Surface treatment of indium tin oxide using radio frequency atmospheric and low pressure plasma for OLEDs

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 155, Issue 5, 2008, Pages

  Jung, Mi Hee ^a   Choi, Ho Suk ^a,b  

^a Chungnam National University   (South Korea)

^b ELECTROCHEMICAL SOCIETY

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATMOSPHERIC PRESSURE; INDIUM COMPOUNDS; ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES (OLED); SURFACE TREATMENT;

INDIUM TIN OXIDE; LOW PRESSURE PLASMA; RADIO FREQUENCY ATMOSPHERICS;

OXIDES;

EID: 41849119917     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2894207     Document Type: Article

References (30)

1. C. W. Tang, Appl. Phys. Lett., 48, 183 (1986).
2. C. W. Tang and S. A. Van Slyke, Appl. Phys. Lett., 51, 913 (1987).
3. S. A. Van Slyke, C. H. Chen, and C. W. Tang, Appl. Phys. Lett., 69, 2160 (1987).
4. Y. Kim, H. Lim, and C. Sik Ha, Solid-State Electron., 48, 633 (2004).
5. H. Kajii, A. Sakakibara, H. Okuya, T. Morimune, and Y. Ohmori, Thin Solid Films, 499, 415 (2006).
6. P. E. Burrows, V. Bulovic, S. R. Forrest, L. S. Sapochak, D. M. McCarty, and M. E. Thompson, Appl. Phys. Lett., 65, 2922 (1994).
7. P. He, S. D. Wang, W. K. Wong, L. F. Cheng, C. S. Lee, S. T. Lee, and S. Y. Liu, Chem. Phys. Lett., 370, 795 (2003).
8. R. F. Bianchi, A. J. F. Carvalho, M. A. Pereira-da-Silva, D. T. Balogh, and R. M. Faria, Mater. Sci. Eng., C, C24, 595 (2004).
9. J. S. Kim, M. Granström, R. H. Friend, N. Johansson, W. R. Salaneck, R. Daik, and W. J. Feast, J. Appl. Phys., 84, 6859 (1998).
10. C. C. Wu, C. I. Wu, J. C. Sturm, and A. Kahn, Appl. Phys. Lett., 70, 1348 (1997).
11. G. Y. Kim, J. S. Oh, E. H. Choi, G. S. Cho, S. O. Kang, and J. Cho, Mater. Sci. Eng., B, B100, 275 (2003).
12. D. Lu, Y. Wu, J. Guo, G. Lu, Y. Wang, and J. Shen, Mater. Sci. Eng., B, B97, 141 (2003).
13. J. S. Kim, F. Cacialli, A. Cola, G. Gigli, and R. Cingolani, Appl. Phys. Lett., 75, 19 (1999).
14. J. S. Kim, R. H. Friend, and F. Cacialli, Appl. Phys. Lett., 74, 3084 (1999).
15. K. X. Ma, C. H. Ho, F. Zhu, and T. S. Chung, Thin Solid Films, 371, 140 (2000).
16. K. Furukawa, Y. Terasaka, H. Ueda, and M. Matsumura, Synth. Met., 91, 99 (1997).
17. S. K. So, W. K. Choi, C. H. Cheng, L. M. Leung, and C. F. Kwong, Appl. Phys. A, 68, 447 (1999).
18. K. Sugiyama, H. Ishii, Y. Ouchi, and K. Seki, J. Appl. Phys., 87, 295 (2000).
19. M.-H. Jung and H.-S. Choi, J. Colloid Interface Sci., 310, 550 (2007).
20. M. Zenkiewicz, J. Adhes. Sci. Technol., 15, 1769 (2001).
21. A. Holländer, J. Colloid Interface Sci., 169, 493 (1995).
22. J. S. Kim, R. H. Friend, and F. Cacialli, J. Appl. Phys., 86, 2774 (1999).
23. C. W. Extrand and Y. Kumagai, J. Colloid Interface Sci., 191, 378 (1997).
24. M. C. Michalski, J. Hardy, and B. J. V. Saramago, J. Colloid Interface Sci., 208, 319 (1998).
25. B. Bouali, F. Ganachaud, J. P. Chapel, C. Pichot, and P. Lanteri, J. Colloid Interface Sci., 208, 81 (1998).
26. L. H. Lee, Langmuir, 12, 1681 (1996).
27. G. Y. Kim, J. S. Oh, E. H. Choi, G. S. Cho, S. O. Kang, and J. Cho, Mater. Sci. Eng., B, B100, 275 (2003).
28. J. W. Bae, H. J. Kim, J. S. Kim, N. E. Lee, and G. Y. Yeom, Vacuum, 56, 77 (2000).
29. Y. Park, V. Choong, Y. Gao, B. R. Hsieh, and C. W. Tang, Appl. Phys. Lett., 68, 2699 (1996).
30. L. Chkoda, C. Heske, M. Sokolowski, E. Umbach, F. Steuber, J. Staudigel, M. StöΒel, and J. Simmerer, Synth. Met., 111-112, 315 (2000).