinski, Opto-Electron. Rev. 11, 321 (2003).
6. B. N. Murdin, M. Kamal-Saadi, A. Lindsay, E. P. O'Reilly, A. R. Adams, G. J. Nott, J. G. Crowder, C. R. Pidgeon, I. V. Bradley, J. P. R. Wells, T. Burke, A. D. Johnson, and T. Ashley, Appl. Phys. Lett. 78, 1568 (2001).
7. D. K. Shih, H. H. Lin, and Y. H. Lin, Electron. Lett. 37, 1342 (2001).
8. R. Beresford, K. S. Stevens, and A. F. Schwartzman, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1293 (1998).
9. J. Wagner, K. Kohler, P. Ganser, and M. Maier, Appl. Phys. Lett. 87, 051913 (2005).
10. T. D. Veal, L. F. J. Piper, P. H. Jefferson, I. Mahboob, C. F. McConville, M. Merrick, T. J. C. Hosea, B. N. Murdin, and M. Hopkinson, Appl. Phys. Lett. 87, 182114 (2005).
11. M. Merrick, S. A. Cripps, B. N. Murdin, T. J. C. Hosea, T. D. Veal, and C. F. McConville, M. Hopkinson, Phys. Rev. B 76, 075209 (2007).
12. Q. Zhuang, A. M. R. Godenir, A. Krier, K. T. Lai, and S. K. Haywood, J. Appl. Phys. 103, 063520 (2008).
13. X. Yang, M. J. Jurkovic, J. B. Heroux, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 75, 178 (1999).
14. J. C. Harmand, G. Ungaro, L. Largeau, and G. Le Roux, Appl. Phys. Lett. 77, 2482 (2000).
15. L. H. Li, V. Sallet, G. Patriarche, L. Largeau, S. Bouchoule, L. Travers, and J. C. Harmand, Appl. Phys. Lett. 83, 1298 (2003).
16. S. R. Bank, H. B. Yuen, H. Bae, M. A. Wistey, A. Moto, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 88, 241923 (2006).
17. H. D. Sun, S. Calvez, M. D. Dawson, J. A. Gupta, G. I. Sproule, X. Xu, and Z. R. Walsilewski, Appl. Phys. Lett. 87, 181908 (2005).
18. X. Yang, J. B. Heroux, L. F. Mei, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 78, 4068 (2001).
19. Z. C. Niu, S. Y. Zhang, H. Q. Ni, D. H. Wu, H. Zhao, H. L. Peng, Y. Q. Xu, S. Y. Li, Z. H. He, Z. W. Ren, Q. Han, X. H. Yang, Y. Du, and R. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 87, 231121 (2005).
20. J. A. Gupta, P. J. Barrios, J. A. Caballero, D. Poitras, G. C. Aers, G. Pakulski, and X. Wu, Appl. Phys. Lett. 89, 151119 (2006).
21. K. Volz, V. Gambin, W. Ha, M. A. Wistey, H. Yuen, S. Bank, and J. S. Harris, J. Cryst. Growth 251, 360 (2003).
22. A. Portavoce, I. Berbezier, P. Gas, and A. Ronda, Phys. Rev. B 69, 155414 (2004).
23. Z. Pan, L. H. Li, W. Zhang, Y. W. Lin, and R. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 77, 214 (2000).
24. J. F. Nutzel and G. Abstreiter, Phys. Rev. B 53, 13551 (1996).
25. P. Kringhoj, A. Nylandsted Larsen, and S. Yu. Shirayev, Phys. Rev. Lett. 76, 3372 (1996).
26. Q. Zhuang, A. Godenir, and A. Krier, J. Phys. D 41, 132002 (2008).
27. I. T. Yoon, T. S. Ji, S. J. Oh, J. C. Choi, and H. L. Park, J. Appl. Phys. 82, 4024 (1997).