Etching characteristics of Ge2Sb2Te5 using high-density helicon plasma for the nonvolatile phase-change memory applications

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 44, Issue 24-27, 2005, Pages

  Yoon, Sung Min ^a   Lee, Nam Yeal ^a   Ryu, Sang Ouk ^a   Park, Young Sam ^a   Lee, Seung Yun ^a   Choi, Kyu Jeong ^a   Yu, Byoung Gon ^a  

^a Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

Author keywords

Etching rate; Etching selectivity; Ge2Sb2Te5 (GST); Helicon plasma; Nonvolatile memory; PRAM

Indexed keywords

DENSITY (SPECIFIC GRAVITY); ETCHING; GERMANIUM COMPOUNDS; MIXTURES; STORAGE ALLOCATION (COMPUTER); THIN FILMS;

ETCHING RATE; ETCHING SELECTIVITY; HELICON PLASMA; NONVOLATILE MEMORY;

PLASMAS;

EID: 32044465559     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.44.L869     Document Type: Article

References (14)

1. Y. N. Whang, S. H. Lee, S. J. Ahn, S. Y. Lee, K. C. Ryoo, H. S. Hong, H. C. Koo, F. Yeung, J. H. Oh, H. J. Kim, W. C. Jeong, J. H. Park, H. Horii, Y. H. Ha, J. H. Yi, G. H. Koh, G. T. Jeong and K. Kim: Tech. Dig. IEDM, 2003, p. 893.
2. F. Pellizzer, A. Pirovono, F. Ottogalli, M. Magistretti, M. Scaravaggi, P. Zuliani, M. Tosi, A. Benvenuti, P. Besana, S. Cadeo, T. Marangon, R. Morandi, R. Piva, A. Spandre, R. Zonca, A. Modelli, E. Varesi, T. Lowrey, A. Lacaita, G. Casagrande, P. Cappelletti and R. Bez: Tech. Dig. Symp. VLSI Technology, 2004, p. 18.
3. S. J. Ahn, Y. J. Song, C. W. Jeong, J. M. Shin, Y. Fai, Y. N. Whang, S. H. Lee, K. C. Ryoo, S. Y. Lee, J. H. Park, H. Horii, Y. H. Ha, J. H. Yi, B. J. Kuh, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, K. Kim and B. I. Ryu: Tech. Dig. IEDM, 2004, p. 907.
4. M. Gill, T. Lowrey and J. Park: Ext. Abstr. Int. Solid-State Circuit Conf. (ISSCC), 2002, TD.12.4.
5. N. Takaura, M. Terao, K. Kurotsuchi, T. Yamauchi, O. Tonomura, Y. Hanaoka, R. Takemura, K. Osada, T. Kawahara and H. Matsuoka: Tech. Dig. IEDM. 2003, p. 897.
6. S. H. Lee, Y. N. Whang, S. Y. Lee, K. C. Ryoo, S. J. Ahn, H. C. Koo, C. W. Jeong, Y. T. Kim, G. H. Koh, G. T. Jeong and K. Kim: Tech. Dig. Symp. VLSI Technology, 2004, p. 20.
7. N. Yamada, E. Ohno, K. Nishiuchi, N. Akihara and M. Takao: J. Appl. Phys. 69 (1991) 2849.
8. G. Ruitenberg, A. K. Petford-Long and R. C. Doole: J. Appl. Phys. 92 (2002) 3116.
9. B. J. Kooi and J. Th. M. de Hooson: J. Appl. Phys. 92 (2002) 3584.
10. S. Privitera, C. Bongiorno, E. Rimini and R. Zonca: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 4448.
11. A. V. Kolobov, P. Fons, A. I. Frenkel, A. L. Ankudinov, J. Tominaga and T. Uruga: Nat. Mater. 3 (2004) 703.
12. I. K. You, S. M. Yoon, K. D. Kim, S. M. Cho, S. O. Ryu, N. Y. Lee, W. C. Shin, B. G. Yu and J. D. Kim: Abstr. 203rd Electrochemical Society Meet. (ECS), 2003, No. 343.
13. I. K. You, S. M. Yoon, S. M. Cho, K. D. Kim, S. O. Ryu, N. Y. Lee, B. G. Yu, J. G. Koo and J. D. Kim: Integrated Ferroelectr. 48 (2002) 213.
14. T. H. Jeong, M. R. Kim, H. Seo, J. W. Park and C. Yeon: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 2775.