Dry etching of Ge2Sb2Te5 thin films into nanosized patterns using TiN hard mask

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 45, Issue 37-41, 2006, Pages

  Yoon, Sung Min ^a   Choi, Kyu Jeong ^a   Park, Young Sam ^a   Lee, Seung Yun ^a   Lee, Nam Yeal ^a   Yu, Byoung Gon ^a  

^a Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

Author keywords

Etching; Ge2Sb2Te5 (GST); Hard mask; Nonvolatile memory; PRAM

Indexed keywords

ETCHING; NANOSTRUCTURED MATERIALS; OPTIMIZATION; TITANIUM NITRIDE;

HARD MASK; NONVOLATILE MEMORY;

THIN FILMS;

EID: 34547538011     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.45.L1080     Document Type: Article

References (14)

1. Y. J. Song, K. C. Ryoo, Y. N. Whang, C. W. Jeong, D. W. Lim, S. S. Park, J. I. Kim, S. Y. Lee, J. H. Kong, S. J. Ahn, S. H. Lee, J. H. Park, J. H. Oh, Y. T. Oh, J. S. Kim, J. M. Shin, J. H. Park, Y. Fai, G. H. Koh, G. T. Jeong, R. H. Kim, H. S. Lim, I. S. Park, H. S. Jeong and K. Kim: Tech. Dig. Symp. VLSI Technology, 2006, 15.1.
2. F. Pellizzer, A. Benvenuti, B. Glexiner, Y. Kim, B. Johnson, M. Magistretti, T. Marangon, A. Pirovano, R. Bez and G. Atwood: Tech. Dig. Symp. VLSI Technology, 2006, 15.3.
3. H. Oh, B. Cho, W. Y. Cho, S. Kang, B. Choi, H. Kim, K. Kim, D. Kim, C. Kwak, H. Byun, G. Jeong, H. Jeong and K. Kim: IEEE J. Solid-State Circuits 41 (2006) 122.
4. N. Matsuzaki, K. Kurotsuchi, Y. Matsui, O. Tonomura, N. Yamamoto, Y. Fujisaki, N. Kitai, R. Takemura, K. Osada, S. Hanzawa, H. Moriya, T. Iwasaki, T. Kawahara, N. Takaura, M. Terao, M. Matsuoka and M. Moniwa: IEDM Tech. Dig., 2005, 31.1.
5. K. Nakayama, K. Kojima, F. Hayakawa, Y. Imai, A. Kitagawa and M. Suzuki: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 6157.
6. K. Nakayama, K. Kojima, Y. Imai, T. Kasai, S. Fukushima, A. Kitagawa, M. Kumeda, Y. Kakimoto and M. Suzuki: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 404.
7. M. H. R. Lankhorst, B. W. S. M. M. Ketelaars and R. A. M. Wolters: Nat. Mater. 42 (2005) 404.
8. S. M. Yoon, N. Y. Lee, S. O. Ryu, K. J. Choi, Y. S. Park, S. Y. Lee, B. G. Yu, M. J. Kang, S. Y. Choi and M. Wuttig: IEEE Electron Devices Lett. 27 (2006) 445.
9. Y. H. Ha, J. H. Yi, H. Horii, J. H. Park, S. H. Joo, S. O. Park, U. I. Chung and J. T. Moon: Tech. Dig. Symp. VLSI Technology, 2003, 12B-4.
10. C. W. Jeong, S. J. Ahn, Y. N. Whang, Y. J. Song, J. H. Oh, S. Y. Lee, S. H. Lee, K. C. Ryoo, J. H. Park, J. H. Park, J. M. Shin, F. Yeung, W. C. Jeong, J. I. Kim, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong and K. Kim: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 3233.
11. S. Y. Lee, K. J. Choi, S. O. Ryu, S. M. Yoon, N. Y. Lee, Y. S. Park, S. H. Kim, S. H. Lee and B. G. Yu: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 053517.
12. A. Pirovano, A. Redaelli, F. Pellizzer, F. Ottogalli, M. Tosi, D. Ielmini, A. L. Lacaita and R. Bez: IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 4 (2004) 422.
13. F. Yeung, S. J. Ahn, Y. N. Whang, C. W. Jeong, Y. J. Song, S. Y. Lee, S. H. Lee, K. C. Ryoo, J. H. Park, J. M. Shin, W. C. Jeong, Y. T. Kim, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong and K. Kim: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 2691.
14. S. M. Yoon, N. Y. Lee, S. O. Ryu, Y. S. Park, S. Y. Lee, K. J. Choi and B. G. Yu: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L869.