Improvement of Pt Schottky contacts to n-type ZnO by KrF excimer laser irradiation

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 4, 2007, Pages

  Oh, Min Suk ^a   Hwang, Dae Kue ^a   Lim, Jae Hong ^a   Choi, Yong Seok ^a   Park, Seong Ju ^a  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATHODOLUMINESCENCE; EXCIMER LASERS; LASER BEAM EFFECTS; PLATINUM COMPOUNDS; VOLTAGE MEASUREMENT; ZINC OXIDE;

METAL DEPOSITION; PT SCHOTTKY CONTACT; SURFACE CARBON;

SCHOTTKY BARRIER DIODES;

EID: 34547399083     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2764436     Document Type: Article

References (24)

1. R. F. Service, Science 276, 895 (1997).
2. J. H. Lim, C. K. Kang, K. K. Kim, I. K. Park, D. K. Hwang, and S. J. Park, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 18, 2720 (2006).
3. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
4. R. Navamathavan, J. H. Lim, D. K. Hwang, B. H. Kim, J. Y. Oh, J. H. Yang, J. H. Jang, H. S. Kim, J. H. Jang, and S. J. Park, J. Korean Phys. Soc. 48, 271 (2006).
5. F. Oba, S. Nishitani, S. Isotani, H. Adachi, and I. Tanaka, J. Appl. Phys. 90, 824 (2001).
6. R. C. Neville and C. A. Mead, J. Appl. Phys. 41, 3795 (1970).
7. H. Sheng, S. Muthukumar, N. W. Emanetoglu, and Y. Lu, Appl. Phys. Lett. 80, 2132 (2002).
8. B. J. Coppa, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, Appl. Phys. Lett. 82, 400 (2002).
9. A. Y. Polyakov, N. Smirnov, E. Kozhukhova, V. Vdovin, K. Ip, Y. W. Heo, D. P. Norton, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 83, 1575 (2003).
10. S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, Y. W. Heo, and T. Steiner, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 932 (2004).
11. S. Liang, H. Sheng, Y. Liu, Z. Huo, Y. Lu, and H. Shen, J. Cryst. Growth 225, 110 (2001).
12. K. Ip, B. P. Gila, A. H. Onstine, E. S. Lambers, Y. W. Heo, K. H. Baik, D. P. Norton, S. J. Pearton, S. Kim, J. R. LaRoche, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 84, 5133 (2004).
13. Y. M. Strzhemechny, H. L. Mosbacker, K. C. Look, K. C. Reynolds, C. W. Litton, N. Y. Garces, N. C. Giles, L. E. Halliburton, S. Niki, and L. J. Brillson, Appl. Phys. Lett. 84, 2545 (2004).
14. S. H. Kim, H. K. Kim, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 86, 102102 (2005).
15. S. H. Kim, H. K. Kim, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 86, 022101 (2005).
16. G. S. Marlow and M. B. Das, Solid-State Electron. 25, 91 (1982).
17. M. S. Oh, S. H. Kim, D. K. Hwang, S. J. Park, and T. Y. Seong, Electrochem. Solid-State Lett. 8, G198 (2005).
18. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981), pp. 262, 286, and 849.
19. B. Lin, Z. Fu, and Y. Zia, Appl. Phys. Lett. 79, 943 (2001).
20. M. Liu, A. H. Kitai, and P. Mascher, J. Lumin. 54, 35 (1992).
21. D. Drouin, P. Hovington, and R. Gauvin, Scanning 19, 20 (1997).
22. L. J. Brillson, H. L. Mosbacker, M. J. Hetzer, Y. Strzhemechny, G. H. Jessen, D. C. Look, G. Cantwell, J. Zhang, and J. J. Song, Appl. Phys. Lett. 90, 102116 (2007).
23. Y. Chen, F. Jiang, L. Wang, C. Mo, Y. Pu, and W. Fang, J. Cryst. Growth 268, 71 (2004).
24. CRC Handbook of Chemistry and Physics, 83th ed., edited by, D. R. Lide, (CRC, Boca Raton, FL, 2002), pp. 5-18 and 5-28.