Electronic state calculations of Si quantum dots: Oxidation effects

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 69, Issue 16, 2004, Pages

  Nishida, Masahiko ^a  

^a KANAZAWA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

OXYGEN; SILICON; SILICON DIHYDRIDE; UNCLASSIFIED DRUG;

ARTICLE; CALCULATION; CHEMICAL BOND; CRYSTAL; DIPOLE; ELECTRON; ENERGY; INFRARED SPECTROSCOPY; NANOCRYSTAL; NANOPARTICLE; OXIDATION; PHOTOLUMINESCENCE; QUANTUM MECHANICS;

EID: 42749099282     PISSN: 01631829     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.69.165324     Document Type: Article

References (24)

1. A. G. Cullis, L. T. Canham, and P. D. J. Calcott, J. Appl. Phys. 82, 909 (1997).
2. M. V. Wolkin, J. Jorne, P. M. Fauchet, G. Allan, and C. Delerue, Phys. Rev. Lett. 82, 197 (1999).
3. A. Puzder, A. J. Williamson, J. C. Grossman, and G. Galli, J. Chem. Phys. 117, 6721 (2002).
4. I. Vasiliev, J. R. Chelikowsky, and R. M. Martin, Phys. Rev. B 65, 121302 (2002).
5. Y. Dai, S. Han, D. Dai, Y. Zhang, and Y. Qi, Solid State Commun. 126, 103 (2003); M. Luppi and S. Ossicini, J. Appl. Phys. 94, 2130 (2003).
6. Y. Dai, S. Han, D. Dai, Y. Zhang, and Y. Qi, Solid State Commun. 126, 103 (2003); M. Luppi and S. Ossicini, J. Appl. Phys. 94, 2130 (2003).
7. Y. Kato, T. Ito, and A. Hiraki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 27, L1406 (1988); P. Gupta, A. C. Dillon, A. S. Bracker, and S. M. George, Surf. Sci. 245, 360 (1991); K. H. Li, C. Tsai, and J. C. Cambell, J. Electron. Mater. 23, 409 (1994); Y. Ogata, H. Niki, T. Sakka, and M. Iwasaki, J. Electrochem. Soc. 142, 1595 (1995); P. O'Keeffe, S. Komuro, T. Kato, T. Morikawa, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 66, 836 (1995); H. Chen, X. Hou, G. Li, F. Zhang, M. Yu, and X. Wang, J. Appl. Phys. 79, 3282 (1996); D. B. Mamhinney, J. A. Glass, Jr., and J. T. Yates, Jr., J. Phys. Chem. B 101, 1202 (1997).
8. Y. Kato, T. Ito, and A. Hiraki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 27, L1406 (1988); P. Gupta, A. C. Dillon, A. S. Bracker, and S. M. George, Surf. Sci. 245, 360 (1991); K. H. Li, C. Tsai, and J. C. Cambell, J. Electron. Mater. 23, 409 (1994); Y. Ogata, H. Niki, T. Sakka, and M. Iwasaki, J. Electrochem. Soc. 142, 1595 (1995); P. O'Keeffe, S. Komuro, T. Kato, T. Morikawa, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 66, 836 (1995); H. Chen, X. Hou, G. Li, F. Zhang, M. Yu, and X. Wang, J. Appl. Phys. 79, 3282 (1996); D. B. Mamhinney, J. A. Glass, Jr., and J. T. Yates, Jr., J. Phys. Chem. B 101, 1202 (1997).
9. Y. Kato, T. Ito, and A. Hiraki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 27, L1406 (1988); P. Gupta, A. C. Dillon, A. S. Bracker, and S. M. George, Surf. Sci. 245, 360 (1991); K. H. Li, C. Tsai, and J. C. Cambell, J. Electron. Mater. 23, 409 (1994); Y. Ogata, H. Niki, T. Sakka, and M. Iwasaki, J. Electrochem. Soc. 142, 1595 (1995); P. O'Keeffe, S. Komuro, T. Kato, T. Morikawa, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 66, 836 (1995); H. Chen, X. Hou, G. Li, F. Zhang, M. Yu, and X. Wang, J. Appl. Phys. 79, 3282 (1996); D. B. Mamhinney, J. A. Glass, Jr., and J. T. Yates, Jr., J. Phys. Chem. B 101, 1202 (1997).
10. Y. Kato, T. Ito, and A. Hiraki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 27, L1406 (1988); P. Gupta, A. C. Dillon, A. S. Bracker, and S. M. George, Surf. Sci. 245, 360 (1991); K. H. Li, C. Tsai, and J. C. Cambell, J. Electron. Mater. 23, 409 (1994); Y. Ogata, H. Niki, T. Sakka, and M. Iwasaki, J. Electrochem. Soc. 142, 1595 (1995); P. O'Keeffe, S. Komuro, T. Kato, T. Morikawa, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 66, 836 (1995); H. Chen, X. Hou, G. Li, F. Zhang, M. Yu, and X. Wang, J. Appl. Phys. 79, 3282 (1996); D. B. Mamhinney, J. A. Glass, Jr., and J. T. Yates, Jr., J. Phys. Chem. B 101, 1202 (1997).
