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Volumn 50, Issue 6, 2007, Pages 1894-1898

Investigation of the p-GaN ohmic contact property by using a synchrotron radiation analysis

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Contact resistance; ITO; NEXAFS; Ohmic contact; P GaN

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EID: 34547375937     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.50.1894     Document Type: Article
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References (20)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.