A novel approach to silicon-nanowire-assisted growth of high-purity, single-crystalline β-Si3N4 nanowires

Chemical Vapor Deposition

Volumn 13, Issue 8, 2007, Pages 396-400

  Niu, Jun Jie ^a   Wang, Jian Nong ^a  

^a SHANGHAI JIAO TONG UNIVERSITY   (China)

Author keywords

Crystal growth; High purity; Si3N4 nanowires

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CRYSTAL GROWTH; CRYSTALLINE MATERIALS; ELECTRIC WIRE; GRAIN BOUNDARIES; LASER HEATING; NANOSTRUCTURED MATERIALS; NANOSTRUCTURES; NANOWIRES; RAMAN SCATTERING;

CRYSTALLINE STRUCTURES; CVD PROCESSES; GROWTH MODELS; HIGH PURITIES; HIGH PURITY; PHONON CONFINEMENT EFFECTS; PHOTO-LUMINESCENCE; SI3N4 NANOWIRES; SILICON NANOWIRES; SMALL DIAMETERS; THIN OXIDE SHELLS;

SILICON;

EID: 51649090718     PISSN: 09481907     EISSN: 15213862     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/cvde.200706593     Document Type: Article

References (32)

1. E. W.Wong, P. E. Sheehan, C. M. Lieber, Science 1997, 277, 1971.
2. M. J. Wang, H. Wada, J. Mater. Sci. 1990, 25, 1690.
3. P. D. Ramesh, K. J. Rao, J. Mater. Res. 1994, 9, 2330.
4. L. D. Zhang, G. W. Meng, F. Phillipp, Mater. Sci. Eng. A 2000, 286, 34.
5. P. S. Gopalakrishnan, P. S. Lakshminarsimham, J. Mater. Sci. Lett. 1993, 12, 1422.
6. J. Hu, Y. Bando, Z. Liu, F. Xu, T. Sekiguchi, J. Zhan, Chem. Eur. J. 2004, 10, 554.
7. S. Motojima, T. Yamana, T. Araki, H. Iwanaga, J. Electrochem. Soc. 1995, 142, 3141.
8. W. R. Schmidt, P. S. Marchetti, L. V. Interrante, W. J. Hurley, R. H. Lewis, R. H. Doremus, G. E. Maciel, Chem. Mater. 1992, 4, 937.
9. M. A. Rodriguez, N. S. Makhonin, J. A. Escrina, I. P. Borovinskaya, M. I. Osendi, M. F. Barba, J. E. Iglesias, J. S. Moya, Adv. Mater. 1995, 7, 745.
10. Y. G. Cao, C. C. Ge, Z. J. Zhou, J. T. Li, J. Mater. Res. 1999, 14, 876.
11. Y. Zhang, N. Wang, R. He, J. Liu, X. Zhang, J. Zhu, J. Cryst. Growth 2001, 233, 803.
12. G. Z. Ran, L. P. You, L. Dai, Y. L. Liu, Y. Lv, X. S. Chen, G. G. Qin, Chem. Phys. Lett. 2004, 384, 94.
13. J. Frajas, A. Pinyol, C. Rath, P. Roura, E. Bertran, Phys. Status Solidi (a) 2006, 203, 1307.
14. J. Frajas, C. Rath, A. Pinyol, P. Roura, E. Bertran, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 192114.
15. H. Cui, B. R. Stoner, J. Mater. Res. 2001, 16, 3111.
16. H. Y. Kim, J. Park, H. Yang, Chem. Phys. Lett. 2003, 372, 269.
17. G. Zhou, B. Hu, K. Xiong, H. Li, C. Dong, J. Liang, Y. Qian, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 181901.
18. G. Shen, Y. Bando, B. Liu, C. Tang, Q. Huang, D. Golberg, Chem. Eur. J. 2006, 12, 2987.
19. S. Shimada, T. Kataoka, J. Am. Ceram. Soc. 2001, 84, 2442.
20. H. Li, K. Komeya, J. Tatami, T. Meguro, Y. Chiba, M. Komatsu, J. Ceram. Soc. Jpn. 2001, 109, 342.
21. C. Xu, M. Kim, J. Chun, D. E. Kim, B. Chon, S. Hong, T. Joo, Scr. Mater. 2005, 53, 949.
22. X. C. Wu, W. H. Song, B. Zhao, W. D. Huang, M. H. Pu, Y. P. Sun, J. J. Du, Solid State Commun. 2000, 115, 683.
23. Y. J. Bai, J. Bian, C. G. Wang, B. Zhu, Y. X. Qi, Y. X. Wang, Y. X. Liu, G. L. Geng, J. Mater. Chem. 2005, 15, 4832.
24. T. Xie, Y. C. Wu, W. P. Cai, L. D. Zhang, Phys. Status Solidi (a) 2005, 202, 1919.
25. I. G. Cano, M. A. Rodringuez, Scr. Mater. 2004, 50, 383.
26. L. Zhang, H. Jin, W. Yang, Z. Xie, H. Miao, L. An, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 061908.
27. M. Molinari, H. Rinnert, M. Vergnet, Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 3499.
28. N. Wada, S. A. Solin, J. Wong, S. Prochazka, J. Non-Cryst. Solids 1981, 43, 7.
29. R. Gupta, Q. Xiong, C. K. Adu, U. J. Kim, P. C. Eklund, Nano Lett. 2003, 3, 627.
30. J. J. Niu, J. Sha, D. Yang, Scr. Mater. 2006, 55, 183.
31. D. P. Yu, Z. G. Bai, J. J. Wang, Y. H. Zou, W. Qian, J. S. Fu, H. Z. Zhang, Y. Ding, G. C. Xiong, S. Q. Feng, Phys. Rev. B 1999, 59, 2498.
32. J. J. Niu, J. Sha, Z. Liu, Z. Su, J. Yu, D. Yang, Phys. E 2004, 24, 268.