Atomic layer deposition of HfO2 and Si nitride on Ge substrates

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 46, Issue 12, 2007, Pages 7699-7701

  Zhu, Shiyang ^a   Nakajima, Anri ^a  

^a HIROSHIMA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

Atomic layer deposition; Germanium; Hafnium dioxide; High material; Si nitride

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; GERMANIUM COMPOUNDS; OXIDANTS; SILICON NITRIDE; STOICHIOMETRY; THIN FILMS;

DEPOSITION RATE; HAFNIUM DIOXIDE; SI NITRIDE; SMOOTH SURFACE;

HAFNIUM COMPOUNDS;

EID: 37549045991     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.46.7699     Document Type: Article

References (15)

1. H. Shang, M. M. Frank, E. P. Gusev, J. O. Chu, S. W. Bedell, K. W. Guarini, and M. Ieong: IBM J. Res. Dev. 50 (2006) 377.
2. J. J. Rosenberg and S. C. Martin: IEEE Electron Device Lett. 9 (1988) 639.
3. H. Kim, C. O. Chui, K. C. Saraswat, and P. C. Mclntyre: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 2647.
4. C. H. Huang, D. S. Yu, A. Chin, W. J. Chen, C. X. Zhu, M. F. Li, B. J. Cho, and D. L. Kwong: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 319.
5. A. Ritenour, S. Yu, M. L. Lee, N. Lu, W. Bei, A. Pitera, E. A. Fitzgerald, D. L. Kwong, and D. A. Antoniadis: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 433.
6. N. Wu, Q. Zhang, C. Zhu, C. C. Yeo, S. J. Whang, D. S. H. Chan, M. F. Li, B. J. Cho, A. Chin, D. L. Kwong, A. Y. Du, C. H. Tung, and N. Balasubramanian: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 3741.
7. S. Zhu, R. Li, S. J. Lee, M. F. Li, A. Du, J. Singh, C. Zhu, A. Chin, and D. L. Kwong: IEEE Electron Device Lett. 26 (2005) 81.
8. J. Aarik, A. Aidla, A. A. Kiisler, T. Uustare, and V. Sammelselg: Thin Solid Films 340 (1999) 110.
9. P. D. Kirsch, M. A. Quevedo-Lopez, H. J. Li, Y. Senzaki, J. J. Peterson, S. C. Song, S. A. Krishnan, N. Moumen, J. Barnett, G. Bersuker, P. Y. Hung, B. H. Lee, T. Lafford, Q. Wang, D. Gay, and J. G. Ekerdt: J. Appl. Phys. 99 (2006) 023508.
10. K. Kukli, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen, and M. Leskelä: Chem. Vapor Deposition 8 (2002) 199.
11. T. Kawahara, K. Torii, R. Mitsuhashi, A. Muto, A. Horiuchi, H. Ito, and H. Kitajima: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 4129.
12. S. Hino, M. Nakayama, K. Takahashi, H. Funakubo, and E. Tokumitsu: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 6015.
13. Y. Yokoyama, S. Zhu, and A. Nakajima: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 7091.
14. A. Nakajima, Q. D. M. Khosru, T. Yoshimoto, T. Kidera, and S. Yokoyama: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 1252.
15. A. Nakajima, T. Yoshimoto, T. Kidera, and S. Yokoyama: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 665.