Electrical charging effect in room-temperature-ferromagnetic ZnMnO:N nanocrystals embedded into a SiO2 layer

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 52, Issue 6, 2008, Pages 1900-1904

  Lee, Sejoon ^a,b   Kim, Deuk Young ^b   Kang, Tae Won ^b   Cho, Hyung Koun ^c  

^a INSTITUTE OF INDUSTRIAL SCIENCE   (Japan)

^b Dongguk University   (South Korea)

^c Sungkyunkwan University   (South Korea)

Author keywords

High TC ferromagnetism; Memory effect; Mn and N codoped ZnO; Nanocrystals

Indexed keywords

EID: 46849108491     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.52.1900     Document Type: Article

References (23)

1. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
2. P. Sharma, A. Gupta, K. V. Rao, F. J. Owens, R. Sharma, R. Ahuja, J. M. O. Guillen, B. Johansson and G. A. Gehring, Nature Materials 2, 673 (2003).
3. D. P. Norton, S. J. Pearton, A. F. Hebard, N. Theodoropoulou, L. A. Boatner and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 82, 239 (2003).
4. Y. W. Heo, M. P. Ivill, K. Ip, D. P. Norton, S. J. Pearton, J. G. Kelly, R. Rairigh, A. F. Hebard and T. Steiner, Appl. Phys. Lett. 84, 2292 (2004).
5. S. Lee, D. Y. Kim, Y. Shon and C. S. Yoon, Appl. Phys. Lett. 89, 022120 (2006).
6. S. Lee, Y. Shou, S.-W. Lee, S. J. Hwang, H. S. Lee, T. W. Kang and D. Y. Kim, Appl. Phys. Lett. 88, 212513 (2006).
7. S. Y. Park, Y. J. Yoo, P. J. Kim, Y. P. Lee, T. H. Kim and J.-H. Kang, J. Korean Phys. Soc. 49, 1029 (2006).
8. S. Y. Park, H. W. Lee, Y. P. Lee and J. Y. Rhee, J. Korean Phys. Soc. 51, 1497 (2007).
9. Y. Y. Song, K. S. Park, K. H. Park, S. K. Oh, S. C. Yu, H. J. Kang and K. W. Lee, J. Korean Phys. Soc. 52, 106 (2008).
10. D. D. Awschalom and R. K. Kawakami, Nature (London) 408, 923 (2000).
11. D. Chiba, M. Yamanouchi, F. Matsukura and H. Ohno, Science 301, 943 (2003).
12. M. Yamanouchi, D. Chiba, F. Matsukura and H. Ohno, Nature (London) 428, 539 (2004).
13. J. H. Jung, J. Y. Jin, I. Lee, T. W. Kim, H. G. Roh and Y.-H. Kim, Appl. Phys. Lett, 88, 112107 (2006).
14. J. H. Jung, H. J. Kim, B. J. Kim, T. W. Kim and Y.-H. Kim, Appl. Phys. Lett. 91, 182107 (2007).
15. F. Li, T. W. Kim, W. Dong and Y.-H. Kim, Appl. Phys. Lett. 92, 011906 (2008).
16. G. F. Grom, D. J. Lockwood, J. P. McCaffrey, H. J. Labbé, P. M. Fauchet, B. White, Jr, J. Diener, D. Kovalev, F. Koch and L. Tsybeskov, Nature (London) 407, 358 (2000).
17. L. Tsybeskov, K. D. Hirschman, S. P. Duttagupta, M. Zacharias, P. M. Fauchet, J. P. McCaffrey and D. J. Lockwood, Appl. Phys. Lett. 72, 43 (1998).
18. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization, 2nd ed (Wiley, New York, 1998).
19. I. S. Jacobs and J. S. Kouvel, Phys. Rev. 122, 412 (1961).
20. S. W. Jung, S.-J. An, G.-C. Yi, C. U. Jung, S.-I. Lee and S. Cho, Appl. Phys. Lett. 80, 4561 (2002).
21. S.-J. Han, T.-H. Jang, Y. B. Kim, B.-G. Park, J.-H. Park and Y. H. Jeong, Appl. Phys. Lett. 83, 920 (2003).
22. S. J. Pearton, W. H. Heo, M. Ivill, D. P. Norton and T. Steiner, Semicond. Sci. Technol. 19, R59 (2004).
23. M. Berciu and R. N. Bhatt, Phys. Rev. Lett. 87, 107203 (2001).