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Volumn 516, Issue 21, 2008, Pages 7744-7747

Inductively coupled plasma etching of nano-patterned sapphire for flip-chip GaN light emitting diode applications

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GaN; Light emitting diodes; Plasma etching; Sapphire; Surface texturing

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EID: 49349094168     PISSN: 00406090     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.tsf.2008.05.046     Document Type: Letter
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References (22)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.