Surface passivant effects on electronic states of the band edge in Si-nanocrystals

Solid State Communications

Volumn 126, Issue 3, 2003, Pages 103-106

  Dai, Ying ^a   Han, Shenghao ^a   Dai, Dadi ^b   Zhang, Ying ^a   Qi, Yun ^a  

^a SHANDONG UNIVERSITY   (China)

^b NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

A. Si nanocrystals; A. Surface; C. Point defect

Indexed keywords

ELECTRONIC DENSITY OF STATES; ELECTRONIC STRUCTURE; ENERGY GAP; NANOSTRUCTURED MATERIALS; POINT DEFECTS; PROBABILITY DENSITY FUNCTION; SEMICONDUCTING SILICON;

PASSIVANTS; SURFACE EFFECTS;

PASSIVATION;

EID: 0037377187     PISSN: 00381098     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0038-1098(03)00086-3     Document Type: Article

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