Effect of photon irradiation on structural, dielectric, and insulating properties of Ba0.60Sr0.40TiO3 thin films

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 21, 2008, Pages

  Podpirka, Adrian ^a   Cole, M W ^b   Ramanathan, Shriram ^a  

^a HARVARD UNIVERSITY   (United States)

^b U S ARMY RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BARIUM ALLOYS; CRYSTALLIZATION KINETICS; DIELECTRIC MATERIALS; ELECTRON IRRADIATION; INSULATING MATERIALS; MOLECULAR STRUCTURE;

BARIUM STRONTIUM TITANATE (BST) THIN FILMS; FILMS ANNEALING; INSULATING PROPERTIES; PHOTON IRRADIATION;

THIN FILMS;

EID: 44449096256     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2936305     Document Type: Article

References (22)

1. C. L. Chen, J. Shen, S. Y. Chen, G. P. Luo, C. W. Chu, F. A. Miranda, F. W. Van Keuls, J. C. Jiang, E. I. Meletis, and H. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 78, 652 (2001).
2. A. Kumar, S. G. Manavalan, V. Gurumurthy, S. Jeedigunta, and T. Weller, Mater. Sci. Eng., B 139, 177 (2007).
3. J. Park, C. S. Hwang, and D. Y. Yang, J. Mater. Res. 16, 1363 (2001).
4. Z.-G. Ban and S. P. Alpay, J. Appl. Phys. 93, 504 (2003).
5. W. Zhu, J. Cheng, S. Yu, J. Gong, and Z. Meng, Appl. Phys. Lett. 90, 032907 (2007).
6. P. C. Joshi and M. W. Cole, Appl. Phys. Lett. 77, 289 (2000).
7. S. Hyun, J. H. Lee, S. S. Kim, K. Char, S. J. Park, S. Sok, and E. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 3084 (2000).
8. H. S. Kim, T. S. Hyun, H. G. Kim, I. D. Kim, T. S. Yun, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 89, 052902 (2006).
9. S. K. Sahoo, D. C. Agrawal, Y. N. Mohapatra, S. B. Majumder, and R. S. Katiyar, Appl. Phys. Lett. 85, 5001 (2004).
10. W. Choi, B. S. Kang, Q. X. Jia, V. Matias, and A. T. Findikoglu, Appl. Phys. Lett. 88, 062907 (2006).
11. V. Craciun, A. Srivastava, J. M. Howard, R. K. Singh, and J. Perriere, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 69, S787 (1999).
12. JCPDS Report No. 00-034-0411.
13. W. J. Kim, W. Chang, S. B. Qadri, J. M. Pond, S. W. Kirchoefer, D. B. Chrisey, and J. S. Horwitz, Appl. Phys. Lett. 76, 1185 (2000).
14. J. S. Horwitz, W. Chang, W. Kim, S. B. Qadri, J. M. Pond, S. W. Kirchoefer, and D. B. Chrisey, J. Electroceram. 4, 357 (2000).
15. S. Saha and S. B. Krupanidhi, J. Appl. Phys. 87, 3056 (2000).
16. M. W. Cole, P. C. Joshi, and M. H. Ervin, J. Appl. Phys. 89, 6336 (2001).
17. M. W. Cole, A. Podpirka, and S. Ramanathan, Tech. Doc Rep. ARL TDR 27, 1 (2007).
18. D. C. Shye, C. C. Hwang, M. J. Lai, C. C. Jaing, J. S. Chen, S. Huang, M. H. Juang, B. S. Chiou, and H. C. Cheng, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 549 (2003).
19. V. Craciun and R. K. Singh, Appl. Surf. Sci. 168, 239 (2000).
20. V. Craciun and R. K. Singh, Appl. Phys. Lett. 76, 1932 (2000).
21. S. Ramanathan, D. A. Muller, G. D. Wilk, C. M. Park, and P. C. McIntyre, Appl. Phys. Lett. 79, 3311 (2001).
22. J. H. Joo, J. M. Seon, Y. C. Jeon, K. Y. Oh, J. S. Roh, and J. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 70, 3053 (1997).