11. Y. Kato, T. Ito, and A. Hiraki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 27, L1406 (1988); P. Gupta, A. C. Dillon, A. S. Bracker, and S. M. George, Surf. Sci. 245, 360 (1991); K. H. Li, C. Tsai, and J. C. Cambell, J. Electron. Mater. 23, 409 (1994); Y. Ogata, H. Niki, T. Sakka, and M. Iwasaki, J. Electrochem. Soc. 142, 1595 (1995); P. O'Keeffe, S. Komuro, T. Kato, T. Morikawa, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 66, 836 (1995); H. Chen, X. Hou, G. Li, F. Zhang, M. Yu, and X. Wang, J. Appl. Phys. 79, 3282 (1996); D. B. Mamhinney, J. A. Glass, Jr., and J. T. Yates, Jr., J. Phys. Chem. B 101, 1202 (1997).
12. Y. Kato, T. Ito, and A. Hiraki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 27, L1406 (1988); P. Gupta, A. C. Dillon, A. S. Bracker, and S. M. George, Surf. Sci. 245, 360 (1991); K. H. Li, C. Tsai, and J. C. Cambell, J. Electron. Mater. 23, 409 (1994); Y. Ogata, H. Niki, T. Sakka, and M. Iwasaki, J. Electrochem. Soc. 142, 1595 (1995); P. O'Keeffe, S. Komuro, T. Kato, T. Morikawa, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 66, 836 (1995); H. Chen, X. Hou, G. Li, F. Zhang, M. Yu, and X. Wang, J. Appl. Phys. 79, 3282 (1996); D. B. Mamhinney, J. A. Glass, Jr., and J. T. Yates, Jr., J. Phys. Chem. B 101, 1202 (1997).
13. Y. Kato, T. Ito, and A. Hiraki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 27, L1406 (1988); P. Gupta, A. C. Dillon, A. S. Bracker, and S. M. George, Surf. Sci. 245, 360 (1991); K. H. Li, C. Tsai, and J. C. Cambell, J. Electron. Mater. 23, 409 (1994); Y. Ogata, H. Niki, T. Sakka, and M. Iwasaki, J. Electrochem. Soc. 142, 1595 (1995); P. O'Keeffe, S. Komuro, T. Kato, T. Morikawa, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 66, 836 (1995); H. Chen, X. Hou, G. Li, F. Zhang, M. Yu, and X. Wang, J. Appl. Phys. 79, 3282 (1996); D. B. Mamhinney, J. A. Glass, Jr., and J. T. Yates, Jr., J. Phys. Chem. B 101, 1202 (1997).
14. E. B. Vazsonyi, M. Koos, G. Jalsovszky, and I. Pocsik, J. Lumin. 57, 121 (1993); S. Shih, K. H. Jung, J. Yan, D. L. Kwong, M. Kovar, J. M. White, M. George, and S. Kim, Appl. Phys. Lett. 63, 3306 (1993); M. A. Hory, R. Herino, M. Ligeon, F. Muller, F. Gaspard, L. Mihalcescu, and J. C. Vial, Thin Solid Films 255, 200 (1995).
15. E. B. Vazsonyi, M. Koos, G. Jalsovszky, and I. Pocsik, J. Lumin. 57, 121 (1993); S. Shih, K. H. Jung, J. Yan, D. L. Kwong, M. Kovar, J. M. White, M. George, and S. Kim, Appl. Phys. Lett. 63, 3306 (1993); M. A. Hory, R. Herino, M. Ligeon, F. Muller, F. Gaspard, L. Mihalcescu, and J. C. Vial, Thin Solid Films 255, 200 (1995).
16. E. B. Vazsonyi, M. Koos, G. Jalsovszky, and I. Pocsik, J. Lumin. 57, 121 (1993); S. Shih, K. H. Jung, J. Yan, D. L. Kwong, M. Kovar, J. M. White, M. George, and S. Kim, Appl. Phys. Lett. 63, 3306 (1993); M. A. Hory, R. Herino, M. Ligeon, F. Muller, F. Gaspard, L. Mihalcescu, and J. C. Vial, Thin Solid Films 255, 200 (1995).
17. M. Nishida, Phys. Rev. B 58, 7103 (1998); 58, 15 789 (1999); 60, 8902 (1999); Solid State Commun, 116, 655 (2000).
18. M. Nishida, Phys. Rev. B 58, 7103 (1998); 58, 15 789 (1999); 60, 8902 (1999); Solid State Commun, 116, 655 (2000).
19. M. Nishida, Phys. Rev. B 58, 7103 (1998); 58, 15 789 (1999); 60, 8902 (1999); Solid State Commun, 116, 655 (2000).
20. M. Nishida, Phys. Rev. B 58, 7103 (1998); 58, 15 789 (1999); 60, 8902 (1999); Solid State Commun, 116, 655 (2000).
21. F. Mauri, A. Pasquarello, B. G. Pfrommer, Y. G. Yoon, and S. G. Louie, Phys. Rev. B 62, R4786 (2000).
22. M. Lannoo and J. Bourgoin, in Point Defects in Semiconductors I, edited by M. Cardona (Spring-Verlag, New York, 1981), p. 123.
23. R. S. Mulliken, J. Chem. Phys. 23, 1933 (1955).
24. P. K. Basu, Theory of Optical Processes in Semiconductors (Oxford University Press, New York, 1997), p. 43.