Multiferroic properties of sputtered BiFe O3 thin films

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 13, 2008, Pages

  Li, Yibin ^a,b   Sritharan, Thirumany ^a   Zhang, Sam ^c   He, Xiaodong ^b   Liu, Yang ^d   Chen, Tupei ^d  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b HARBIN INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (China)

^c NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^d NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BISMUTH COMPOUNDS; CRYSTAL STRUCTURE; CURRENT DENSITY; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; SPUTTERING; SUBSTRATES;

COSPUTTERING; LEAKAGE CURRENT DENSITY; MULTIFERROIC PROPERTIES; SATURATED FERROMAGNETIC LOOP;

THIN FILMS;

EID: 41649095481     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2901871     Document Type: Article

References (26)

1. C. Michel, J.-M. Moreau, G. D. Achenbach, R. Gerson, and W. J. James, Solid State Commun. 7, 701 (1969).
2. J. B. Neaton, C. Ederer, U. V. Waghmare, N. A. Spaldin, and K. M. Rabe, Phys. Rev. B 71, 014113 (2005).
3. J. D. Bucci, B. K. Robertson, and W. J. James, J. Appl. Crystallogr. 5, 187 (1972).
4. J. R. Teague, R. Gerson, and W. J. James, Solid State Commun. 8, 1073 (1970).
5. J. Wang, J. B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S. B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, U. V. Waghmare, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig, and R. Ramesh, Science 299, 1719 (2003).
6. J. Wang, H. Zheng, Z. Ma, S. Prasertchoung, M. Wuttig, R. Droopad, J. Yu, K. Eisenbeiser, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 85, 2574 (2004).
7. Y. Wang, Q. H. Jiang, H. C. He, and G. W. Nan, Appl. Phys. Lett. 88, 142503 (2006).
8. R. R. Das, D. M. Kim, S. H. Baek, C. B. Eom, F. Zavaliche, S. Y. Yang, R. Ramesh, Y. B. Chen, X. Q. Pan, X. Ke, M. S. Rzchowski, and S. K. Streiffer, Appl. Phys. Lett. 88, 242904 (2006).
9. Y.-H. Lee, C.-C. Lee, Z.-X. Liu, C.-S. Liang, and J.-M. Wu, Electrochem. Solid-State Lett. 9, F38 (2006).
10. H. Uchid, R. Ueno, H. Funakubo, and S. Koda, J. Appl. Phys. 100, 014106 (2006).
11. R. Y. Zheng, X. S. Gao, Z. H. Zhou, and J. Wang, J. Appl. Phys. 101, 054104 (2007).
12. Y.-H. Lee, C.-S. Liang, and J.-M. Wu, Electrochem. Solid-State Lett. 8, F55 (2005).
13. S. K. Singha, H. Ishiwara, K. Sato, and K. Maruyama, J. Appl. Phys. 102, 094109 (2007).
14. X. Qi, J. Dho, R. Tomov, M. G. Blamire, and J. L. MacManus-Driscoll, Appl. Phys. Lett. 86, 062903 (2005).
15. G. W. Pabst, L. W. Martin, Y. H. Chu, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 90, 072902 (2007).
16. Y. Wang and C. W. Nan, Appl. Phys. Lett. 89, 052903 (2006).
17. G. W. Dietz, W. Antpohler, M. Klee, and R. Waser, J. Appl. Phys. 78, 6113 (1995).
18. K. H. Ahn, S. S. Kim, and S. G. Baik, J. Appl. Phys. 92, 421 (2002).
19. C. J. Peng and S. B. Krupanidhi, J. Mater. Res. 10, 708 (1995).
20. J. F. Scott, C. A. Araujo, B. M. Melnick, L. D. McMillan, and R. Zuleeg, J. Appl. Phys. 70, 382 (1991).
21. J. F. Li, J. Wang, M. Wuttig, R. Ramesh, N. Wang, B. Ruette, A. P. Pyatakov, A. K. Zvezdin, and D. Viehland, Appl. Phys. Lett. 84, 5261 (2004).
22. Y. Wang, Q. H. Jiang, H. C. He, and C. W. Nan, Appl. Phys. Lett. 88, 142503 (2006).
23. S. T. Zhang, M. H. Lu, D. Wu, Y. F. Chen, and N. B. Ming, Appl. Phys. Lett. 87, 262907 (2005).
24. C. Ederer and N. A. Spaldin, Phys. Rev. B 71, 060401 (R) (2005).
25. J. M. D. Coey, A. P. Douvalis, C. B. Fitzgerald, and M. Venkatesan, Appl. Phys. Lett. 84, 1332 (2004).
26. J. Wang, A. Scholl, H. Zheng, S. B. Ogale, D. Viehland, D. G. Schlom, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig, L. Mohaddes, J. Neaton, U. Waghmare, T. Zhao, and R. Ramesh, Science 307, 1203b (2005).