Evolution of InAs nanostructures grown by droplet epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 3, 2007, Pages

  Zhao, C ^a   Chen, Y H ^a   Xu, B ^a   Jin, P ^a   Wang, Z G ^a  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DROP FORMATION; INDIUM ARSENIDE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NUCLEATION; SEMICONDUCTOR GROWTH;

CRITICAL FLUXES; CRITICAL VALUES; RING NANOSTRUCTURES;

NANOSTRUCTURES;

EID: 34547152664     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2757151     Document Type: Article

References (20)

1. D. Bimberg, M. Grundmann, and N. N. Ledentsov, Quantum Dot Heterostructures (Wiley, Chichester, 1999).
2. D. Granados, J. M. García, T. Ben, and S. I. Molina, Appl. Phys. Lett. 86, 071918 (2005).
3. H. Petterson, R. J. Warburton, A. Lorke, K. Karrai, J. P. Kotthaus, J. M. Garcia, and P. M. Petroff, Physica E (Amsterdam) 6, 510 (2000).
4. R. J. Warburton, C. Schulhauser, D. Haft, C. Schäflein, K. Karrai, J. M. Garcia, W. Schoenfeld, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 65, 113303 (2002).
5. A. Lorke, R. J. Luyken, A. O. Govorov, J. P. Kotthaus, J. M. Garcia, and P. M. Petroff, Phys. Rev. Lett. 84, 2223 (2000).
6. U. F. Keyser, C. Fühner, S. Borck, R. J. Haug, M. Bichler, G. Abstreiter, and W. Wegscheider, Phys. Rev. Lett. 90, 196601 (2003).
7. U. F. Keyser, H. W. Schumacher, U. Zeitler, and R. J. Haug, Appl. Phys. Lett. 76, 457 (2000).
8. N. Koguchi, S. Takahashi, and T. Chikyow, J. Cryst. Growth 111, 688 (1991).
9. K. Watanabe, N. Koguchi, and Y. Gotoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L79 (2000).
10. T. Mano and N. Koguchi, J. Cryst. Growth 278, 108 (2005).
11. T. Mano, T. Kuroda, S. Sanguinetti, T. Ochiai, T. Tateno, J. S. Kim, T. Noda, M. Kawabe, K. Sakoda, G. Kido, and N. Koguchi, Nano Lett. 5, 425 (2005).
12. M. Yamagiwa, T. Mano, T. Kuroda, T. Tateno, K. Sakoda, G. Kido, N. Koguchi, and F. Minami, Appl. Phys. Lett. 89, 113115 (2006).
13. J. S. Kim and N. Koguchi, Appl. Phys. Lett. 85, 5893 (2004).
14. T. Mano, K. Watanabe, S. Tsukamoto, Y. Imanaka, T. Takamasu, H. Fujioka, G. Kido, M. Oshima, and N. Koguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 4580 (2000).
15. H. S. Park, S. J. Park, Y. M. Kim, and J. C. Woo, J. Korean Phys. Soc. 30, s155 (1997).
16. M. J. da Silva, A. A. Quivy, P. P. González-Borrero, and E. Marega, Jr., J. Cryst. Growth 236, 41 (2002).
17. Y. H. Chen, J. Sun, P. Jin, Z. G. Wang, and Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 88, 071903 (2006).
18. M. A. Herman and H. Sitter, Molecular Beam Epitaxy: Fundamental and Current Status (Springer, Berlin, 1989), p. 32.
19. C. Orme, M. D. Johnson, J. L. Sudijono, K. T. Leung, and B. G. Orr, Appl. Phys. Lett. 64, 860 (1994).
20. J. M. Lee, D. H. Kim, H. Hong, J. C. Woo, and S. J. Park, J. Cryst. Growth 212, 67 (2000).