Phase separation behavior of Ge2 Sb2 Te5 line structure during electrical stress biasing

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 11, 2008, Pages

  Nam, Sung Wook ^a   Kim, Cheolkyu ^b   Kwon, Min Ho ^a   Lee, Hyo Sung ^a   Wi, Jung Sub ^a   Lee, Dongbok ^a   Lee, Tae Yon ^b   Khang, Yoonho ^b   Kim, Ki Bum ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

MELTING; PHASE CHANGE MEMORY; PHASE DIAGRAMS; PHASE SEPARATION;

ELECTRICAL STRESS BIASING; SCANNING AUGER MICROSCOPE ANALYSIS;

GERMANIUM COMPOUNDS;

EID: 41049086126     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2899967     Document Type: Article

References (17)

1. S. R. Ovshinsky, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett. 21.1450 21, 1450 (1968).
2. N. Yamada, E. Ohno, K. Nishiuchi, N. Akahira, and M. Takao, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.348620 69, 2849 (1991).
3. M. Wuttig and N. Yamada, Nat. Mater. NMAACR 1476-1122 10.1038/nmat2009 6, 824 (2007).
4. A. V. Kolobov, P. Fons, A. I. Frenkel, A. L. Ankudinov, J. Tominaga, and T. Uruga, Nat. Mater. NMAACR 1476-1122 10.1038/nmat1215 3, 703 (2004).
5. S. Lai, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. TDIMD5 0163-1918 2003, 255.
6. S. J. Ahn, Y. J. Song, C. W. Jeong, J. M. Shin, Y. Fai, Y. N. Hwang, S. H. Lee, K. C. Ryoo, S. Y. Lee, J. H. Park, H. Horii, Y. H. Ha, J. H. Yi, B. J. Kuh, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, K. Kim, and B. I. Ryu, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. TDIMD5 0163-1918 2004, 907.
7. Y. C. Chen, C. T. Rettner, S. Raoux, G. W. Burr, S. H. Chen, R. M. Shelby, M. Salinga, W. P. Risk, T. D. Happ, G. M. McClelland, M. Breitwisch, A. Schrott, J. B. Philipp, M. H. Lee, R. Cheek, T. Nirschl, M. Lamorey, C. F. Chen, E. Joseph, S. Zaidi, B. Yee, H. L. Lung, R. Bergmann, and C. Lam, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. TDIMD5 0163-1918 2006, 30.
8. T. Y. Lee, S. S. Yim, D. Lee, M. H. Lee, D. H. Ahn, and K. B. Kim, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2362981 89, 163503 (2006).
9. A. Pirovano, A. Redaelli, F. Pellizzer, F. Ottogalli, M. Tosi, D. Lelmini, A. L. Lacaita, and R. Bez, IEEE Trans. Device Mater. Reliab. ITDMA2 1530-4388 10.1109/TDMR.2004.836724 4, 422 (2004).
10. S. M. Yoon, K. J. Choi, N. Y. Lee, S. Y. Lee, Y. S. Park, and B. G. Yu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 JAPLD8 0021-4922 10.1143/JJAP.46.L99 46, L99 (2007).
11. S. O. Ryu, S. M. Yoon, K. J. Choi, N. Y. Lee, Y. S. Park, S. Y. Lee, B. G. Yu, J. B. Park, and W. C. Shin, J. Electrochem. Soc. JESOAN 0013-4651 10.1149/1.2164768 153, G234 (2006).
12. J. B. Park, G. S. Park, H. S. Baik, J. H. Lee, H. Jeong, and K. Kim, J. Electrochem. Soc. JESOAN 0013-4651 10.1149/1.2409482 154, H139 (2007).
13. J. Sarkar and B. Gleixner, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2821845 91, 233506 (2007).
14. S. W. Nam, T. Y. Lee, J. S. Wi, D. Lee, H. S. Lee, K. B. Jin, M. H. Lee, H. M. Kim, and K. B. Kim, J. Electrochem. Soc. JESOAN 0013-4651 10.1149/1.2756992 154, H844 (2007).
15. C. Cabral, Jr., K. N. Chen, L. Krusin-Elbaum, and V. Deline, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2450656 90, 051908 (2007).
16. L. Brambilla, L. Colombo, V. Rosato, and F. Cleri, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1317535 77, 2337 (2000).
17. A. Bruson and M. Geri, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.331141 53, 3616 (1982).