1 nm equivalent oxide thickness in Ga2 O3 (Gd2 O3) In0.2 Ga0.8 As metal-oxide-semiconductor capacitors

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 17, 2008, Pages

  Shiu, K H ^a   Chiang, T H ^a   Chang, P ^a   Tung, L T ^a   Hong, M ^a   Kwo, J ^a   Tsai, W ^b  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b INTEL CORPORATION   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ELECTRIC POTENTIAL; INTERFACES (MATERIALS); THIN FILMS;

INTERFACIAL DENSITY; LEAKAGE CURRENT DENSITIES;

MOS CAPACITORS;

EID: 43049083322     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2918835     Document Type: Article

References (16)

1. I. Ok, H. Kim, M. Zhang, C.-Y. Kang, S. J. Rhee, C. Choi, S. A. Krishnan, T. Lee, F. Zhu, G. Thareja, and J. C. Lee, IEEE Electron Device Lett. 27, 145 (2006).
2. Y. Xuan, H. C. Lin, P. D. Ye, and G. D. Wilk, Appl. Phys. Lett. 88, 263518 (2006).
3. J.-F. Zheng, W. Tsai, T. D. Lin, Y. J. Lee, C. P. Chen, M. Hong, J. Kwo, S. Cui, and T. P. Ma, Appl. Phys. Lett. 91, 223502 (2007).
4. M. Hong, J. P. Mannaerts, J. E. Bowers, J. Kwo, M. Passlack, W.-Y. Hwang, and L. W. Tu, J. Cryst. Growth 175, 422 (1997).
5. J. Kwo, D. W. Murphy, M. Hong, R. L. Opila, J. P. Mannaerts, A. M. Sergent, and R. L. Masaitis, Appl. Phys. Lett. 75, 1116 (1999).
6. F. Ren, M. Hong, W. S. Hobson, J. M. Kuo, J. R. Lothian, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, Y. K. Chen, and A. Y. Cho, Solid-State Electron. 41, 1751 (1997).
7. Y. C. Wang, M. Hong, J. M. Kuo, J. P. Mannaerts, J. Kwo, H. S. Tsai, J. J. Krajewski, Y. K. Chen, and A. Y. Cho, IEEE Electron Device Lett. 20, 457 (1999).
8. M. Hong, J. Kwo, P. J. Tsai, Y. C. Chang, M. L. Huang, C. P. Chen, and T. D. Lin, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 46, 3167 (2007).
9. M. Hong, Z. H. Lu, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, J. J. Krajewski, K. C. Hsieh, L. J. Chou, and K. Y. Cheng, Appl. Phys. Lett. 76, 312 (2000).
10. C. P. Chen, Y. J. Lee, Y. C. Chang, Z. K. Yang, M. Hong, J. Kwo, H. Y. Lee, and T. S. Lay, J. Appl. Phys. 100, 104502 (2006).
11. Y. L. Huang, P. Chang, Z. K. Yang, Y. J. Lee, H. Y. Lee, H. J. Liu, J. Kwo, J. P. Mannaerts, and M. Hong, Appl. Phys. Lett. 86, 191905 (2005).
12. H.-C. Lin, S. Senanayake, K.-Y. Cheng, M. Hong, J. Kwo, B. Yang, and J. P. Mannaerts, IEEE Trans. Electron Devices 50, 880 (2003).
13. B. J. Sealy, Semicond. Sci. Technol. 3, 448 (1988).
14. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (Wiley, New York, 2003), p. 197.
15. M. L. Huang, Y. C. Chang, C. H. Chang, Y. J. Lee, P. Chang, J. Kwo, T. B. Wu, and M. Hong, Appl. Phys. Lett. 87, 252104 (2005).
16. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (Wiley, New York, 1998).